微机电系统器件以及微机电系统器件的制造方法与流程

本发明涉及微机电系统(mems)器件以及微机电系统器件的制造方法。

背景技术：

1、使用mems(微机电系统：micro electro mechanical systems)技术制造的微机电系统器件是已知的。微机电系统器件例如通过在具有共振子等微机电系统构造体的第1基板接合第2基板而形成。

2、例如在专利文献1中公开了一种作为微机电系统器件的一例的电子部件。

3、在专利文献1所公开的电子部件中，由基底基板(第1基板)和覆盖基板(第2基板)构成具有内部空间的壳体，在壳体收纳有微机电系统构造体。在第1基板的上表面和第2基板的下表面分别形成有金属膜。通过第1基板的金属膜和第2基板的金属膜进行金属共晶反应，而将第1基板和第2基板接合。

4、此外，在专利文献1所公开的电子部件中，在第2基板的下表面形成有绝缘膜。在第1基板和第2基板接合时，绝缘膜与第1基板的上表面接触。由此，第1基板和第2基板的间隔的偏差减小。

5、现有技术文献

6、专利文献

7、专利文献1：日本特开2013-125912号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、为了使金属膜进行金属共晶反应，第1基板和第2基板的接合在高温且高载荷下进行。因此绝缘膜有可能变形。在绝缘膜发生了变形的情况下，第1基板和第2基板的间隔的偏差会增大。

3、因而，本发明的目的在于解决所述问题，提供一种能够减小第1基板和第2基板的间隔的偏差的微机电系统器件。

4、用于解决问题的方案

5、为了实现所述目的，本发明如下所述地构成。

6、本发明的一个技术方案的微机电系统器件包括：

7、第1基板，其包含微机电系统构造体；

8、第2基板，其与所述第1基板隔开间隔地在相对方向上相面对；

9、第1接合部，其具有以多个种类的金属的共晶合金作为主材料的共晶层，以在从所述相对方向观察时包围所述微机电系统构造体的方式设在所述第1基板和所述第2基板之间，且接合于所述第1基板和所述第2基板；以及

10、接触层，其设在所述第1基板和所述第2基板之间，与所述第1基板直接或间接接触且与所述第2基板直接或间接接触，

11、所述接触层包含所述第1接合部所包含的所述多个种类的金属中的部分金属。

12、发明的效果

13、根据本发明，能够减小第1基板和第2基板的间隔的偏差。

技术特征：

1.一种微机电系统器件，该微机电系统器件包括：

2.根据权利要求1所述的微机电系统器件，其中，

3.根据权利要求1或2所述的微机电系统器件，其中，

4.根据权利要求3所述的微机电系统器件，其中，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的微机电系统器件，其中，

6.根据权利要求5所述的微机电系统器件，其中，

7.根据权利要求5所述的微机电系统器件，其中，

8.根据权利要求7所述的微机电系统器件，其中，

9.根据权利要求5～8中任一项所述的微机电系统器件，其中，

10.根据权利要求1～9中任一项所述的微机电系统器件，其中，

11.根据权利要求10所述的微机电系统器件，其中，

12.根据权利要求10或11所述的微机电系统器件，其中，

13.根据权利要求1～12中任一项所述的微机电系统器件，其中，

14.根据权利要求1～13中任一项所述的微机电系统器件，其中，

15.根据权利要求1～14中任一项所述的微机电系统器件，其中，

16.一种微机电系统器件的制造方法，其中，

17.根据权利要求16所述的微机电系统器件的制造方法，其中，

18.根据权利要求16或17所述的微机电系统器件的制造方法，其中，

19.根据权利要求18所述的微机电系统器件的制造方法，其中，

20.根据权利要求16～19中任一项所述的微机电系统器件的制造方法，其中，

21.根据权利要求20所述的微机电系统器件的制造方法，其中，

22.根据权利要求20或21所述的微机电系统器件的制造方法，其中，

技术总结本发明提供一种能够减小第1基板和第2基板的间隔的偏差的微机电系统器件。微机电系统器件包括：第1基板，其包含微机电系统构造体；第2基板，其与第1基板隔开间隔地在相对方向上相面对；第1接合部，其具有以多个种类的金属的共晶合金作为主材料的共晶层，以在从相对方向观察时包围微机电系统构造体的方式设在第1基板和第2基板之间，且接合于第1基板和第2基板；以及接触层，其设在第1基板和第2基板之间，与第1基板和第2基板接触。接触层包含第1接合部所包含的多个种类的金属中的部分金属。技术研发人员：黑川文弥,会田康弘受保护的技术使用者：株式会社村田制作所技术研发日：技术公布日：2024/8/1