基板处理方法和基板处理装置与流程

本公开涉及一种基板处理方法和基板处理装置。

背景技术：

1、以往，已知有一种用例如包含氢氟酸的蚀刻液来蚀刻形成于半导体晶圆等基板的硅氧化膜的技术(参照专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开平8-31794号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、本公开提供一种在蚀刻包括膜厚不同的多个硅氧化膜的层叠膜的技术中能够降低每个硅氧化膜的蚀刻速率的偏差的技术。

3、用于解决问题的方案

4、基于本公开的一个方式的基板处理方法包括准备基板的工序、以及进行基板的蚀刻处理的工序。在准备基板的工序中，准备具有层叠膜的基板，该层叠膜包括膜厚不同的多个硅氧化膜。在进行基板的蚀刻处理的工序中，用添加了盐酸的蚀刻液进行基板的蚀刻处理。

5、发明的效果

6、根据本公开，在蚀刻包括膜厚不同的多个硅氧化膜的层叠膜的技术中能够降低每个硅氧化膜的蚀刻速率的偏差。

技术特征：

1.一种基板处理方法，包括以下工序：

2.一种基板处理方法，包括以下工序：

3.一种基板处理方法，包括以下工序：

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理方法，其中，

5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，

6.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理方法，其中，

7.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理方法，其中，

8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其中，

9.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

10.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，

11.根据权利要求10所述的基板处理方法，其中，

12.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

13.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，

14.根据权利要求13所述的基板处理方法，其中，

15.根据权利要求3、13、14中的任一项所述的基板处理方法，其中，

16.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，

17.一种基板处理装置，具备：

18.一种基板处理装置，具备：

19.一种基板处理装置，具备：

技术总结基板处理方法包括准备基板的工序、以及进行基板的蚀刻处理的工序。在准备基板的工序中，准备具有层叠膜的基板，该层叠膜包括膜厚不同的多个硅氧化膜。在进行基板的蚀刻处理的工序中，用添加了盐酸的蚀刻液进行基板的蚀刻处理。技术研发人员：吉田祐希受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社技术研发日：技术公布日：2024/9/12