一种抗污防静电陶瓷空心锭子及其釉料涂覆装置

本发明涉及纺纱，具体是一种抗污防静电陶瓷空心锭子及其釉料涂覆装置。

背景技术：

1、喷气涡流纺利用高速旋转气流加捻自由尾端纤维成纱，纺纱速度高达550m/min，空心锭子的外表面摩擦特性的改变极易导致纱线出现弱捻现象。对于化纤品类的纤维来说，由于化纤在纺丝过程中需要添加油剂以提高可纺性，但在纺纱过程中，这些油剂会持续残留堆积在锭子表面(尤其是空心锭子上部和下部的外表面)，严重影响了纱线的成纱质量，导致纱线弱捻增加，后道织造断头率大幅增加，布面质量下降。同时，化纤类纤维相互摩擦下，会产生静电作用力，然而传统的空心锭子未考虑对静电积累的消除作用，这将影响并改变纤维在加捻腔的运动规律，最终影响到纤维的抱合和集聚，导致成纱的毛羽增多、成纱强力下降。生产过程中，对空芯锭子去油污采用停机人工酒精擦拭、超声波清洁方式或安装在线清油装置来解决，导致要么费时、降低生产效率，要么提高了纱线加工成本。因此开发一种抗污防静电陶瓷空心锭子，避免加工过程停机或安装在线清油装置，具有重要意义。

2、由于空心锭子所需抗污防静电为上部和中部，因此常规的对空心锭子直接喷涂的装置使用效率低，且会在锭子的下部也喷涂上不必要的釉层造成浪费。其次，若采用常规的机械装置带动空心锭子下降浸入盛有釉层的浸液槽进行快速涂覆，容易使得空心锭子的内部(内部的导纱通道、小内孔、大内孔和锥形空腔均相通)也浸至釉层中，非涂覆所需，因此常规的喷涂装置应用效率低下。

3、为了解决上述问题，本案由此而生。

技术实现思路

1、(一)解决的技术问题

2、本发明为克服现有，以期解决上述背景技术中提出的问题。

3、(二)技术方案

4、为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种抗污防静电陶瓷空心锭子及其釉料涂覆装置，将釉料涂覆于空心锭子抗污防静电的上部和中部，包括机架、盛有釉料的浸液槽，其特征在于：所述机架上设有夹持结构，所述夹持结构的下方放置浸液槽，所述夹持机构包括板块，空心锭子阵列限位于板块上，所述板块的一侧衔接有插接板，插接板上连接有插杆，所述插杆贯穿板块并从空心锭子的底部穿至空心锭子的顶部，以将空心锭子上端堵塞闭合；还包括升降结构，升降结构的输出端与板块相连，所述升降结构带动板块下移的高度h为空心锭子上部和中部的高度之和。

5、在本发明一些示例性实施例中，所述板块上阵列有通孔，该通孔的尺寸大于空心锭子中部的径向尺寸并适配其下部的径向尺寸，所述空心锭子倒置置入于对应通孔内。

6、作为优选方案，进一步地，空心锭子分为上部、中部和下部，其上部开设有纤维入口和导纱通道，中部设置有内孔和锥形空腔，下部设置有空心锭子出口，空心锭子内部上下连通，所述插杆的尺寸与空心锭子的导纱通道尺寸相适配。

7、作为优选方案，进一步地，升降结构包括横向布设的气缸，气缸的输出端通过支杆连接有移动杆，所述移动杆的两端分别铰接有转杆，转杆的下端铰接有限位块，该限位块分别固定于板块对应位置，所述移动杆的侧面设置滑杆，滑杆的下端水平滑动连接于机架侧面，所述机架内壁的两侧分别开设有相通的横槽和竖槽，限位块的外端连接有滑轮，该滑轮滑动于横槽或竖槽滑动连接，所述转杆在滑轮位于横槽内时倾斜布设。

