功率放大器的制作方法

本公开涉及一种功率放大器。

背景技术：

1、随着通信标准的演进，无线通信系统已经采用了各种数字调制技术和数字解调技术。现有的cdma(码分多址)通信系统采用qpsk(正交相移键控)技术，并且根据ieee通信标准的无线lan(局域网)采用ofdm(正交频分复用)技术。此外，作为3gpp(第三代合作伙伴计划)标准的lte(长期演进)和进阶lte(lte advanced)正在采用qpsk、qam(正交振幅调制)和ofdm技术。这些无线通信标准使用线性调制方案，在线性调制方案中，在传输期间需要保持传输信号的幅度或相位。

2、另一方面，在最近的6ghz以下(sub-6ghz)的5g标准中，随着信道带宽的增加，通信系统的线性度变得越来越重要。此外，将要包括在通信系统中的功率放大器已需要高输出功率。因此，功率放大器的与输出功率相关的线性度已经变得更加重要。

技术实现思路

1、提供本技术实现要素：以按照简化的形式介绍所选择的构思，并在以下具体实施方式中进一步描述这些构思。本发明内容既不意在明确所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。

2、在一个总体方面，一种功率放大器包括：第一功率晶体管，被配置为放大输入射频(rf)信号，并且输出放大的输入rf信号作为输出rf信号；第一晶体管，包括被配置为将第一偏置电流提供到所述第一功率晶体管的第一端子；以及第一线性化电路，连接在所述第一功率晶体管的输出所述输出rf信号的端子和所述第一晶体管的所述第一端子之间，并且所述第一线性化电路被配置为将所述输出rf信号的一部分耦合到所述第一晶体管的所述第一端子。

3、所述功率放大器还可包括：第二功率晶体管，被配置为放大所述第一功率晶体管的所述输出rf信号；第二晶体管，包括被配置为将第二偏置电流提供到所述第二功率晶体管的第一端子；以及第二线性化电路，连接在所述第一功率晶体管的输入所述输入rf信号的端子和所述第二晶体管的所述第一端子之间，并且所述第二线性化电路被配置为将所述输入rf信号的一部分耦合到所述第二晶体管的所述第一端子。

4、所述第一线性化电路可包括电容器，所述电容器连接在所述第一功率晶体管的输出所述输出rf信号的所述端子和所述第一晶体管的所述第一端子之间。

5、所述第一线性化电路还可包括电阻器，所述电阻器与所述电容器串联连接在所述第一功率晶体管的输出所述输出rf信号的所述端子和所述第一晶体管的所述第一端子之间。

6、所述第一线性化电路还可包括电感器，所述电感器与所述电容器串联连接在所述第一功率晶体管的输出所述输出rf信号的所述端子和所述第一晶体管的所述第一端子之间。

7、所述功率放大器还可包括连接在所述第一晶体管的所述第一端子和所述第一功率晶体管的输入端子之间的电阻器。

8、所述功率放大器还可包括连接在所述第一晶体管的基极和地之间的电容器，其中，所述第一晶体管的所述第一端子可以是所述第一晶体管的发射极。

9、在另一总体方面，一种功率放大器包括：第一功率晶体管，被配置为放大输入射频(rf)信号，并且输出放大的输入rf信号作为输出rf信号；第一偏置电路，被配置为生成用于使所述第一功率晶体管偏置的第一偏置电流，并且所述第一偏置电路包括从其输出所述第一偏置电流的第一端子；第二功率晶体管，被配置为放大所述输出rf信号；第二偏置电路，被配置为生成用于使所述第二功率晶体管偏置的第二偏置电流，并且所述第二偏置电路包括从其输出所述第二偏置电流的第一端子；以及第一线性化电路，包括连接到所述第一功率晶体管的输出所述输出rf信号的端子的输入端子，并且所述第一线性化电路被配置为耦合所述输出rf信号的一部分，其中，所述第一线性化电路还被配置为：在第一功率模式下，将耦合的所述输出rf信号提供到所述第一偏置电路的所述第一端子，并且在第二功率模式下，将耦合的所述输出rf信号提供到所述第二偏置电路的所述第一端子。

10、所述功率放大器还可包括第二线性化电路，所述第二线性化电路包括连接到所述第一功率晶体管的输入所述输入rf信号的端子的输入端子，并且所述第二线性化电路被配置为耦合所述输入rf信号的一部分，其中，所述第二线性化电路还被配置为：在所述第一功率模式下，将耦合的所述输入rf信号提供到所述第二偏置电路的所述第一端子，并且在所述第二功率模式下，将耦合的所述输入rf信号提供到所述第一偏置电路的所述第一端子。

