一种Co3B/Ni2B双硬质块体的制备方法与流程

本发明涉及一种双硬质块体的制备方法，具体涉及一种co3b/ni2b双硬质块体的制备方法。

背景技术：

1、高温条件下摩擦磨损及氧化等腐蚀给国民经济带来巨大损失。针对热辊轧机械部件及航海柴油机等用材料之一。在国内内外多采用的“斯太力”合金具有较理想的抗高温磨损腐蚀性能，但是由于其制备成本较高，对国内诸多涉及高温磨损工况的用户及研究者来说，期望得到一种成本较低廉，服役性能又能较好的材料。

技术实现思路

1、本发明的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供了一种co3b/ni2b双硬质块体及其制备方法，该双硬质块体的服役性能较好，且制备成本较低。

2、为达到上述目的，本发明公开了一种co3b/ni2b双硬质块体的制备方法，包括以下步骤：

3、1)将co粉及b粉装入球磨罐中，再进行抽真空后充入氩气，然后球磨混粉；

4、2)将ni2b粉装入球磨罐中，再进行抽真空后充入氩气；

5、3)将球磨罐放入球磨机中球磨，得混合粉，再填充至石墨坩埚中；

6、4)将石墨坩埚放入等离子活化烧结炉中，再在900℃-1000℃下进行真空压力烧结，并保温5-10分钟，然后随炉冷却，得到co3b/ni2b双硬质相块体。

7、步骤1)中co粉与b粉的按摩尔比3:1。

8、步骤1)中co粉及b粉的纯度不低于99％，粒度为50μm-100μm。

9、步骤1)中球磨混粉的时间为3-10小时。

10、步骤2)中ni2b粉的粒度为10-50μm。

11、步骤2)中ni2b粉的质量为co粉与b粉总质量的5-10％。

12、步骤4)中所述真空压力烧结的真空度＜10－1pa，压力为100-300mpa，所述真空压力烧结的升温速度为3-7℃/秒。

13、球磨罐的真空度＜10-1pa。

14、步骤2)中球磨的时间为10-15小时。

15、本发明公开了一种co3b/ni2b双硬质块体，基于所述co3b/ni2b双硬质块体的制备方法制备而成。

16、本发明具有以下有益效果：

17、本发明所述的co3b/ni2b双硬质块体及其制备方法在具体操作时，通过ni2b相，使得块体晶粒愈细小，且耐高温腐蚀的能力较强，每公斤生产成本仅为“斯太力”合金的25-40％，从而可显著节约生产成本。所得co3b/ni2b双硬质块体的组织较致密，而且具有优良的耐高温腐蚀磨损性能，性价比明显高，为替代目前所使用的价格昂贵的“斯太力”合金成为可能。

技术特征：

1.一种co3b/ni2b双硬质块体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的co3b/ni2b双硬质块体的制备方法，其特征在于，步骤1)中co粉与b粉的按摩尔比3:1。

3.根据权利要求1所述的co3b/ni2b双硬质块体的制备方法，其特征在于，步骤1)中co粉及b粉的纯度不低于99％，粒度为50μm-100μm。

4.根据权利要求1所述的co3b/ni2b双硬质块体的制备方法，其特征在于，步骤1)中球磨混粉的时间为3-10小时。

5.根据权利要求1所述的co3b/ni2b双硬质块体的制备方法，其特征在于，步骤2)中ni2b粉的粒度为10-50μm。

6.根据权利要求1所述的co3b/ni2b双硬质块体的制备方法，其特征在于，步骤2)中ni2b粉的质量为co粉与b粉总质量的5-10％。

7.根据权利要求1所述的co3b/ni2b双硬质块体的制备方法，其特征在于，步骤4)中所述真空压力烧结的真空度＜10－1pa，压力为100-300mpa，所述真空压力烧结的升温速度为3-7℃/秒。

8.根据权利要求1所述的co3b/ni2b双硬质块体的制备方法，其特征在于，球磨罐的真空度＜10-1pa。

9.根据权利要求1所述的co3b/ni2b双硬质块体的制备方法，其特征在于，步骤2)中球磨的时间为10-15小时。

10.一种co3b/ni2b双硬质块体，其特征在于，基于权利要求1-9任一项所述co3b/ni2b双硬质块体的制备方法制备而成。

技术总结本发明公开了一种Co<subgt;3</subgt;B/Ni<subgt;2</subgt;B双硬质块体的制备方法，包括下述步骤：1)将Co粉及B粉装入球磨罐中，再进行抽真空后充入氩气，然后球磨混粉；2)将Ni<subgt;2</subgt;B粉装入球磨罐中，再进行抽真空后充入氩气；3)将球磨罐放入球磨机中球磨，得混合粉，再填充至石墨坩埚中；4)将石墨坩埚放入等离子活化烧结炉中，再在900℃‑1000℃下进行真空压力烧结，并保温5‑10分钟，然后随炉冷却，得到Co<subgt;3</subgt;B/Ni<subgt;2</subgt;B双硬质相块体，该双硬质块体的服役性能较好，且制备成本较低。技术研发人员：吴晓俊,侯召堂,殷尊,王彩侠,张芮受保护的技术使用者：西安热工研究院有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/2