金属氧化物纳米粒子及其制备方法和包含其的发光器件与流程

本公开的实施方式涉及金属氧化物纳米粒子、其制备方法以及包含金属氧化物纳米粒子的发光器件。

背景技术：

1、发光器件包括阳极、阴极和形成在其间的发射层，通过从阳极注入的空穴和从阴极注入的电子在发射层中结合而产生激子，并且随着激子从激发态降至基态而产生光。

2、发光器件可用低电压驱动，并且可配置为相对轻量且薄的，并且具有优异或合适的特性(诸如视角、对比度和响应速度)，并且因此应用范围正在从个人便携式装置扩展到电视。

3、在本背景技术部分中所公开的上述信息仅用于增强对本公开的背景的理解，并且因此，其可包含不形成适合于本领域普通技术人员的现有技术的信息。

技术实现思路

1、实施方式的各方面涉及金属氧化物纳米粒子、其制备方法以及通过包含金属氧化物纳米粒子而具有改善的发光性质的发光器件。

2、额外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将通过本描述而明显，或者可通过实践所呈现的本公开的实施方式而习得。

3、本公开的实施方式提供金属氧化物纳米粒子，金属氧化物纳米粒子包括由化学式1表示的化合物和定位在化合物的表面上的具有8至18个碳原子的烷基胺(alkyl amine)配体。

4、化学式1

5、znmo

6、在化学式1中，m可为选自ca、zr、al、li、mg、ni、y、w、co和ga之中的一种。

7、金属氧化物纳米粒子的尺寸可为3nm至20nm。

8、金属氧化物纳米粒子(例如，多个金属氧化物纳米粒子)可由选自znmgo、znlio、znalo和zngao之中的一种形成。

9、本公开的实施方式提供znmgo纳米粒子的制备方法，该方法包括：在10℃或更低的温度下利用溶胶-凝胶方法来合成znmgo；以及将胺添加到所合成的znmgo。

10、所制备的znmgo纳米粒子可包括定位在所制备的znmgo纳米粒子(例如，多个znmgo纳米粒子)的表面上的具有8至18个碳原子的烷基胺配体。

11、该方法还可包括：通过将mg添加到所合成的znmgo来执行表面处理。

12、所制备的znmgo纳米粒子(例如，多个znmgo纳米粒子)的尺寸(例如，平均尺寸或直径)可为3nm至20nm。

13、所制备的znmgo纳米粒子的尺寸偏差可在基于所制备的znmgo纳米粒子的中值尺寸值的15％内。

14、通过将胺添加到所合成的znmgo，znmgo纳米粒子的尺寸可增加。

15、本公开的实施方式可包括znmgo纳米粒子的制备方法，该方法包括：在10℃或更低的温度下利用溶胶-凝胶方法来合成zno；通过将mg添加到所合成的zno来获得znmgo；以及将胺添加到所获得的znmgo。

16、所制备的znmgo纳米粒子可包括定位在所制备的znmgo纳米粒子的表面上的具有8至18个碳原子的烷基胺配体。

17、所制备的znmgo纳米粒子的尺寸可为3nm至20nm。

18、所制备的znmgo纳米粒子的尺寸偏差可在基于所制备的znmgo纳米粒子的中值尺寸值的15％内。

19、本公开的实施方式提供发光器件，发光器件包括第一电极、设置在第一电极上的电子传输层、设置在电子传输层上的发射层、设置在发射层上的空穴传输层、以及设置在空穴传输层上的第二电极，其中，电子传输层包括金属氧化物纳米粒子，金属氧化物纳米粒子包括由化学式1表示的化合物和定位在化合物的表面上的具有8至18个碳原子的烷基胺配体。

20、化学式1

21、znmo

22、在化学式1中，m可为选自ca、zr、al、li、mg、ni、y、w、co和ga之中的一种。

23、金属氧化物纳米粒子的尺寸可为3nm至20nm。

24、金属氧化物纳米粒子可由选自znmgo、znlio、znalo和zngao之中的一种形成。

25、包括在电子传输层中的金属氧化物纳米粒子的尺寸偏差在金属氧化物纳米粒子的中值尺寸值的15％内。

26、第一电极可为反射电极，并且第二电极可为透反射电极。

27、第一电极可为透反射电极，并且第二电极可为反射电极。

技术特征：

1.一种金属氧化物纳米粒子，包括：

2.根据权利要求1所述的金属氧化物纳米粒子，其中，所述金属氧化物纳米粒子的尺寸为至少3nm且至多20nm。

3.根据权利要求1所述的金属氧化物纳米粒子，其中，所述金属氧化物纳米粒子由选自znmgo、znlio、znalo和zngao之中的一种构成。

4.一种znmgo纳米粒子的制备方法，所述制备方法包括：

5.根据权利要求4所述的制备方法，其中，所制备的znmgo纳米粒子包括在所制备的znmgo纳米粒子的表面上的具有8至18个碳原子的烷基胺配体。

6.根据权利要求4所述的制备方法，还包括：

7.根据权利要求4所述的制备方法，其中，所制备的znmgo纳米粒子的尺寸为至少3nm且至多20nm。

8.根据权利要求4所述的制备方法，其中，所制备的znmgo纳米粒子的尺寸偏差在基于所制备的znmgo纳米粒子的中值尺寸值的15％内。

9.根据权利要求4所述的制备方法，其中，通过将所述胺添加到所合成的znmgo，所述znmgo纳米粒子的尺寸增加。

10.一种znmgo纳米粒子的制备方法，所述制备方法包括：

11.根据权利要求10所述的制备方法，其中，所制备的znmgo纳米粒子包括在所制备的znmgo纳米粒子的表面上的具有8至18个碳原子的烷基胺配体。

12.根据权利要求10所述的制备方法，其中，所制备的znmgo纳米粒子的尺寸为至少3nm且至多20nm。

13.根据权利要求10所述的制备方法，其中，所制备的znmgo纳米粒子的尺寸偏差在基于所制备的znmgo纳米粒子的中值尺寸值的15％内。

14.根据权利要求10所述的制备方法，其中，通过将所述胺添加到所获得的znmgo，所述znmgo纳米粒子的尺寸增加。

15.一种发光器件，包括：

16.根据权利要求15所述的发光器件，其中，所述金属氧化物纳米粒子的尺寸为至少3nm且至多20nm。

17.根据权利要求15所述的发光器件，其中，所述金属氧化物纳米粒子由选自znmgo、znlio、znalo和zngao之中的一种构成。

18.根据权利要求15所述的发光器件，其中，在所述电子传输层中的所述金属氧化物纳米粒子的尺寸偏差在所述金属氧化物纳米粒子的中值尺寸值的15％内。

19.根据权利要求15所述的发光器件，其中，所述第一电极为反射电极，并且所述第二电极为透反射电极。

20.根据权利要求15所述的发光器件，其中，所述第一电极为透反射电极，并且所述第二电极为反射电极。

技术总结提供了金属氧化物纳米粒子、其制备方法以及包含金属氧化物纳米粒子的发光器件。金属氧化物纳米粒子包括由化学式1表示的化合物和定位在化合物的表面上的具有8至18个碳原子的烷基胺配体：化学式1ZnMO在化学式1中，M可为选自Ca、Zr、Al、Li、Mg、Ni、Y、W、Co和Ga之中的一种。技术研发人员：李秀浩,赵亭镐,高崙赫,郑然九受保护的技术使用者：三星显示有限公司技术研发日：技术公布日：2024/8/16