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一种高方向性宽带耦合器的制作方法

  • 国知局
  • 2024-08-22 14:37:29

本发明涉及耦合器,作为一种器件应用于射频微波领域测试系统中,具体涉及一种高方向性宽带耦合器。

背景技术:

1、定向耦合器是一种无源器件,广泛应用于现代射频微波领域的测试仪器仪表以及其他通信系统中,扮演着十分重要的角色,其作用为将工作频带内的主路输入的射频微波信号按照一定比例耦合到耦合端口输出,对于应用于测试系统中的耦合器,方向性指标至关重要,如何在超宽频带实现较好的方向性一直是定向耦合器研究的重点方向。

2、要实现超宽工作频带的耦合器通常采用渐变的结构设计,也就是由多个耦合单元按照强耦合到弱耦合串接排布,而传统的微带线或者带状线的方式进行设计多采用高频板用作传输介质,而高频板在本身由于介质不完全均匀,高频色散大,随着频率增加耦合器的性能恶化越严重。

技术实现思路

1、本发明针对以上问题,提供一种高方向性宽带耦合器。

2、采用的技术方案是,一种高方向性宽带耦合器,包括耦合器本体,所述耦合器本体上连接有第一连接器、第二连接器、第三连接器和第四连接器,其中所述耦合器本体还包括镀金腔体和镀金盖板,所述镀金盖板能盖于镀金腔体上,所述镀金腔体内设置有第一镀金耦合机构和第二镀金耦合机构;

3、所述第一镀金耦合机构分别与第一连接器和第二连接器连接;

4、所述第二镀金耦合机构分别与第三连接器和第四连接器连接,第二镀金耦合机构与第一镀金耦合机构能耦合,且第二镀金耦合机构与第一镀金耦合机构渐变曲率排布。

5、可选的,第一镀金耦合机构包括第一合金材料薄片镀金电路和第一介质块;

6、所述第一介质块上设置有第一梳状槽,且第一梳状槽在第一介质块呈渐变梳状结构排布;

7、所述第一合金材料薄片镀金电路设于第一介质块上,并靠近第一梳状槽开口处;

8、所述第二镀金耦合机构包括第二合金材料薄片镀金电路和第二介质块;

9、所述第二介质块上设置有第二梳状槽,且第二梳状槽在第二介质块呈渐变梳状结构排布;

10、所述第二合金材料薄片镀金电路设于第二介质块上,并靠近第二梳状槽开口处,且第二合金材料薄片镀金电路与第一合金材料薄片镀金电路相对设置。

11、可选的,第一连接器和第二连接器位于第三连接器和第四连接器上方,所述第一合金材料薄片镀金电路两端分别与第一连接器和第二连接器嵌入式连接;

12、所述第二合金材料薄片镀金电路两端分别与第三连接器和第四连接器嵌入式连接,且第二合金材料薄片镀金电路位于第一合金材料薄片镀金电路的下方。

13、可选的,第一梳状槽在第一介质块呈渐变倾斜向上的梳状结构排布;

14、所述第二梳状槽在第二介质块呈渐变倾斜向下的梳状结构排布;

15、所述第一合金材料薄片镀金电路位于第一介质块上的部分呈倾斜向上;

16、所述第二合金材料薄片镀金电路位于第二介质块上的部分呈倾斜向下。

17、可选的,第一合金材料薄片镀金电路和第二合金材料薄片镀金电路间设置有隔离销钉,且隔离销钉一端从镀金盖板上的穿孔穿出。

18、可选的,镀金腔体内设置有第一台阶和第二台阶,且第一介质块设于第一台阶内,所述第二介质块设于第二台阶内。

19、可选的,第一台阶上设置有第一吸波条,所述第二台阶上设置有第二吸波条。

20、可选的,镀金盖板朝向镀金腔体的一面设置有第一凸阶和第二凸阶,且第一凸阶位置与第一台阶位置相适配,所述第二凸阶位置与第二台阶位置相适配。

21、可选的,第一凸阶上设置有第三吸波条,所述第二凸阶上设置有第四吸波条,所述第一介质块位于第一吸波条和第三吸波条间,所述第二介质块设于第二吸波条和第四吸波条间。

22、可选的,第一吸波条、第二吸波条、第三吸波条和第四吸波条为聚苯乙烯材质。

23、本发明的有益效果至少包括以下之一;