11、所述第一功率晶体管在所述第一功率模式下的所述输入rf信号的输入功率可低于所述第一功率晶体管在所述第二功率模式下的所述输入rf信号的输入功率。

12、所述功率放大器还可包括：第一开关，连接在所述第一线性化电路的输出端子和所述第一偏置电路的所述第一端子之间；第二开关，连接在所述第一线性化电路的所述输出端子和所述第二偏置电路的所述第一端子之间；第三开关，连接在所述第二线性化电路的输出端子和所述第二偏置电路的所述第一端子之间；以及第四开关，连接在所述第二线性化电路的所述输出端子和所述第一偏置电路的所述第一端子之间。

13、所述第一开关和所述第三开关可被配置为在所述第一功率模式下接通，并且所述第二开关和所述第四开关可被配置为在所述第一功率模式下断开，并且所述第二开关和所述第四开关还可被配置为在所述第二功率模式下接通，并且所述第一开关和所述第三开关还可被配置为在所述第二功率模式下断开。

14、所述功率放大器还可包括：第一电阻器，连接在所述第一偏置电路的所述第一端子和所述第一功率晶体管的输入端子之间；以及第二电阻器，连接在所述第二偏置电路的所述第一端子和所述第二功率晶体管的输入端子之间。

15、所述第一偏置电路可包括第一晶体管，并且所述第一晶体管的发射极可以是所述第一偏置电路的所述第一端子，并且所述第二偏置电路可包括第二晶体管，并且所述第二晶体管的发射极可以是所述第二偏置电路的所述第一端子。

16、在另一总体方面，一种功率放大器包括：第一功率晶体管，包括输入端子和输出端子，所述第一功率晶体管的所述输入端子被配置为接收输入射频(rf)信号，并且所述第一功率晶体管被配置为放大所述输入rf信号并且从所述第一功率晶体管的所述输出端子输出放大的输入rf信号作为输出rf信号；第一晶体管，包括被配置为将第一偏置电流提供到所述第一功率晶体管的第一端子；以及第一线性化电路，连接在所述第一功率晶体管的所述输出端子和所述第一晶体管的所述第一端子之间，并且所述第一线性化电路被配置为：随着所述第一功率晶体管的所述输出rf信号的输出功率增大，基于所述第一功率晶体管的所述输出rf信号来补偿所述第一功率晶体管的所述输入端子的电压的下降。

17、所述第一线性化电路还可被配置为通过将所述第一功率晶体管的所述输出rf信号的一部分耦合到所述第一晶体管的所述第一端子来补偿所述第一功率晶体管的所述输入端子的所述电压的所述下降。

18、所述功率放大器还可包括：第二功率晶体管，包括输入端子和输出端子，所述第二功率晶体管的所述输入端子被配置为接收所述第一功率晶体管的所述输出rf信号，并且所述第二功率晶体管被配置为放大所述第一功率晶体管的所述输出rf信号，并且从所述第二功率晶体管的所述输出端子输出放大的输出rf信号作为最终输出rf信号；第二晶体管，包括被配置为将第二偏置电流提供到所述第二功率晶体管的第一端子；以及第二线性化电路，连接在所述第一功率晶体管的所述输入端子和所述第二晶体管的所述第一端子之间，并且所述第二线性化电路被配置为：随着所述第二功率晶体管的输出功率增大，基于所述第一功率晶体管的所述输入rf信号来补偿所述第二功率晶体管的所述输入端子的电压的下降。

19、所述第二线性化电路还可被配置为通过将所述第一功率晶体管的所述输入rf信号的一部分耦合到所述第二晶体管的所述第一端子来补偿所述第二功率晶体管的所述输入端子的所述电压的所述下降。

20、所述功率放大器还可包括：第一开关，连接在所述第一线性化电路的输出端子和所述第一晶体管的所述第一端子之间；第二开关，连接在所述第一线性化电路的所述输出端子和所述第二晶体管的所述第一端子之间；第三开关，连接在所述第二线性化电路的输出端子和所述第二晶体管的所述第一端子之间；以及第四开关，连接在所述第二线性化电路的所述输出端子和所述第一晶体管的所述第一端子之间。

21、所述第一开关和所述第三开关可被配置为在第一功率模式下接通，并且所述第二开关和所述第四开关可被配置为在所述第一功率模式下断开，所述第二开关和所述第四开关还可被配置为在第二功率模式下接通，所述第一开关和所述第三开关还可被配置为在所述第二功率模式下断开，并且所述第一功率晶体管在所述第一功率模式下的所述输入rf信号的输入功率可低于所述第一功率晶体管在所述第二功率模式下的所述输入rf信号的输入功率。

22、通过下面的具体实施方式和附图，其他特征和方面将是易于理解的。