植入物的制作方法

植入物，诸如颅面植入物，其通过熔合或至少部分地熔合颗粒而形成。

背景技术：

1、通过熔合或至少部分地熔合颗粒而形成的诸如颅面植入物的植入物在现有技术中是已知的，然而，在本领域中仍有改进的空间。本专利描述了改进的植入物，包括改进的颅面植入物。

技术实现思路

1、本专利描述了改进的植入物，包括具有植入物本体的改进的颅面植入物，该植入物本体由至少部分地熔合的颗粒形成，该至少部分地熔合的颗粒以这样的方式形成，即植入物具有跨越其厚度的可变的平均孔隙尺寸，其中植入物的一个表面具有的平均孔隙尺寸比在相对侧部上的孔隙的大。这样的植入物可呈现出优于现有技术的植入物(包括现有技术的烧结植入物)的若干个优点。例如，在一些实施方式中，表面之间的不同的平均孔隙尺寸可使植入物功能化，使得一个表面被优化成用于促进组织向内生长，而另一个表面阻止组织向内生长。在这些和其它实施方式中，不同的平均孔隙尺寸增强植入物的机械性能，允许比过去已经实现的烧结植入物更坚固、更薄的烧结植入物。

2、在一个示例中，植入物包括由许多至少部分地熔合的颗粒形成的植入物本体，该植入物本体具有第一外表面和与第一表面相对的第二外表面；在第一表面处的颗粒限定第一平均孔隙尺寸，并且在第二表面处的颗粒限定第二平均孔隙尺寸；并且第一平均孔隙尺寸比第二平均孔隙尺寸大。

3、在该示例中，植入物可为颅面植入物。

4、在该示例中，第一表面可为组织向内生长表面，并且第二表面可为面向硬脑膜表面。

5、在该示例中，面向硬脑膜表面可为组织向内生长屏障。

6、在该示例中，第一表面和第二表面两者均可为至少部分地弯曲的。

7、在该示例中，植入物还可包括凸缘，该凸缘从植入物本体延伸并由至少部分地熔合的颗粒形成，该凸缘具有第一凸缘表面和与第一表面相对的第二凸缘表面；在第一凸缘表面处的颗粒限定第一平均凸缘孔隙尺寸，并且在第二凸缘表面处的颗粒限定第二平均凸缘孔隙尺寸；并且第一平均凸缘孔隙尺寸比第二平均凸缘孔隙尺寸大。

8、在该示例中，凸缘厚度(第一凸缘表面和第二凸缘表面之间的厚度)可小于1mm。

9、在该示例中，植入物本体可比凸缘厚。

10、在该示例中，凸缘可构造成接纳并保持紧固件。

11、在该示例中，植入物可限定第一表面和第二表面之间的孔隙率梯度。

12、在该示例中，第一平均孔隙尺寸可比第二平均孔隙尺寸大至少100μm。

13、在该示例中，在第一表面和第二表面之间的中间水平处的平均孔隙尺寸可比在第一表面处的第一平均孔隙尺寸小，并且比在第二表面处的第二平均孔隙尺寸大。

14、在另一个示例中，植入物包括：弯曲的植入物本体和从植入物本体延伸的凸缘，该凸缘比植入物本体薄，植入物本体和凸缘具有第一外表面和与第一表面相对的第二外表面；植入物本体和凸缘由至少部分地熔合的颗粒形成；在第一表面处的颗粒限定第一平均孔隙尺寸，并且在第二表面处的颗粒限定第二平均孔隙尺寸；第一平均孔隙尺寸比第二平均孔隙尺寸大；第一表面是组织向内生长表面，并且第二表面是组织向内生长屏障。

