一种光刻剥离方法

本发明涉及半导体，尤其涉及一种光刻剥离方法。

背景技术：

1、光刻剥离工艺是指一种精细的光刻腐蚀工艺。基片经过涂覆光刻胶、曝光、显影后，以具有一定图形的光刻胶膜为掩模，带胶蒸发所需的金属，然后在去除光刻胶的同时，把胶膜上的金属一起剥离干净，在基片上只剩下原刻出图形的金属。金属剥离工艺的优点是不需要刻蚀工艺可获得金属图形，图形尺寸精确。该工艺可普遍应用于要求精细光刻图形的半导体器件的制造。

2、现有光刻剥离工艺中，一般采用正胶或负胶的单层光刻胶的liftoff制程工艺，存在沾边有残留(如图1中所示)、难于剥离的问题。另外采用“正胶/非感光底胶”的双层光刻胶的liftoff制程工艺，不发生沾边问题，但非感光胶需要从国外进口，价格昂贵。

3、因此，现有技术还有待于进一步的改进和提升。

技术实现思路

1、鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种光刻剥离方法，该光刻剥离方法用于光刻剥离工艺，旨在通过利用正性光刻胶与负性光刻胶联合使用，解决liftoff制程工艺剥离时沾边问题的同时，无需使用从国外进口、价格昂贵的特殊非感光底胶。所述技术方案如下：

2、第一方面，一种光刻剥离方法，其中，包括：

3、在基底一侧的表面制备第一光刻胶层，并对所述第一光刻胶层进行曝光；

4、在所述第一光刻胶层的表面制备第二光刻胶层，并对位于所述第一光刻胶层的非曝光区域的所述第二光刻胶层进行曝光；

5、对曝光后的第二光刻胶层、第一光刻胶层进行显影；

6、将显影后的所述基底进行硬烘，并将硬烘后的所述基底冷却，形成叠层的光刻胶形貌结构；

7、在所述第二光刻胶层远离所述基底的一侧表面制备目标材料层；

8、去除剩余的所述第一光刻胶层和第二光刻胶层，同时剥离覆盖在所述第二光刻胶层远离所述基底一侧的所述目标材料层。

9、以下作为本发明的优选技术方案，但不作为对本发明提供的技术方案的限制，通过以下优选的技术方案，可以更好地达到和实现本发明的目的和有益效果。

10、作为优选的技术方案，所述的光刻剥离方法，其中，所述第一光刻胶层为负性光刻胶，所述第二光刻胶层为正性光刻胶。

11、作为优选的技术方案，所述的光刻剥离方法，其中，所述第二光刻胶层经过显影后的相邻光刻胶图形变化差满足l>0.1um。

12、作为优选的技术方案，所述的光刻剥离方法，其中，所述第一光刻胶层的厚度小于所述第二光刻胶层的厚度。

13、作为优选的技术方案，所述的光刻剥离方法，其中，所述分步去除剩余的所述第一光刻胶层和第二光刻胶层包括采用湿法显影工艺，先去除剩余的所述第二光刻胶层；采用干法显影工艺，再去除剩余的所述第一光刻胶层。

14、作为优选的技术方案，所述的光刻剥离方法，其中，所述第一光刻胶层的非曝光区域大于所述第二光刻胶层的曝光区域。

15、有益效果：与现有技术相比，本发明在基底的一侧制备第一光刻胶层并曝光，接着在所述第一光刻胶层的表面制备第二光刻胶层并曝光，经过曝光显影，形成叠层的光刻胶形貌结构，在制备目标材料层后去除剩余的光刻胶同时剥离位于所述光刻胶远离所述衬底一侧的所述目标材料层；通过先去除剩余的第二光刻胶层以及其上的目标材料层，接着去除剩余的第一光刻材料层，从而很好的解决了沾边、难剥离的技术问题。

技术特征：

1.一种光刻剥离方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的光刻剥离方法，其特征在于，所述第一光刻胶层为负性光刻胶，所述第二光刻胶层为正性光刻胶。

3.根据权利要求1所述的光刻剥离方法，其特征在于，所述第二光刻胶层经过显影后的相邻光刻胶图形变化差满足l>0.1um。

4.根据权利要求1所述的光刻剥离方法，其特征在于，所述第一光刻胶层的厚度小于所述第二光刻胶层的厚度。

5.根据权利要求1所述的光刻剥离方法，其特征在于，所述分步去除剩余的所述第一光刻胶层和第二光刻胶层包括采用湿法显影工艺，先去除剩余的所述第二光刻胶层；采用干法显影工艺，再去除剩余的所述第一光刻胶层。

6.根据权利要求1所述的光刻剥离方法，其特征在于，所述第一光刻胶层的非曝光区域大于所述第二光刻胶层的曝光区域。

技术总结本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种光刻剥离方法，该方法包括在基底的一侧依次制备出负胶层和正胶层，制备的过程中分别对负胶层和正胶层进行曝光，然后进行显影、烘烤等处理，得到叠层的光刻胶形貌结构，再进行目标材料层的制备，分步去除剩余的所述第一光刻胶层和第二光刻胶层，同时剥离覆盖在所述第二光刻胶层远离所述基底一侧的所述目标材料层。本发明通过先去除剩余的第二光刻胶层以及其上的目标材料层，接着去除剩余的第一光刻材料层，从而很好的解决了沾边、难剥离的技术问题。技术研发人员：王序进,郭登极,许佼,刘宇航,郭镇斌受保护的技术使用者：深圳大学技术研发日：技术公布日：2024/9/12