包括有源图案的半导体装置的制作方法

示例实施例涉及一种包括有源图案的半导体装置。

背景技术：

1、已经进行了减小构成半导体装置的元件的尺寸并改善性能的研究。例如，在动态随机存取存储器(dram)中，正在进行可靠且稳定地形成具有减小的尺寸的组件的研究。然而，随着组件尺寸的减小，半导体装置的分散特性可能劣化。

技术实现思路

1、根据示例实施例，半导体装置包括：有源图案，包括在竖直方向上延伸的垂直有源部分和从垂直有源部分的上部区域弯曲的第一弯曲部分；栅电极，与有源图案间隔开，其中，栅电极的至少一部分面向垂直有源部分；蚀刻停止层，蚀刻停止层的至少一部分设置在栅电极的上表面与第一弯曲部分之间；介电层，介电层的至少一部分设置在有源图案与栅电极之间；以及接触插塞，设置在蚀刻停止层上并且至少穿透第一弯曲部分。

2、根据示例实施例，半导体装置包括：位线；有源图案，电连接到位线；字线，与有源图案的至少一部分设置在同一水平上；介电层，介电层的至少一部分设置在有源图案与字线之间；蚀刻停止层，蚀刻停止层的至少一部分与有源图案的一部分设置在同一水平上；以及接触插塞，在蚀刻停止层上与蚀刻停止层接触并且电连接到有源图案，其中，接触插塞的下表面设置在高于蚀刻停止层的下表面的水平上，并且有源图案的上端设置在高于蚀刻停止层的下表面的水平上。

3、根据示例实施例，半导体装置包括：位线；层间绝缘层，设置在位线上并具有开口；第一栅电极和第二栅电极，在开口内彼此间隔开；有源图案，设置在第一栅电极与第二栅电极之间并电连接到位线；第一蚀刻停止层，在第一栅电极上；第二蚀刻停止层，在第二栅电极上；第一介电层，第一介电层的至少一部分设置在第一栅电极与有源图案之间；第二介电层，第二介电层的至少一部分设置在第二栅电极与有源图案之间；第一接触插塞，在第一蚀刻停止层上与第一蚀刻停止层接触；以及第二接触插塞，在第二蚀刻停止层上与第二蚀刻停止层接触。

技术特征：

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述接触插塞与所述第一弯曲部分和所述蚀刻停止层接触。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一弯曲部分围绕所述接触插塞的侧表面并且与所述接触插塞接触。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述至少一个缓冲绝缘层包括顺序堆叠的第一缓冲绝缘层和第二缓冲绝缘层，所述第一缓冲绝缘层的材料与所述第二缓冲绝缘层的材料不同。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括电连接到所述接触插塞并且在所述接触插塞上的数据存储结构。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括电连接到所述接触插塞并且在所述接触插塞上的导电图案，

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述介电层包括铁电层。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

12.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述接触插塞与所述有源图案和所述蚀刻停止层接触，所述有源图案直接电连接到所述接触插塞。

14.根据权利要求12所述的半导体装置，其中：

15.根据权利要求12所述的半导体装置，其中：

16.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

17.根据权利要求16所述的半导体装置，其中：

18.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，所述有源图案包括：

19.根据权利要求18所述的半导体装置，其中：

20.根据权利要求16所述的半导体装置，其中：

技术总结提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案，具有在竖直方向上延伸的垂直有源部分和从垂直有源部分的上部区域弯曲的第一弯曲部分；栅电极，与有源图案间隔开，其中，栅电极的至少一部分面向垂直有源部分；蚀刻停止层，蚀刻停止层的至少一部分设置在栅电极的上表面与第一弯曲部分之间；介电层，介电层的至少一部分设置在有源图案与栅电极之间；以及接触插塞，设置在蚀刻停止层上并且至少穿透第一弯曲部分。技术研发人员：李炅奂,严祥训,赵珉熙,河大元受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/7/29