15、在该示例中，植入物可为颅面植入物。

16、在该示例中，凸缘可构造成接纳并保持紧固件，凸缘厚度小于1mm。

17、在该示例中，植入物可限定第一表面和第二表面之间的孔隙率梯度。

18、在该示例中，第一平均孔隙尺寸可比第二平均孔隙尺寸大至少50μm。

19、在该示例中，第一平均孔隙尺寸可比第二平均孔隙尺寸大至少100μm。

20、在该示例中，第一平均孔隙尺寸可比第二平均孔隙尺寸大至少200μm。

21、在该示例中，在第一表面和第二表面之间的中间水平处的平均孔隙尺寸可比在第一表面处的第一平均孔隙尺寸小，并且比在第二表面处的第二平均孔隙尺寸大。

22、在该示例中，孔隙率梯度可包括在第一表面和第二表面之间的第一水平、第二水平和第三水平处的不同的平均孔隙尺寸，其中第一水平在第一表面和第二水平之间，第二水平在第一水平和第三水平之间，并且第三水平在第二水平和第二表面之间，其中：(i)在第一水平处的平均孔隙尺寸可比在第一表面处的第一平均孔隙尺寸小，并且比在第二水平处的平均孔隙尺寸大；(ii)在第二水平处的平均孔隙尺寸可比在第一水平处的平均孔隙尺寸小，并且比在第三水平处的平均孔隙尺寸大；(iii)在第三水平处的平均孔隙尺寸可比在第二水平处的平均孔隙尺寸小，并且比在第二水平处的第二平均孔隙尺寸大。

23、在另一个示例中，一种制作植入物的方法可包括将颗粒定位在第一加热的模具表面和第二加热的模具表面之间；施加热量和压缩以至少部分地熔合颗粒并形成植入物，使得该植入物具有：(i)植入物本体，该植入物本体由该多个至少部分地熔合的颗粒形成，该植入物本体具有在几何形状上对应于第一加热的模具表面的第一外表面和在几何形状上对应于第二加热的模具表面的第二外表面，该第二外表面与该第一外表面相对；(ii)在第一外表面处的颗粒限定第一平均孔隙尺寸，并且在第二外表面处的颗粒限定第二平均孔隙尺寸；第一平均孔隙尺寸比第二平均孔隙尺寸大。

24、在该示例中，第二加热的模具表面可被加热到比第一加热的模具表面高的温度。

25、在该示例中，第一加热的模具表面和第二加热的模具表面可为弯曲表面。

26、在该示例中，所形成的植入物的第一外表面可为组织向内生长表面，并且所形成的植入物的第二外表面可为组织向内生长屏障。

27、在该示例中，所形成的植入物可限定第一表面和第二表面之间孔隙率梯度。

28、在该示例中，第一平均孔隙尺寸可比第二平均孔隙尺寸大至少50μm。

29、在该示例中，第一平均孔隙尺寸可比第二平均孔隙尺寸大至少100μm。

30、在该示例中，第一平均孔隙尺寸比第二平均孔隙尺寸大至少200μm。

技术特征：

1.一种植入物，包括：

2.根据权利要求1所述的植入物，其中，所述植入物是颅面植入物。

3.根据权利要求1所述的植入物，其中，所述凸缘构造成接纳并保持紧固件，其中，所述凸缘厚度小于1mm。

4.根据权利要求1所述的植入物，其中，所述植入物限定所述第一表面和所述第二表面之间的孔隙率梯度。

5.根据权利要求4所述的植入物，其中，所述第一平均孔隙尺寸比所述第二平均孔隙尺寸大至少50μm。

6.根据权利要求4所述的植入物，其中，所述第一平均孔隙尺寸比所述第二平均孔隙尺寸大至少100μm。

7.根据权利要求4所述的植入物，其中，所述第一平均孔隙尺寸比所述第二平均孔隙尺寸大至少200μm。

8.根据权利要求4所述的植入物，其中，在所述第一表面和所述第二表面之间的中间水平处的平均孔隙尺寸比在所述第一表面处的所述第一平均孔隙尺寸小，并且比在所述第二表面处的所述第二平均孔隙尺寸大。

