EUV目标材料回收装置的制作方法

本公开涉及一种用于从通过改变目标材料的状态而产生的等离子体生成极紫外(“euv”)辐射的装置。在这样的应用中，光学元件例如被用来收集和引导euv辐射以供用于半导体光刻。

背景技术：

1、euv辐射(例如，具有约50nm或更小的波长(有时还被称为软x射线)并且包括波长约为13.5nm的辐射在内的电磁辐射)用于光刻过程，以在诸如硅晶片之类的衬底中产生极小特征。在这里和本文中的其他地方，术语“光”用于理解使用该术语所描述的辐射可能不在光谱的可见部分中。

2、用于生成euv辐射的方法包括：将目标材料转化为等离子体状态。目标材料优选地包括具有在电磁光谱的euv部分中的一个或多个发射线的至少一种元素，例如，氙、锂或锡。目标材料可以是固体、液体或气体。在一种通常被称为激光产生等离子体(“lpp”)的方法中，通过使用激光射束来照射具有所需线发射元素的目标材料，可以产生所需等离子体。

3、一种lpp技术包括：生成目标材料微滴流，并且使用一个或多个激光辐射脉冲照射微滴中的至少一些微滴。微滴流由微滴生成器生成。

4、转化目标材料的过程造成累积在每个表面上的残余目标材料的沉积，其中辐照部位和表面之间存在不受阻路径。它还在暴露于夹带残余目标材料的气流的表面上产生这样的沉积。这些表面包括叶片、排气端口和排放路径。如果目标材料是锡，这可能会导致锡毛绒的生长，该锡毛绒会掉落到收集器光学器件上并且堵塞排气路径和排放路径。锡在本文中用作特定目标材料的示例，但应当理解可以使用其他类型的目标材料并且这些类型的目标材料可以呈现相同或相似的管理问题。

5、一种控制锡累积的技术包括：从加热到高于锡的熔点的收集表面上的蒸汽或粒子捕获锡。在这种经加热收集表面上，锡熔化(或保持熔态)并且使得该锡流到捕获容器。然而，在euv腔室中发现的氢自由基存在的情况下，液态锡倾向于会喷发或“溅射”，这种喷射的锡会撞击收集器。

6、此外，液态锡通常不会按预期流动。例如，被提供为移除腔室中的一些或全部锡蒸气的腔室内的结构(诸如用于洗涤器的叶片和引液槽)可以将液态锡滴落到收集器上。液态锡也可能产生热短路，即，非预期导热路径。另外，液态锡具有高度腐蚀性，并且导致电加热器的故障，该电加热器例如被用来维持收集表面高于锡的熔点。

7、需要特别注意的一个腔室特征是被定位为从未使用的锡微滴接收锡并且储存锡以备后续移除的锡捕获器或容器。例如，未使用的微滴会出现在例如系统中，在该系统中，通过中断或再引导可能以其他方式转换微滴的激光脉冲而非通过中断微滴的生成来启用或禁用光的生成。必须采取措施以用于控制和容纳未使用的锡，最好不要破坏腔室中的真空。微滴离开腔室时通过的结构易于呈锡毛绒或线形式的锡累积。该结构可以被实现为如下文所描述的集流环中的插入件中的导管结构。最终，这种锡累积会阻碍未使用的锡微滴的出口路径。

8、因此，需要管理残余目标材料，以使其不会阻碍源腔室中的孔口，包括锡捕获器的入口。在该上下文中，产生对当前所公开的主题的需求。

技术实现思路

1、以下呈现一个或多个实施例的简洁概述，以便提供对所公开的主题的基本理解。该技术实现要素：并非所有所设想的实施例的广泛概述。其并不旨在将特定元件单独挑出作为任何实施例的关键或重要元件，也不旨在对任何或所有实施例的实现范围设置限制。其唯一目的是以精简形式呈现一些概念，作为稍后呈现的具体实施方式的序言。

