固化性组合物、固化膜和显示装置的制作方法

本发明涉及固化性组合物和由该固化性组合物形成的固化膜、以及包含该固化膜的显示装置。

背景技术：

1、作为用于形成显示装置所包含的波长转换膜等固化膜的固化性树脂组合物，已知有含有量子点等发光性半导体粒子的组合物(专利文献1)。另外，研究了使用包含量子点的油墨组合物利用喷墨法来制造波长转换膜等的方法(专利文献2、3)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2016－71362号公报

5、专利文献2：国际公开第2018/123821号

6、专利文献3：国际公开第2018/123103号

技术实现思路

1、对使用含有半导体粒子的固化性组合物而形成的波长转换膜等固化膜赋予热的情况下，有时会从该固化膜中产生排气(outgas)。排气的产生在形成该固化膜之后的工序中会成为问题，因此希望减少。而且，希望由含有半导体粒子的固化性组合物形成的固化膜即便赋予热也表现出良好的发光特性。

2、本发明的一个目的在于提供一种固化性组合物，其包含发光性半导体粒子，并且能够抑制上述排气的产生。本发明的另一目的在于提供一种固化性组合物，其能够抑制上述排气的产生，并且即便通过包含赋予热的制造方法也能够实现发光强度良好的固化膜。本发明的又一目的在于提供由该固化性组合物形成的固化膜和包含该固化膜的显示装置。

3、本发明提供以下示出的固化性组合物、固化膜和显示装置。

4、[1]一种固化性组合物，包含半导体粒子(a)、聚合性化合物(b)、聚合引发剂(c)和抗氧化剂(d)，

5、将相对于上述固化性组合物的总量的聚合性化合物(b)的含有率(质量％)设为mb，将聚合引发剂(c)的含有率(质量％)设为mc时，满足式(i)：11.5≤mb/mc≤150(i)。

6、[2]根据[1]所述的固化性组合物，其中，将相对于上述固化性组合物的总量的半导体粒子(a)的含有率(质量％)设为ma，将抗氧化剂(d)的含有率(质量％)设为md时，进一步满足式(ii)：0.01≤md/ma≤0.6(ii)。

7、[3]根据[1]或[2]所述的固化性组合物，其中，进一步满足式(iii)：0.5≤(mb×md)/(mc×ma)≤7.5(iii)。

8、[4]一种固化性组合物，包含半导体粒子(a)、聚合性化合物(b)、聚合引发剂(c)和抗氧化剂(d)，

9、将相对于上述固化性组合物的总量的半导体粒子(a)的含有率(质量％)设为ma，将聚合性化合物(b)的含有率(质量％)设为mb，将聚合引发剂(c)的含有率(质量％)设为mc，将抗氧化剂(d)的含有率(质量％)设为md时，满足式(iii)：0.5≤(mb×md)/(mc×ma)≤7.5(iii)。

10、[5]根据[1]～[4]中任一项所述的固化性组合物，其中，进一步包含光散射剂(e)。

11、[6]根据[1]～[5]中任一项所述的固化性组合物，其中，聚合性化合物(b)包含在80℃下加热1小时时的挥发量为7质量％以下的聚合性化合物。

12、[7]根据[1]～[6]中任一项所述的固化性组合物，其中，聚合性化合物(b)包含其均聚物的玻璃化转变温度为－50℃以上的聚合性化合物。

13、[8]根据[1]～[7]中任一项所述的固化性组合物，其中，聚合性化合物(b)相对于聚合性化合物(b)的总量包含40质量％以上的偶极矩为3d以上的聚合性化合物。

14、[9]根据[8]所述的固化性组合物，其中，聚合性化合物(b)相对于聚合性化合物(b)的总量包含40质量％以上的偶极矩为3d以上的二官能聚合性化合物。

15、[10]根据[8]或[9]所述的固化性组合物，其中，聚合性化合物(b)包含偶极矩为3d～4d的三官能聚合性化合物。

16、[11]根据[1]～[7]中任一项所述的固化性组合物，其中，聚合性化合物(b)相对于上述固化性组合物的总量包含20质量％以上的偶极矩为3d以上的聚合性化合物。