9.根据权利要求4所述的植入物，其中，所述孔隙率梯度包括在所述第一表面和所述第二表面之间的第一水平、第二水平和第三水平处的不同的平均孔隙尺寸，其中，所述第一水平在所述第一表面和所述第二水平之间，所述第二水平在所述第一水平和所述第三水平之间，并且所述第三水平在所述第二水平和所述第二表面之间，其中：

10.一种植入物，包括：

11.根据权利要求10所述的植入物，其中，所述植入物是颅面植入物。

12.根据权利要求11所述的植入物，其中，所述第一表面是组织向内生长表面，并且其中，所述第二表面是面向硬脑膜表面。

13.根据权利要求12所述的植入物，其中，所述面向硬脑膜表面是组织向内生长屏障。

14.根据权利要求12所述的植入物，其中，所述第一表面和所述第二表面两者均是至少部分地弯曲的。

15.根据权利要求10所述的植入物，还包括凸缘，所述凸缘从所述植入物本体延伸并由所述至少部分地熔合的颗粒形成，所述凸缘具有第一凸缘表面和与所述第一表面相对的第二凸缘表面；

16.根据权利要求15所述的植入物，其中，所述凸缘包括所述第一凸缘表面和所述第二凸缘表面之间的凸缘厚度，其中，所述凸缘厚度小于1mm。

17.根据权利要求15所述的植入物，其中，所述植入物本体比所述凸缘厚。

18.根据权利要求15所述的植入物，其中，所述凸缘构造成接纳并保持紧固件。

19.根据权利要求10所述的植入物，其中，所述植入物限定所述第一表面和所述第二表面之间的孔隙率梯度。

20.根据权利要求19所述的植入物，其中，所述第一平均孔隙尺寸比所述第二平均孔隙尺寸大至少100μm。

21.根据权利要求19所述的植入物，其中，在所述第一表面和所述第二表面之间的中间水平处的平均孔隙尺寸比在所述第一表面处的所述第一平均孔隙尺寸小，并且比在所述第二表面处的所述第二平均孔隙尺寸大。

22.一种制作植入物的方法，所述方法包括：

23.根据权利要求22所述的方法，其中，所述第二加热的模具表面被加热到比所述第一加热的模具表面高的温度。

24.根据权利要求22所述的方法，其中，所述第一加热的模具表面和所述第二加热的模具表面是弯曲表面。

25.根据权利要求22所述的方法，其中，所述形成的植入物的所述第一外表面是组织向内生长表面，并且所述形成的植入物的所述第二外表面是组织向内生长屏障。

26.根据权利要求22所述的方法，其中，所述形成的植入物限定所述第一表面和所述第二表面之间的孔隙率梯度。

27.根据权利要求26所述的方法，其中，所述第一平均孔隙尺寸比所述第二平均孔隙尺寸大至少50μm。

28.根据权利要求26所述的方法，其中，所述第一平均孔隙尺寸比所述第二平均孔隙尺寸大至少100μm。

29.根据权利要求26所述的方法，其中，所述第一平均孔隙尺寸比所述第二平均孔隙尺寸大至少200μm。

技术总结一种植入物(100)可包括弯曲的植入物本体(102)和从植入物本体延伸的凸缘(108)，该凸缘比植入物本体薄，植入物本体和凸缘具有第一外表面(104)和与第一表面相对的第二外表面(106)，其中植入物本体和凸缘由至少部分地熔合的颗粒形成。在第一表面处的颗粒限定第一平均孔隙尺寸，并且在第二表面处的颗粒限定第二平均孔隙尺寸；其中第一平均孔隙尺寸比第二平均孔隙尺寸大。第一表面可为组织向内生长表面，并且第二表面可为组织向内生长屏障。技术研发人员：A·诺布尔,S·琼斯受保护的技术使用者：宝丽富乐有限责任公司技术研发日：技术公布日：2024/9/17