2、根据一个方面，一种用于euv系统的导管结构的内部表面设有流动障碍物，该流动障碍物阻碍熔融目标材料跨越导管结构的非水平表面流动，以使熔融目标材料冻结在内部表面上并且被内部表面捕获。导管结构可以放置在例如生成euv辐射的腔室的内部和目标材料容器之间，在这种情况下，内部表面是导管结构的侧表面。

3、根据实施例的另一方面，公开了一种导管结构，该导管结构被适配为放置成与euv辐射源的腔室的内部流体连通，目标材料在该腔室中被变换，该导管结构包括至少一个侧壁，该至少一个侧壁面向导管结构的内部，该侧壁的至少一部分设置有多个流动障碍物，该多个流动障碍物被布置为阻碍熔融目标材料跨越多个流动阻碍物流动。

4、导管结构可以包括板，该板被布置为覆盖侧壁的至少一部分，多个流动障碍物被布置在板上。多个流动障碍物可以包括多个同向脊部，该多个同向脊部在第一方向上延伸至少部分通过导管结构。脊部中的一个脊部可以是非连续的。脊部可以以z字形图案延伸，其中相对于第一方向成第一角度的第一笔直区段组与相对于第一方向呈第二角度的第二笔直区段组交替。

5、根据实施例的另一方面，公开了一种euv辐射源，包括腔室，在该腔室中，euv目标材料被变换，该腔室具有至少一个导管结构，该至少一个导管结构具有暴露于euv目标材料的表面，其中表面的第一部分被布置在熔融目标材料遇到表面的第一部分的位置，并且重力倾向于跨越表面的第一部分在第一方向上向下拉动熔融目标材料，并且表面的第一部分下方的第二部分设置有多个流动障碍物，该多个流动障碍物被布置为阻碍熔融目标材料在第一方向上跨越第二部分的流动。

6、表面可以包括板插入件，该板插入件包括多个流动障碍物。板插入件可以维持处于低于目标材料的熔化温度的温度下。目标材料可以是锡，并且板插入件可以维持处于不大于大约200℃的温度。

7、多个流动障碍物可以包括多个同向脊部，该多个同向脊部在大致垂直于第一方向的第二方向上延伸。脊部中的最上面脊部可以是非连续的。脊部可以以z字形图案延伸，其中相对于第二方向成第一角度的第一笔直区段组与相对于第二方向成第二角度的第二笔直区段组交替。脊部中的最上面脊部可以是非连续的，从而限定通过最上面脊部的多个间隙。

8、euv辐射源还可以包括冷却流动环，该冷却流动环至少部分围绕位于腔室中的收集器反射镜的圆周布置，导管结构位于冷却流动环中，以在腔室的内部和目标材料容器之间提供通路。

9、多个流动障碍物可以包括多个大致圆形压痕。多个流动障碍物可以包括多个大致矩形凹痕。多个大致矩形凹痕可以与表面的第二部分的长度共同延伸。多个大致矩形凹痕可以按阵列中的行和列布置。

10、多个流动障碍物可以包括多个成角度叶片，该多个成角度叶片位于第二部分上。多个流动障碍物可以包括多个细长狭缝，该多个狭缝垂直于第一方向延伸，其中每个狭缝具有相关引液槽部分。表面的至少一部分可以被粗糙化。

11、euv辐射源还可以包括顶部表面元件，该顶部表面元件与表面相邻，并且相对于表面成角度，并且被适配和布置为准许收集在顶部表面元件上的熔融目标材料从顶部表面元件流出并且流到表面上。

12、根据实施例的另一方面，公开了一种euv辐射源，包括腔室和通过导管与腔室的内部流体连通的目标材料容器，该导管包括目标材料收集板，该目标材料收集板被定位为至少部分覆盖导管的内部表面，该目标材料收集板包括多个结构，该多个结构阻止熔融目标材料跨越多个结构流动，因此使得熔融目标材料凝固在目标材料收集板中。