17、[12]根据[11]所述的固化性组合物，其中，聚合性化合物(b)相对于上述固化性组合物的总量包含20质量％以上的偶极矩为3d以上的二官能聚合性化合物。

18、[13]根据[11]或[12]所述的固化性组合物，其中，聚合性化合物(b)包含偶极矩为3d～4d的三官能聚合性化合物。

19、[14]根据[1]～[13]中任一项所述的固化性组合物，其中，相对于上述固化性组合物的总量，溶剂(f)的含有率为1质量％以下。

20、[15]根据[1]～[14]中任一项所述的固化性组合物，其中，相对于上述固化性组合物的总量，树脂(i)的含有率为1质量％以下。

21、[16]根据[1]～[15]中任一项所述的固化性组合物，其中，40℃的粘度为20cp以下。

22、[17]一种固化膜，由[1]～[16]中任一项所述的固化性组合物形成。

23、[18]一种显示装置，包含[17]所述的固化膜。

24、本发明可以提供一种固化性组合物，其包含发光性半导体粒子，并且能够抑制上述排气的产生。另外，可以提供一种固化性组合物，其能够抑制上述排气的产生，并且即便通过包含赋予热的制造方法也能够实现发光强度良好的固化膜。此外，可以提供由该固化性组合物形成的固化膜和包含该固化膜的显示装置。

技术特征：

1.一种固化性组合物，包含半导体粒子(a)、聚合性化合物(b)、聚合引发剂(c)和抗氧化剂(d)，

2.根据权利要求1所述的固化性组合物，其中，将相对于所述固化性组合物的总量的半导体粒子(a)的含有率设为ma，将抗氧化剂(d)的含有率设为md时，进一步满足式(ii)，含有率的单位为质量％，

3.根据权利要求1所述的固化性组合物，其中，进一步满足式(iii)，0.5≤(mb×md)/(mc×ma)≤7.5(iii)。

4.一种固化性组合物，包含半导体粒子(a)、聚合性化合物(b)、聚合引发剂(c)和抗氧化剂(d)，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的固化性组合物，其中，进一步包含光散射剂(e)。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的固化性组合物，其中，聚合性化合物(b)包含在80℃加热1小时时的挥发量为7质量％以下的聚合性化合物。

7.根据权利要求1～4中任一项所述的固化性组合物，其中，聚合性化合物(b)包含其均聚物的玻璃化转变温度为－50℃以上的聚合性化合物。

8.根据权利要求1～4中任一项所述的固化性组合物，其中，聚合性化合物(b)包含相对于聚合性化合物(b)的总量为40质量％以上的偶极矩为3d以上的聚合性化合物。

9.根据权利要求8所述的固化性组合物，其中，聚合性化合物(b)包含相对于聚合性化合物(b)的总量为40质量％以上的偶极矩为3d以上的二官能聚合性化合物。

10.根据权利要求8所述的固化性组合物，其中，聚合性化合物(b)包含偶极矩为3d～4d的三官能聚合性化合物。

11.根据权利要求1～4中任一项所述的固化性组合物，其中，聚合性化合物(b)包含相对于所述固化性组合物的总量为20质量％以上的偶极矩为3d以上的聚合性化合物。

12.根据权利要求11所述的固化性组合物，其中，聚合性化合物(b)包含相对于所述固化性组合物的总量为20质量％以上的偶极矩为3d以上的二官能聚合性化合物。

13.根据权利要求11所述的固化性组合物，其中，聚合性化合物(b)包含偶极矩为3d～4d的三官能聚合性化合物。

14.根据权利要求1～4中任一项所述的固化性组合物，其中，相对于所述固化性组合物的总量，溶剂(f)的含有率为1质量％以下。

15.根据权利要求1～4中任一项所述的固化性组合物，其中，相对于所述固化性组合物的总量，树脂(i)的含有率为1质量％以下。

16.根据权利要求1～4中任一项所述的固化性组合物，其中，40℃的粘度为20cp以下。

17.一种固化膜，是由权利要求1～4中任一项所述的固化性组合物形成的。

18.一种显示装置，包含权利要求17所述的固化膜。

技术总结本发明提供一种固化性组合物，包含半导体粒子(A)、聚合性化合物(B)、聚合引发剂(C)和抗氧化剂(D)，将相对于该固化性组合物的总量的聚合性化合物(B)的含有率(质量％)设为MB，将聚合引发剂(C)的含有率(质量％)设为MC时，满足式：11.5≤MB/MC≤150。技术研发人员：德田真芳,岩胁宽,土谷崇夫,早坂驹田惠美,西川良永裕佳子受保护的技术使用者：住友化学株式会社技术研发日：技术公布日：2024/9/29