存储器的读取方法与流程

本公开总体上涉及电子设备的领域，并且更具体地涉及存储器设备及其读取方法。

背景技术：

1、在计算机科学中，存储器寻址是已存储的数据被访问的方式。存储器地址是整数，该整数指定存储器的特定区域，或者仅指定区域的开始。大多数情况下，数据可以被读取或写入。存储器设备可以是用于工作的易失性(随机存取存储器)，或者用于存储的非易失性(非易失性存储器)。

2、本公开解决了用于读取存储器设备的已知方法的缺点中的全部或一些。

技术实现思路

1、一个实施例提供了一种读取存储器设备中的字的方法，其中字被包括在能够由存储器设备读取的字的第一集合中，其中第一集合中的每个字包括至少一个字节的数据，每个字被包含在存储器单元中，该方法包括预充电步骤，字的第一集合和至少第二集合在该预充电步骤期间被预充电，第一集合和第二集合的每个单元的第一端子在预充电步骤期间被浮置。

2、根据实施例，要被读取的字由具有第一部分、第二部分以及第三部分的地址指定，包括第一部分和第二部分的部分地址指示第一集合，包括第一部分的部分地址指示字的第一集合和第二集合，该方法包括：

3、a.接收第一部分；

4、b.对字的第一集合和第二集合进行预充电，与所述字相对应的单元中的每个单元的第一端子被浮置；

5、c.接收第二部分；

6、d.仅维持对字的第一集合的预充电；

7、e.读取字的第一集合；

8、f.接收第三部分；以及

9、g.从所读取的集合确定所寻址的字。

10、根据实施例，地址包括行坐标和列坐标。

11、根据实施例，第一部分至少包括行坐标。

12、根据实施例，第一部分包括地址的最高有效位并且第三部分包括地址的最低有效位。

13、根据实施例，第二部分仅包括一位。

14、根据实施例，在步骤e和步骤d期间，在接收到第二部分的每一位时，仅对地址以已知的部分地址开始的字的预充电被维持。

15、根据实施例，预充电包括：向经预充电的单元的第二端子施加第一预充电电压值。

16、根据一个实施例，在步骤e中，电压在每个单元的第二端子处不再被维持，并且每个单元的值通过经预充电的单元的第二端子上的电压或电流相对于第一值的变化而确定。

17、根据实施例，每个单元的第一端子通过晶体管被耦合到参考电压，该晶体管在预充电期间不导通并且在字的读取期间导通。

18、根据实施例，每个字的预充电电压由感测放大器提供。

19、根据实施例，每个感测放大器对在步骤e处读取的至少两个字进行预充电。

20、另一实施例提供了一种包括感测放大器的存储器设备，其中放大器包括第一反相器，其中反相器的输入和输出被耦合到第一晶体管，第一晶体管被配置为在存储器单元的预充电的步骤期间导通。

21、另一实施例提供了一种控制包括感测放大器的存储器设备的方法，其中放大器包括第一反相器，其中反相器的输入和输出被耦合到第一晶体管，该方法包括：在存储器单元的预充电的步骤期间使第一晶体管导通。

22、根据实施例，放大器包括nand逻辑门，nand逻辑门具有耦合到第一反相器的输出的第一输入以及耦合到第一电压的施加节点的第二输入，逻辑门的输出被耦合到放大器的输出。

23、根据实施例，第一电压被配置为在预充电步骤期间等于第二参考电压，并且在存储器单元的读取的步骤期间等于第三供电电压。

24、根据实施例，放大器包括串联耦合在第三供电电压的施加节点与第二参考电压的施加节点之间的第二晶体管和第三晶体管，其中第二晶体管与第三晶体管之间的中点被耦合到第一反相器的输入。

25、根据实施例，放大器包括串联耦合在第三供电电压的施加节点与存储器单元的端子之间的第四晶体管和第五晶体管，其中第四晶体管是二极管连接的，第四晶体管的控制端子被耦合到第二晶体管的控制端子。

