一种防溢胶的外壳结构及IGBT功率模块的制作方法

本技术涉及功率模块封装，尤其涉及一种防溢胶的外壳结构及igbt功率模块。

背景技术：

1、在34mm模块(igbt模块)封装的灌封工艺中，通常使用硅凝胶类材料对模块内部电路进行灌封，以保持键合线状态、增加介电性能以避免拉弧、防止器件氧化等，硅凝胶未固化前是一种粘度较高的液体，在流动过程中往往会夹入空气产生气泡，气泡如不去除会明显降低上述的效果，实际工艺中往往采用震动和抽真空的方式脱泡。

2、为便于外壳装配，外壳的端子护套与端子之间留有较小缝隙，且为确保端子之间不会击穿，其外壳的端子护套下端没入硅凝胶中，硅凝胶因毛细现象进入端子与外壳之间的缝隙，硅凝胶中的气泡概率性进入该缝隙，在真空脱泡过程中，缝隙内气泡膨胀，会推动气泡壁外的硅凝胶沿着壳体与端子之间的缝隙向外运动，直至硅凝胶从壳体与端子之间的缝隙溢出后气泡破裂，从而产生硅凝胶溢出污染。

技术实现思路

1、针对现有技术中所存在的不足，本实用新型提供了一种防溢胶的外壳结构，其解决了现有技术中存在的在真空脱泡过程中，缝隙内气泡膨胀，会推动气泡壁外的硅凝胶沿着壳体与端子之间的缝隙向外运动，产生硅凝胶溢出污染的问题。

2、根据本实用新型的实施例，一种防溢胶的外壳结构，其包括中空的外壳，所述外壳的中部开设有多个插口和气孔，所述插口内设有与外壳一体成型的端子护套，所述端子护套上设有多个防溢凹槽或防溢孔。

3、优选地，所述端子护套的高度小于外壳的高度。

4、优选地，所述外壳内部上壁设有多个遮挡片并与防溢孔一一对应，所述遮挡片与端子护套之间有一定的间隙，且遮挡片的下端位于防溢孔的下方。

5、优选地，所述防溢凹槽包括第一防溢槽和第二防溢槽，所述第一防溢槽有多个且设置在端子护套的中部，所述第二防溢槽只有一个且设置在端子护套的下端。

6、优选地，所述第一防溢槽为矩形且设置在端子护套外侧壁上，所述第一防溢槽的一侧与端子护套内部相连通。

7、优选地，所述第一防溢槽的下侧壁向端子护套倾斜设置。

8、优选地，所述第二防溢槽为圆柱形且下侧开口，所述端子护套的下端与第二防溢槽的上侧中部连通，所述第二防溢槽的高度与端子护套的高度之和小于外壳的高度。

9、优选地，所述防溢凹槽或防溢孔至少有两个且对称设置。

10、另一方面，本实用新型还提供了一种igbt功率模块，采用上述的防溢胶的外壳结构。

11、优选的，还包括dbc板、键合引线和功率端子，所述外壳通过螺纹或螺栓设置在dbc板的上侧，所述dbc板上侧设置有多个功率芯片，所述功率芯片和dbc板通过键合线连接，所述功率端子通过焊料焊接在dbc板并置于端子护套内。

12、相比于现有技术，本实用新型具有如下有益效果：

13、在真空脱泡过程中，位于端子护套和端子之间的硅凝胶内的气泡膨胀，将硅凝胶沿着端子护套与端子之间的缝隙向外运动，当端子护套的侧壁上开设防溢孔，在硅凝胶会从防溢孔流入外壳中，当气泡经过防溢孔时会直接破裂，避免硅凝胶溢出，当端子护套的侧壁上设置防溢凹槽时，硅凝胶会流入防溢凹槽内或阻止硅凝胶进入缝隙，待气泡被抽出破裂后，硅凝胶便会回流至外壳中，避免硅凝胶溢出。

技术特征：

1.一种防溢胶的外壳结构，其特征在于：包括中空的外壳，所述外壳的中部开设有多个插口和气孔，所述插口内设有与外壳一体成型的端子护套，所述端子护套上设有多个防溢凹槽或防溢孔。

2.如权利要求1所述的一种防溢胶的外壳结构，其特征在于：所述端子护套的高度小于外壳的高度。

3.如权利要求1所述的一种防溢胶的外壳结构，其特征在于：所述外壳内部上壁设有多个遮挡片并与防溢孔一一对应，所述遮挡片与端子护套之间有一定的间隙，且遮挡片的下端位于防溢孔的下方。

4.如权利要求1所述的一种防溢胶的外壳结构，其特征在于：所述防溢凹槽包括第一防溢槽和第二防溢槽，所述第一防溢槽有多个且设置在端子护套的中部，所述第二防溢槽只有一个且设置在端子护套的下端。

5.如权利要求4所述的一种防溢胶的外壳结构，其特征在于：所述第一防溢槽为矩形且设置在端子护套外侧壁上，所述第一防溢槽的一侧与端子护套内部相连通。

6.如权利要求5所述的一种防溢胶的外壳结构，其特征在于：所述第一防溢槽的下侧壁向端子护套倾斜设置。

7.如权利要求4所述的一种防溢胶的外壳结构，其特征在于：所述第二防溢槽为圆柱形且下侧开口，所述端子护套的下端与第二防溢槽的上侧中部连通，所述第二防溢槽的高度与端子护套的高度之和小于外壳的高度。

8.如权利要求4-6任意一项权利要求所述的一种防溢胶的外壳结构，其特征在于：所述第一防溢槽或防溢孔至少有两个且对称设置。

9.一种igbt功率模块，其特征在于，采用权利要求1～8任意一项所述的防溢胶的外壳结构。

10.如权利要求9所述的一种igbt功率模块，其特征在于：还包括dbc板、键合引线和功率端子，所述外壳通过螺纹或螺栓设置在dbc板的上侧，所述dbc板上侧设置有多个功率芯片，所述功率芯片和dbc板通过键合线连接，所述功率端子通过焊料焊接在dbc板并置于端子护套内。

技术总结本技术提供了一种防溢胶的外壳结构及IGBT功率模块，包括中空的外壳，所述外壳的中部开设有多个插口和气孔，所述插口内设有与外壳一体成型的端子护套，所述端子护套上设有多个防溢凹槽或防溢孔。本技术解决了现有技术中存在的在真空脱泡过程中，缝隙内气泡膨胀，会推动气泡壁外的硅凝胶沿着壳体与端子之间的缝隙向外运动，产生硅凝胶溢出污染的问题。技术研发人员：陈尧,李亚君,廖光朝受保护的技术使用者：重庆云潼车芯电子科技有限公司技术研发日：20231226技术公布日：2024/8/21