24、1、通过在耦合器内设置呈渐变曲率排布第二镀金耦合机构与第一镀金耦合机构,这样与现有带状线耦合器相比在高频下可达到更高的方向性。

25、2、采用共面波导设计,两个镀金耦合机构间传输介质是空气,空气介质损耗小,相较于传统带状线电路,电路整体损耗更小。

26、3、解决了现有耦合器采用微带线或者带状线的方式进行设计多采用高频板用作传输介质,而高频板在本身由于介质不完全均匀,高频色散大,随着频率增加耦合器的性能恶化越严重的问题。

技术特征:

1.一种高方向性宽带耦合器,包括耦合器本体(1),所述耦合器本体(1)上连接有第一连接器(4)、第二连接器(5)、第三连接器(6)和第四连接器(7),其特征在于,所述耦合器本体(1)还包括镀金腔体(2)和镀金盖板(3),所述镀金盖板(3)能盖于镀金腔体(2)上,所述镀金腔体(2)内设置有第一镀金耦合机构和第二镀金耦合机构;

2.根据权利要求1所述的一种高方向性宽带耦合器,其特征在于,所述第一镀金耦合机构包括第一合金材料薄片镀金电路(8)和第一介质块(10);

3.根据权利要求2所述的一种高方向性宽带耦合器,其特征在于,所述第一连接器(4)和第二连接器(5)位于第三连接器(6)和第四连接器(7)上方,所述第一合金材料薄片镀金电路(8)两端分别与第一连接器(4)和第二连接器(5)嵌入式连接;

4.根据权利要求3所述的一种高方向性宽带耦合器,其特征在于,所述第一梳状槽(13)在第一介质块(10)呈渐变倾斜向上的梳状结构排布;

5.根据权利要求2所述的一种高方向性宽带耦合器,其特征在于,所述第一合金材料薄片镀金电路(8)和第二合金材料薄片镀金电路(9)间设置有隔离销钉(23),且隔离销钉(23)一端从镀金盖板(3)上的穿孔(24)穿出。

6.根据权利要求2所述的一种高方向性宽带耦合器,其特征在于,所述镀金腔体(2)内设置有第一台阶(15)和第二台阶(17),且第一介质块(10)设于第一台阶(15)内,所述第二介质块(11)设于第二台阶(17)内。

7.根据权利要求6所述的一种高方向性宽带耦合器,其特征在于,所述第一台阶(15)上设置有第一吸波条(16),所述第二台阶(17)上设置有第二吸波条(18)。

8.根据权利要求7所述的一种高方向性宽带耦合器,其特征在于,所述镀金盖板(3)朝向镀金腔体(2)的一面设置有第一凸阶(19)和第二凸阶(21),且第一凸阶(19)位置与第一台阶(15)位置相适配,所述第二凸阶(21)位置与第二台阶(17)位置相适配。

9.根据权利要求8所述的一种高方向性宽带耦合器,其特征在于,所述第一凸阶(20)上设置有第三吸波条(20),所述第二凸阶(21)上设置有第四吸波条(22),所述第一介质块(10)位于第一吸波条(16)和第三吸波条(20)间,所述第二介质块(11)设于第二吸波条(18)和第四吸波条(22)间。

10.根据权利要求9所述的一种高方向性宽带耦合器,其特征在于,所述第一吸波条(16)、第二吸波条(18)、第三吸波条(20)和第四吸波条(22)为聚苯乙烯材质。

技术总结本发明涉及耦合器技术领域,具体涉及是一种高方向性宽带耦合器,包括耦合器本体,所述耦合器本体上连接有第一连接器、第二连接器、第三连接器和第四连接器,其中所述耦合器本体还包括镀金腔体和镀金盖板,所述镀金盖板能盖于镀金腔体上,所述镀金腔体内设置有第一镀金耦合机构和第二镀金耦合机构;第一镀金耦合机构分别与第一连接器和第二连接器连接;第二镀金耦合机构分别与第三连接器和第四连接器连接,第二镀金耦合机构与第一镀金耦合机构能耦合,且第二镀金耦合机构与第一镀金耦合机构渐变曲率排布,通过在耦合器内设置呈渐变曲率排布第二镀金耦合机构与第一镀金耦合机构,这样与现有带状线耦合器相比在高频下可达到更高的方向性。技术研发人员:代宇恒,刘畅,王明受保护的技术使用者:成都威频科技有限公司技术研发日:技术公布日:2024/8/20

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