26、根据实施例，放大器包括串联耦合在存储器单元的端子与第二参考电压的施加节点之间的第六晶体管和第七晶体管。

27、根据实施例，通过第二晶体管和第三晶体管的电流基本上相等，并且取决于通过第六晶体管的电流。

28、根据实施例，该设备被配置为使得在预充电步骤期间，第一电压等于第二参考电压并且第一晶体管的控制端子和第七晶体管的控制端子至少等于第三供电电压。

29、根据实施例，该设备被配置为使得在读取步骤期间，第一电压等于第三供电电压并且第一晶体管的控制端子和第七晶体管的控制端子等于第二参考电压。

30、根据实施例，第一反相器被配置为由施加在第一反相器的第一端子和第二端子之间的第四电压来供电，其中第四电压不同于第三供电电压。

31、根据实施例，第四电压在预充电步骤期间具有第一值，并且在不处于预充电步骤时具有第二值。

32、根据实施例，该设备包括生成第四电压的生成电路，其中该生成电路包括第一输出端子和第二输出端子，第一输出端子被配置为耦合到第一反相器的第一端子，第二输出端子被配置为耦合到第一反相器的第二端子，其中第一输出端子通过并联耦合的第一电阻器和第八晶体管被耦合到第三供电电压的施加节点，并且第二输出端子通过并联耦合的第二电阻器和第九晶体管被耦合到第二参考电压的施加节点，其中该生成电路还包括耦合到第七晶体管的控制电压的施加节点的输入端子，该输入端子被耦合到第八晶体管的控制端子并且通过第二反相器被耦合到第九晶体管的控制端子。

技术特征：

1.一种读取存储器设备中的字的方法，其中所述字被包括在能够由所述存储器设备读取的字的第一集合中，其中所述第一集合中的每个字包括至少一个字节的数据，每个字被包含在存储器单元中，所述方法包括预充电步骤，所述字的所述第一集合和至少第二集合在所述预充电步骤期间被预充电，所述第一集合和所述第二集合的每个单元的第一端子在所述预充电步骤期间被浮置。

2.根据权利要求1所述的方法，其中要被读取的所述字由具有第一部分、第二部分以及第三部分的地址指定，包括所述第一部分和所述第二部分的部分地址指示所述第一集合，包括所述第一部分的部分地址指示所述字的所述第一集合和所述第二集合，所述方法包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述地址包括行坐标和列坐标。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一部分至少包括所述行坐标。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一部分包括一个或多个最高有效位，并且所述第三部分包括所述地址的一个或多个最低有效位。

6.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二部分仅包括一位。

7.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述步骤d和所述步骤e期间，在接收到所述第二部分的每一位时，仅对地址以已知的部分地址开始的所述字的所述预充电被维持。

8.根据权利要求2所述的方法，其中所述预充电包括：向经预充电的所述存储器单元的第二端子施加第一预充电电压值。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述步骤e中，所述第一预充电电压值在每个存储器单元的所述第二端子处不再被维持，并且每个存储器单元的所述值由经预充电的所述存储器单元的所述第二端子上的电压或电流相对于所述第一预充电值的变化而确定。

10.根据权利要求1所述的方法，其中每个存储器单元的所述第一端子通过晶体管被耦合到参考电压，所述晶体管在所述预充电期间不导通，并且在所述字的所述读取期间导通。

11.根据权利要求1所述的方法，其中每个字的预充电电压由感测放大器提供。

12.根据权利要求2所述的方法，其中感测放大器对在步骤e处读取的至少两个字进行预充电。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述感测放大器对在步骤e处读取的至少两个字进行预充电。

技术总结本公开的实施例涉及存储器的读取方法。本公开涉及一种读取存储器设备中的字的方法，其中该字被包括在能够由存储器设备读取的字的第一集合中，第一集合中的每个字包括至少一个字节的数据，每个字被包含在存储器单元中，该方法包括预充电步骤，字的第一集合和至少第二集合在预充电步骤期间被预充电，第一集合和第二集合的每个单元的第一端子在预充电步骤期间被浮置。技术研发人员：C·贡卡尔维斯,M·巴蒂斯塔,F·塔耶特受保护的技术使用者：意法半导体国际公司技术研发日：技术公布日：2024/9/12