底足全釉的高硅质高级日用细瓷及其制备方法与流程

本发明属于陶瓷制品的制备，具体涉及底足全釉的高硅质高级日用细瓷及其制备方法。

背景技术：

1、高级日用细瓷的吸水率小于0.5%，热稳定性在190℃投入20℃水中热交换一次不裂，釉面润泽津润，釉色和画面光彩，毛脚在平面上安稳。品质要高于普通瓷和细瓷。高硅质则是在配方中sio2占比达70%以上。

2、高硅质高级日用细瓷作为高端瓷器的代表，越来越受到喜爱，但是随着生活水平的提升和使用要求的升级，提高了对高硅质高级日用细瓷的品质要求，而现有的高硅质高级日用细瓷的底足的施釉仍旧存在很大问题，底足因位置的特殊性难以做到光滑细腻。光滑细腻的高硅质高级日用细瓷可以防止在使用过程中划伤餐桌等家具，减少污渍在底足的残存，提高手拿的舒适感觉，减少对皮肤的摩擦，同时提高产品的美观度。

3、目前，部分陶瓷厂家会对产品底足采取精抛工艺，但是依然不能做到绝对的光滑细腻，因此，底足的加工成为高硅质高级日用细瓷能否提升一个档次的关键因素。

4、cn115784707a公开了一种隐足建盏的制备工艺及其制备的隐足建盏，包括以下步骤：制备坯体和釉浆，其中，所述坯体底足为双底足，包括间隔设置的外底足和内底足，所述内底足高度小于所述外底足，所述内底足悬空设置；施釉：所述内底足不施釉，坯体其它位置均施釉；将施釉晾干后的坯体放入窑炉内进行焙烧，所述内底足放置于支垫上，所述支垫宽度小于所述外底足，所述外底足悬空放置，坯体通过以下方法制备：将2-2.5重量份的红土、7-9重量份的高岭土混合得到坯土，将坯土粉碎、淘洗，过80-90目筛，压滤、炼泥、陈腐，得到坯泥；将所述坯泥拉坯成型、修坯、素烧、冷却，得到坯体。釉浆通过以下方法制备：称取150重量份的釉石、98-102重量份的钾长石、48-51重量份的石灰石、19-21重量份的滑石、43-45重量份的红土及365-375重量份的水，加入球磨机中研磨，过100-110目筛，得到釉浆。所制备的隐足建盏的内底足部位没有釉层覆盖，比较粗糙，容易残存污渍，手拿有皮肤摩擦，舒适感较差。

5、cn100548929c公开了一种底足不露胎的色釉陶瓷酒瓶制备方法，上色釉前，先施加一层光泽底釉的三次上釉烧成方法，更是大大提高了釉面装饰质量，完全消除了釉面针孔、光洁度差等缺陷，以上所述的三次上釉烧成的烧成温度虽然是逐渐递减，但是递减的幅度较低，在烧成过程中只要超过了釉料的始熔温度，会在酒瓶釉面与支撑物接触的地方形成缺陷，不利于批量生产；且所制备的色釉产品，采用的悬吊或瓶口插有支撑窑具倒置釉烧只适合色釉陶瓷酒瓶类生产，不适用碗盘类等日用瓷产品。

技术实现思路

1、本发明要解决的技术问题是克服现有技术存在的能否把底足也做成跟其它部位一样带釉的问题，提供底足全釉的高硅质高级日用细瓷的制备方法，工艺操作简单、稳定，实现批量生产；所制备的产品底足光润耐磨，底足全釉陶瓷健康环保，使用舒适性强，且提升了高硅质高级日用细瓷产品的艺术表现力。

2、本发明所述的底足全釉的高硅质高级日用细瓷的制备方法，包括以下步骤：

3、（1）将高硅质高级日用细瓷坯体，在坯体底足内部利坯，形成浅圆棱；

4、（2）素烧，得到素坯；

5、（3）在素坯浅圆棱处抹油，素坯整体施釉高温釉料，高温烧成，得到高温釉烧白瓷；

6、（4）在高温釉烧白瓷的浅圆棱处施釉低温釉料，低温烧成，得到底足全釉的高硅质高级日用细瓷。

7、步骤（2）素烧的烧成温度为1275～1305℃，烧成时间11～13h。

8、步骤（3）的高温釉料由以下重量百分含量的原料制成：石英15～22%、钾长石32～40%、钟乳石9～13%、氧化锆6～9%、生滑石3～6%、高岭土8～12%、陶瓷粉4～8%、氧化硼5～8%。制成的高温釉料料浆的固含量为61～65wt.%，小于10μm的颗粒占颗粒总数的70～80%。

9、步骤（3）的高温烧成温度1180～1200℃，烧成时间7～9h。

10、步骤（4）的低温釉料由以下重量百分含量的原料制成：石英10～18%、钠长石38～45%、碳酸锶8～15%、苏州土12～20%、白云石5～9%、熟滑石3～5%、氧化锌2～6%。制成的低温釉料料浆的固含量为57～60wt.%，小于10μm的颗粒占颗粒总数的80～90%。