8、作为优选方案，进一步地，竖槽的高度等于空心锭子上部和中部的高度之和。

9、在本发明一些示例性实施例中，板块上阵列有基块，基块的径向尺寸稍小于空心锭子出口的内径，所述基块上设有气囊，常态下气囊相对较瘪置于对应空心锭子内，该气囊充气后以精准填充固定空心锭子的位置。

10、作为优选方案，进一步地，基块、气囊和板块上纵向开设通槽，通槽的位置与导纱通道对应，所述板块的下侧活动连接有一插接板，插接板上对应阵列有插杆，所述插杆对应插入通槽内以对空心锭子的上端口填补堵塞。

11、一种抗污防静电釉料，其涂覆于抗污防静电陶瓷空心锭子的上部和中部外表面，包括二氧化硅26-46份、三氧化二铝23-37份、氧化钾13-23份、氧化锌10-19份、煅烧高岭土5-14份、氧化锆2-7份、碳酸钙1-6份、导电材料7-15份、水。

12、其中二氧化硅粒径采用100nm-500um；三氧化二铝的粒径采30nm-380um；氧化钾的粒径采用100nm-400um；氧化锌的粒径采用10-60μm；煅烧高岭土的粒径采用15-80μm；氧化锆的粒径采用10-90nm；碳酸钙的粒径采用50-160nm；导电材料为含n化合物、碳纳米材料、金属粉末等，粒径采用300nm-200um，所述导电材料含n化合物和碳纳米材料。

13、一种抗污防静电釉料的制备方法，包括如下步骤：

14、步骤一：选取二氧化硅、三氧化二铝、氧化钾、氧化锌、煅烧高岭土、氧化锆、碳酸钙进行充分的混合和球磨；

15、步骤二：然后添加不同粒径的导电材料进一步的进行湿法球磨；

16、步骤三：待研磨均匀后取出置于搅拌桶内，添加比例为21-33％的水，并进行600-1000rpm/min的高速搅拌使之成为浆料。

17、(三)有益效果

18、采用上述技术方案后，与现有技术相比具有以下有益效果：

19、1、本发明提供的一种抗污防静电陶瓷空心锭子及其釉料涂覆装置，针对纺纱过程化纤油剂容易残留堆积以及纤维相互摩擦下产生静电作用力的空心锭子的上部、中部外表面问题，通过设计抗污防静电釉料，并设计专用釉料涂覆装置，将釉料精准涂覆于空心锭子的上部、中部外表面以形成精细耐磨微孔结构，以具有抗污防静电的功能。

20、2、本发明提供的一种抗污防静电釉料，通过不同粒径的调控，在胚体通过精密浸渍后，可以在胚体表面形成不同的凹凸结构，使之具备优异的抗污性。同时添加的导电材料，可以在釉面提供良好的导电性，使之具备抗静电性能。

技术特征：

1.一种抗污防静电陶瓷空心锭子的釉料涂覆装置，将釉料涂覆于空心锭子抗污防静电的上部和中部，包括机架、盛有釉料的浸液槽，其特征在于：所述机架上设有夹持结构，所述夹持结构的下方放置浸液槽，所述夹持机构包括板块，空心锭子阵列限位于板块上，所述板块的一侧衔接有插接板，插接板上连接有插杆，所述插杆贯穿板块并从空心锭子的底部穿至空心锭子的顶部，以将空心锭子上端堵塞闭合；还包括升降结构，升降结构的输出端与板块相连，所述升降结构带动板块下移的高度为空心锭子上部和中部的高度之和。

2.根据权利要求1所述一种抗污防静电陶瓷空心锭子的釉料涂覆装置，其特征在于：所述板块上阵列有通孔，该通孔的尺寸大于空心锭子中部的径向尺寸并适配其下部的径向尺寸，所述空心锭子倒置置入于对应通孔内。

