远程等离子体清洁(RPC)输送入口适配器的制作方法

本文公开的主题总体上涉及与远程等离子清洁(rpc)功能相关的系统、方法、装置和机器可读介质，用于清洁工艺室内表面的残留物沉积物。

背景技术：

1、半导体衬底处理装置用于通过包含下列的技术来处理半导体衬底：蚀刻、物理气相沉积(pvd)、化学气相沉积(cvd)、等离子体增强化学气相沉积(pecvd)、原子层沉积(ald)、等离子体增强原子层沉积(peald)、脉冲沉积层(pdl)、等离子体增强脉冲沉积层(pepdl)处理、及抗蚀剂移除。

2、在半导体衬底处理期间，处理室内化学反应物的存在导致该室的内表面上的残余沉积物。例如，处理室可能在将非晶质硬掩模(ahm)处理施加于衬底之后被碳残余沉积物覆盖。使用常规的室清洁技术，引入处理室内的例如远程等离子体源(rps)活化清洁气体自由基物质(例如，原子氧或氟)的清洁气体的大部分可与未具有残余沉积物的室表面反应。室壁与清洁气体之间的反应、以及残余沉积物的不完全蚀刻将颗粒偏移引入可延伸至清洁气体输送路径的处理室内，导致在室中的处理期间累积在衬底上的缺陷增加物(adder)数量增加。如本文所用，术语“缺陷增加物”与在经由处理室运行测试晶片之前及之后的缺陷计数(例如，颗粒)的差异相关。

3、本文中所提出的现有技术大致上用于呈现本公开内容的背景。应当注意，本节中所描述的信息是为了将以下所公开的主题的一些背景提供给本领域技术人员，不应将其视为公认的现有技术。具体而言，在此背景技术部分中描述的范围内的当前指定的发明人的工作以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。

技术实现思路

1、方法、系统、以及计算机程序针对rpc相关技术而呈现。如此技术包含使用具有锥状表面的气体输送装置将残留沉积物从处理室中移除。

2、在示例性实施方案中，气体输送装置包含入口部分。入口部分包含配置成从气体源接收气体的多个入口端口。入口部分还包含与多个入口端口相关的相应的多个锥状表面。多个锥状表面中的每个锥状表面环绕该多个入口端口的相应的入口端口。气体输送装置还包含出口部分。出口部分被配置成将气体输送至处理室的气体喷头。

3、在另一示例性实施方案中，从处理室中移除残余沉积物的方法包含提供气体输送装置。气体输送装置包含入口部分和出口部分。入口部分包含多个入口端口。入口部分还包含与多个入口端口相关的相应的多个锥状表面。多个锥状表面中的每个锥状表面环绕多个入口端口的相应的多个入口端口。该方法还包含将气体输送装置的出口部分耦合至处理室的喷头。该方法还包含将入口部分耦合至远程等离子体源(rps)。该方法还包含容许由该rps产生的清洁气体经由气体输送装置的多个入口端口及喷头进入到处理室中。该方法还包含使用清洁气体将残余沉积物从处理室中移除。在一些方面，清洁气体并不经常运行。来自工艺气体的颗粒的返流还通过穿过rps的主体、跨越清扫式表面(swept surfaces)、并进入该喷头的惰性气体的恒定流动而减少。

4、在又一示例性实施方案中，半导体衬底处理装置包含配置成产生清洁气体的远程等离子体源(rps)。半导体衬底处理装置还包含与rps耦合的气体输送装置。气体输送装置包含入口部分和出口部分。入口部分包含配置成从气体源接收气体的多个入口端口。入口部分还包含与多个入口端口相关的相应的多个锥状表面。多个锥状表面中的每个锥状表面环绕该多个入口端口的相应的入口端口。半导体衬底处理装置还包含处理室，在该处理室中半导体衬底受处理且残余沉积物形成。处理室通过入口部分和出口部分流体耦合至rps。半导体衬底处理装置还包含耦合至rps、气体输送装置、以及处理室的控制器模块。控制器模块通过入口部分和出口部分使rps将清洁气体供给至处理室中。

技术特征：

1.一种气体输送装置，其包括：

2.根据权利要求1所述的气体输送装置，其中所述多个锥状表面中的每个锥状表面包含第一区域和第二区域，所述第一区域具有第一曲率，所述第二区域具有第二曲率，且所述第一曲率不同于所述第二曲率。

3.根据权利要求2所述的气体输送装置，其中所述第一区域包含圆锥表面，且其中所述第二区域包含非圆锥表面。

4.根据权利要求3所述的气体输送装置，其中所述圆锥表面与恒定斜率和恒定仰角相关。

5.根据权利要求3所述的气体输送装置，其中所述圆锥表面包含圆锥切口，所述圆锥切口包含具有共同中心轴的多个部分同心圆。

6.根据权利要求3所述的气体输送装置，其中所述非圆锥表面包含非圆锥切口，所述非圆锥切口包含多个弧，且所述多个弧与彼此不重合的相应的多个中心轴相关。

7.根据权利要求2所述的气体输送装置，其中所述多个锥状表面中的每个锥状表面还包含设置在所述第一区域和所述第二区域之间的第一混合区域。

8.根据权利要求7所述的气体输送装置，其中所述多个锥状表面中的每个锥状表面还包含环绕所述锥状表面的所述入口端口设置的第二混合区域。

9.一种用于从处理室中移除残余沉积物的方法，所述方法包含：

10.根据权利要求9所述的方法，其还包含：

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述多个锥状表面中的每个锥状表面包含第一区域和第二区域，所述第一区域具有第一曲率，所述第二区域具有第二曲率，且所述第一曲率不同于所述第二曲率。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一区域包含圆锥表面，且其中所述第二区域包含非圆锥表面。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述圆锥表面与恒定斜率和恒定仰角相关。

14.一种半导体衬底处理装置，所述装置包括：

15.根据权利要求14所述的半导体衬底处理装置，其中所述多个锥状表面中的每个锥状表面包含第一区域和第二区域，所述第一区域具有第一曲率，所述第二区域具有第二曲率，且所述第一曲率不同于所述第二曲率。

16.根据权利要求15所述的半导体衬底处理装置，其中所述第一区域包含圆锥表面，且其中所述第二区域包含锥状的、非圆锥表面。

17.根据权利要求16所述的半导体衬底处理装置，其中所述圆锥表面与恒定斜率和恒定仰角相关。

18.根据权利要求16所述的半导体衬底处理装置，其中所述圆锥表面包含圆锥切口，所述圆锥切口包含具有共同中心轴的多个部分同心圆，以及

19.根据权利要求16所述的半导体衬底处理装置，其中所述多个锥状表面中的每个锥状表面还包含设置在所述第一区域和所述第二区域之间的第一混合区域。

20.根据权利要求19所述的半导体衬底处理装置，其中所述多个锥状表面中的每个锥状表面还包含环绕所述锥状表面的所述入口端口设置的第二混合区域。

技术总结气体输送装置包含入口部分及出口部分。入口部分可包含配置成从气体源接收气体的多个入口端口。入口部分还可包含与多个入口端口相关的相应的多个锥状表面。多个锥状表面中的每个锥状表面环绕多个入口端口的相应的入口端口。出口部分可配置成将气体输送至处理室的气体喷头。多个锥状表面中的每个锥状表面可包含第一区域及第二区域。第一区域与第一曲率相关。第二区域与第二曲率相关。第一曲率可以不同于第二曲率。技术研发人员：达娜厄·尼科尔·凯,托马斯·马克·普拉特,马修·帕尔默·关受保护的技术使用者：朗姆研究公司技术研发日：技术公布日：2024/8/5