11、步骤（4）的低温烧成温度800～820℃，烧成时间3～5h。

12、步骤（3）在素坯浅圆棱处抹油，素坯整体施釉高温釉料，放置在支烧圆架平台上，高温烧成。

13、一种底足全釉的高硅质高级日用细瓷是由所述的底足全釉的高硅质高级日用细瓷的制备方法制得的。

14、具体的，所述的底足全釉的高硅质高级日用细瓷的制备方法，包括以下步骤：

15、（1）将高硅质高级日用细瓷坯体，用三角钨钢刀片在坯体底足内部利坯，在底足内部形成可用于支烧的浅圆棱。

16、（2）用梭式窑进行素烧，烧成温度为1275～1305℃，烧成时间11～13h，得到素坯。

17、（3）在素坯浅圆棱处抹油，素坯整体施釉高温釉料，浅圆棱抹油处未挂釉，将釉坯的浅圆棱放置在上小底大的支烧圆架平台，用梭式窑进行高温烧成，烧成温度1180～1200℃，烧成时间7～9h，得到高温釉烧白瓷；支烧圆架平台为氧化铝材质，上部直径略大于浅圆棱直径，下部直径略大于产品直径，如图2所示。所述的略大于指的是1-3mm之间。

18、高温釉料由以下重量百分含量的原料制成：石英15～22%、钾长石32～40%、钟乳石9～13%、氧化锆6～9%、生滑石3～6%、高岭土8～12%、陶瓷粉4～8%、氧化硼5～8%，制成的高温釉料料浆的固含量为61～65wt.%，小于10μm的颗粒占颗粒总数的70～80%。

19、（4）在高温釉烧白瓷的浅圆棱处施釉低温釉料，用梭式窑进行低温烧成，烧成温度800～820℃，烧成时间3～5h，得到底足全釉的高硅质高级日用细瓷；

20、低温釉料由以下重量百分含量的原料制成：石英10～18%、钠长石38～45%、碳酸锶8～15%、苏州土12～20%、白云石5～9%、熟滑石3～5%、氧化锌2～6%，制成的低温釉料料浆的固含量为57～60wt.%，小于10μm的颗粒占颗粒总数的80～90%。

21、本发明的底足全釉的高硅质高级日用细瓷制备方法中，高温釉料中瓷粉和氧化锆的加入可以提高釉料的始熔温度，增强釉面硬度，将此高温釉料在底足上施釉烧成后可以从本质上解决底足光滑细腻，且该釉料釉面硬度高，耐磨度强，减少底足釉料的磨损，增强了实用性能，且该底足高温釉料始熔温度高，在低温釉烧800～820℃中，还未达到此釉料的始熔温度，釉面不会和承烧板进行粘连，保留其实用性能。

22、本发明的底足全釉的高硅质高级日用细瓷制备方法中，低温釉料中碳酸锶的加入，大幅降低了该釉料的始熔温度和高温粘度，可让该釉料在800～820℃时就能与高硅质日用细瓷的坯体相结合，形成玻璃相釉面，从而将浅圆棱用釉料覆盖，从而达到底足全釉的效果。

23、本发明采用底足内部利坯浅圆棱，配合支烧圆架平台，较好的解决了高温釉烧底足带釉的工艺，将支烧接触部位设计为浅圆棱，加强了底足的艺术感，使底足更加精致美观，且不明显，氧化铝材质的支烧圆架平台上部与该浅圆棱接触，起到防止粘连和支烧作用，下部直径略大于产品直径起到稳定的作用。

24、本发明的底足全釉的高硅质高级日用细瓷制备方法中，采用高温釉料和低温釉料相结合的方式，可使产品底足全釉，产品整体光滑细腻，防止瓷器划伤桌面，减少污渍的残存，提高了产品的使用舒适性，同时提高了产品的艺术美感。该制备方法填充了高硅质高级日用细瓷底足全釉的空白工艺，产品整体成品率得到了进一步提升，也增加了产品的艺术附加值。

25、与现有技术相比，本发明具有的有益效果是：

26、（1）采用本发明的底足全釉的高硅质高级日用细瓷的制备方法，彻底解决了底足粗糙的问题，底足光润耐磨，极大的提高了产品的实用性能，底足全釉陶瓷健康环保，使用舒适性强，且提升了日用瓷产品的艺术表现力。

27、（2）本发明的高硅质高级日用细瓷底足全釉的制备方法，工艺操作简单、稳定，可实现批量生产。

28、（3）本发明制备的底足全釉高硅质高级日用细瓷，采用了高温釉烧工艺，提升了高硅质高级日用细瓷的光泽度，且釉面硬度显著提升，经过三次烧的日用陶瓷产品规整度高、成品率高，不仅节约了原材料，而且日用瓷产品的机械强度得到提升，产品的抗热震性能进一步增强。