3.根据权利要求1所述一种抗污防静电陶瓷空心锭子的釉料涂覆装置，其特征在于：所述空心锭子分为上部、中部和下部，其上部开设有纤维入口和导纱通道，中部设置有内孔和锥形空腔，下部设置有空心锭子出口，空心锭子内部上下连通，所述插杆的尺寸与空心锭子的导纱通道尺寸相适配。

4.根据权利要求1所述一种抗污防静电陶瓷空心锭子的釉料涂覆装置，其特征在于：所述升降结构包括横向布设的气缸，气缸的输出端通过支杆连接有移动杆，所述移动杆的两端分别铰接有转杆，转杆的下端铰接有限位块，该限位块分别固定于板块对应位置，所述移动杆的侧面设置滑杆，滑杆的下端水平滑动连接于机架侧面；所述机架内壁的两侧分别开设有相通的横槽和竖槽，限位块的外端连接有滑轮，该滑轮滑动于横槽或竖槽滑动连接，所述转杆在滑轮位于横槽内时倾斜布设。

5.根据权利要求4所述一种抗污防静电陶瓷空心锭子的釉料涂覆装置，其特征在于：所述竖槽的高度等于空心锭子上部和中部的高度之和。

6.根据权利要求1所述一种抗污防静电陶瓷空心锭子的釉料涂覆装置，其特征在于：所述板块上阵列有基块，基块的径向尺寸稍小于空心锭子出口的内径，所述基块上设有气囊，常态下气囊相对较瘪置于对应空心锭子内，该气囊充气后以精准填充固定空心锭子的位置。

7.根据权利要求6所述一种抗污防静电陶瓷空心锭子的釉料涂覆装置，其特征在于：所述基块、气囊和板块上纵向开设通槽，通槽的位置与导纱通道对应，所述板块的下侧活动连接有一插接板，插接板上对应阵列有插杆，所述插杆对应插入通槽内以对空心锭子的上端口填补堵塞。

8.一种抗污防静电釉料，其特征在于，包括如下组分：二氧化硅26-46份、三氧化二铝23-37份、氧化钾13-23份、氧化锌10-19份、煅烧高岭土5-14份、氧化锆2-7份、碳酸钙1-6份、导电材料7-15份、水。

9.根据权利要求8所述一种抗污防静电釉料，其特征在于：所述其中二氧化硅粒径采用100nm-500um；三氧化二铝的粒径采30nm-380um；氧化钾的粒径采用100nm-400um；氧化锌的粒径采用10-60μm；煅烧高岭土的粒径采用15-80μm；氧化锆的粒径采用10-90nm；碳酸钙的粒径采用50-160nm；导电材料为含n化合物、碳纳米材料、金属粉末等，粒径采用300nm-200um，所述导电材料含n化合物和碳纳米材料。

10.根据权利要求8-9任意一项所述一种抗污防静电釉料，包括如下步骤：

技术总结本发明公开了一种抗污防静电陶瓷空心锭子及其釉料涂覆装置，将釉料涂覆于空心锭子抗污防静电的上部和中部，包括机架、盛有釉料的浸液槽，所述机架上设有夹持结构，夹持结构的下方放置浸液槽，所述夹持机构包括板块，空心锭子阵列限位于板块上，所述板块的一侧衔接有插接板，插接板上连接有插杆，所述插杆贯穿板块并从空心锭子的底部穿至空心锭子的顶部，以将空心锭子上端堵塞闭合。本发明针对纺纱过程化纤油剂容易残留堆积以及纤维相互摩擦下产生静电作用力的空心锭子的上部、中部外表面问题，通过设计抗污防静电釉料，并设计专用釉料涂覆装置，将釉料精准涂覆于空心锭子的上部、中部外表面以形成精细耐磨微孔结构，具有抗污防静电的功能。技术研发人员：缪璐璐,邹专勇,彭倩,朱繁强,杨轩腾,雷严佳琪,王建,李忠健,董正梅,孙国军,杜诚杰受保护的技术使用者：绍兴文理学院技术研发日：技术公布日：2024/8/1