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显示器件及其制作方法、显示装置与流程

  • 国知局
  • 2024-09-05 14:45:12

本公开涉及显示,特别涉及一种显示器件及其制作方法、显示装置。

背景技术:

1、通过近年来的不断发展,以gan为基础的发光二极管(light emitting diode,led)器件已经实现市场化,尤其是mini/micro led用于显示等领域。在显示等领域,基于led的显示器件要求具有更高的分辨率以及ppi(每英寸像素数量,pixels per inch)来达到更好的显示画质。

2、除此之外,如何提高基于led的显示器件的出光效率是目前亟待解决的技术问题。

技术实现思路

1、本公开实施例提供了一种显示器件及其制作方法、显示装置。所述技术方案如下:

2、一方面,提供了一种显示器件,所述显示器件包括:多个发光单元、平坦化层、粘性层、光刻胶层和多个透镜;

3、所述平坦化层位于所述多个发光单元之间,所述粘性层覆盖所述多个发光单元和所述平坦化层的一面,且所述粘性层位于所述光刻胶层和所述平坦化层之间,所述光刻胶层具有多个通孔,所述多个通孔与所述多个发光单元对应布置,所述多个透镜分别布置在所述多个通孔中。

4、可选地,所述通孔为台状通孔,所述台状通孔较小的底面朝向所述发光单元。

5、可选地,所述通孔为圆台形。

6、可选地,所述透镜的材料为光敏胶、聚二甲基硅氧烷pdms、聚甲基丙烯酸甲酯pmma或石英。

7、另一方面,提供了一种显示装置,所述显示装置包括如前任一项所述的显示器件。

8、另一方面,提供了一种显示器件制作方法,所述方法包括:

9、在临时衬底上依次形成光刻胶层和粘性层;

10、将多个发光单元转移到所述粘性层;

11、制作平坦化层,所述平坦化层位于所述多个发光单元之间;

12、去除所述临时衬底,所述粘性层覆盖所述多个发光单元和所述平坦化层的一面,且所述粘性层位于所述光刻胶层和所述平坦化层之间;

13、在所述光刻胶层制作多个通孔,所述多个通孔与所述多个发光单元对应布置;

14、在所述多个通孔中分别制作多个透镜。

15、可选地,在所述多个通孔中分别制作多个透镜,包括:

16、在所述光刻胶层上形成一层透光材料层;

17、对所述透光材料层进行图形化,得到位于所述多个通孔中的多个材料块;

18、将所述多个材料块的顶面处理成弧面,得到所述多个透镜。

19、可选地,所述透光材料层为的材料为光敏胶、pdms、pmma或石英。

20、可选地,所述方法还包括:

21、在形成所述光刻胶层之前,采用六甲基二硅氮烷hdms处理所述临时衬底。

22、可选地,所述方法还包括:

23、在制作所述平坦化层之后,在所述平坦化层远离所述粘性层的另一面制作电极结构,所述电极结构包括焊盘以及引线,所述引线连接所述焊盘和所述发光单元的电极。

24、在本公开实施例提供的显示器件中,多个发光单元负责出光显示,平坦化层和粘性层负责将多个发光单元固定组成显示器件。在光刻胶层开设通孔并设置透镜,可以改善显示器件光路,增加发光亮度及效率。另外,相比于相关技术中的显示器件,该结构的显示器件去掉了衬底结构,避免衬底结构吸光,增加了发光亮度及效率。

技术特征:

1.一种显示器件,其特征在于,所述显示器件包括:多个发光单元(101)、平坦化层(102)、粘性层(103)、光刻胶层(104)和多个透镜(105);

2.根据权利要求1所述的显示器件,其特征在于,所述通孔(140)为台状通孔,所述台状通孔较小的底面朝向所述发光单元(101)。

3.根据权利要求2所述的显示器件,其特征在于,所述通孔(140)为圆台形。

4.根据权利要求1至3任一项所述的显示器件,其特征在于,所述透镜(105)的材料为光敏胶、聚二甲基硅氧烷pdms、聚甲基丙烯酸甲酯pmma或石英。

5.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求1至4任一项所述的显示器件。

6.一种显示器件制作方法,其特征在于,所述方法包括:

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,在所述多个通孔中分别制作多个透镜,包括:

8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述透光材料层为的材料为光敏胶、pdms、pmma或石英。

9.根据权利要求6至8任一项所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

10.根据权利要求6至8任一项所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

技术总结本公开提供了一种显示器件及其制作方法、显示装置,属于显示技术领域。所述显示器件包括:多个发光单元、平坦化层、粘性层、光刻胶层和多个透镜;所述平坦化层位于所述多个发光单元之间,所述粘性层覆盖所述多个发光单元和所述平坦化层的一面,且所述粘性层位于所述光刻胶层和所述平坦化层之间,所述光刻胶层具有多个通孔,所述多个通孔与所述多个发光单元对应布置,所述多个透镜分别布置在所述多个通孔中。技术研发人员:刘昭宇,宋玉华,张威受保护的技术使用者:京东方华灿光电(浙江)有限公司技术研发日:技术公布日:2024/9/2

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