13、根据另一方面，公开了一种euv辐射源，包括腔室，该腔室包括在生成euv辐射期间暴露于残余目标材料的位置处的表面，该源包括至少部分覆盖表面的目标材料收集板，该目标材料收集板维持处于低于目标材料的熔化温度的温度，该目标材料收集板包括多个流动障碍物，该目标物质收集板被定向为使得重力跨越流动障碍物拉动熔融目标材料，并且流动障碍物被定向为阻滞熔融目标材料流动。

14、根据实施例的另一方面，公开了一种导管结构，该导管结构被适配为放置成与极紫外(euv)辐射源的腔室的内部流体连通，目标材料在该极紫外辐射源中被变换，导管结构包括至少一个侧壁，该至少一个侧壁面向导管结构的内部，该至少一个侧壁具有在第一方向上延伸的第一侧壁边缘，并且该侧壁的至少一部分设置有多个流动障碍物，该多个流动障碍物大致在第一方向上延伸，并且被布置为阻止熔融目标材料在与第一方向不同的第二方向上跨越侧壁的部分流动。导管结构还包括顶壁，该顶壁面向导管结构的内部，该顶壁被布置为具有顶壁边缘，该顶壁边缘大致平行于第一侧壁边缘在第一方向上延伸，顶壁边缘具有多个边缘特征，该多个边缘结构被布置为抑制目标材料在第一方向上沿着顶壁边缘流动。

15、顶壁可以与热源热接触，使得顶壁达到大于目标材料的熔化温度的温度。多个边缘特征可以包括多个凹陷。多个凹陷可以按线性阵列布置。凹陷大致可以为三角形，其中凹陷的基底位于顶壁边缘处。

16、每个凹陷都可以设置有疏锡材料层。除了凹陷的表面之外，顶壁的表面的至少一部分设置有亲锡材料层。除了凹陷的表面之外，顶壁的整个表面可以覆盖有亲锡材料层。

17、导管结构还可以包括加热元件，该加热元件与顶壁的至少一部分热接触，并且被布置为维持顶壁的至少一部分处于第一温度。加热元件可以被布置为维持顶壁的第一部分处于第一温度，并且维持顶壁的第二部分处于与第一温度不同的第二温度。

18、根据实施例的另一方面，公开了一种极紫外(euv)辐射源，包括腔室，euv目标材料在该腔室中被变换，该腔室具有至少一个导管结构，该至少一个导管结构包括暴露于euv目标材料的横向侧表面，其中横向侧表面的第一部分被布置在熔融目标材料遇到横向侧表面的第一部分的位置，并且以一定方位布置，使得重力可能倾向于跨越横向侧表面的第一部分在第一方向上向下拉动熔融目标材料，并且横向侧表面的第一部分下方的第二部分设置有多个流动障碍物，该多个流动障碍物被布置为阻止熔融目标材料在第一方向上跨越第二部分流动，横向侧表面具有第一横向侧表面边缘，该第一横向侧表面边缘在第二方向上延伸。导管结构还包括顶壁，该顶壁面向导管结构的内部，顶壁被布置为具有顶壁边缘，该顶壁边缘大致平行于第一横向侧表面边缘在第二方向上延伸，该顶部壁边缘具有多个边缘特征，该多个边缘特征被布置为抑制目标材料在第二方向上沿着顶壁边缘流动。

19、多个边缘特征可以包括多个凹陷。多个凹陷可以按线性阵列布置。每个凹陷可以为大致三角形，其中凹陷的基底位于顶壁边缘处。每个凹陷的表面可以设置有疏锡材料层。除了凹陷的表面之外，顶壁的表面的至少一部分可以设置有亲锡材料层。

20、导管结构还可以包括加热元件，该加热元件与顶壁的至少一部分热接触，并且被布置为维持顶壁的至少一部分处于第一温度。加热元件可以被布置为维持顶壁的第一部分处于第一温度，并且维持顶壁的第二部分处于与第一温度不同的第二温度。

21、下文参考附图对当前所公开的主题的其他实施例、特征和优点，以及各种实施例的结构和操作进行详细描述。