半导体标准单元结构、半导体结构和存储器的制作方法

本公开涉及半导体，尤其涉及一种半导体标准单元结构、半导体结构和存储器。

背景技术：

1、半导体结构的版图设计可以基于单元的设计方法，这种设计方法可以把复杂的电路分解成一系列的半导体标准单元结构，从而简化设计过程。半导体标准单元结构包含一系列基本组成结构，例如，金属层和有源区。

2、目前，半导体标准单元结构中金属层之间的导电能力仍不足，影响了半导体标准单元结构以及半导体结构的进一步发展。

技术实现思路

1、本公开提供了一种半导体标准单元结构、半导体结构和存储器。

2、本公开实施例提供了一种半导体标准单元结构，所述半导体标准单元结构包括：位于器件层的多个晶体管；位于第一金属层的第一布线；所述第一布线与多个所述晶体管通过第一接触通孔连接；位于第二金属层的第二布线，所述第二布线通过第二接触通孔与所述第一布线连接；以及，位于第三金属层且沿第一方向延伸的电源线；

3、其中，所述器件层、所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层沿第二方向依次堆叠；所述电源线沿所述第二方向的投影位于所述第二布线沿所述第二方向的投影范围内；所述第二布线通过第三接触通孔与所述电源线连接。

4、本公开实施例提供了一种半导体结构，该半导体结构包括如上所述的半导体标准单元结构。

5、本公开实施例提供了一种存储器，所述存储器包括如上所述的半导体结构。

6、本公开实施例提供了一种半导体标准单元结构、半导体结构和存储器，半导体标准单元结构包括：位于器件层的多个晶体管；位于第一金属层的第一布线；所述第一布线与多个所述晶体管通过第一接触通孔连接；位于第二金属层的第二布线，所述第二布线通过第二接触通孔与所述第一布线连接；以及，位于第三金属层且沿第一方向延伸的电源线；其中，所述器件层、所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层沿第二方向依次堆叠；所述电源线沿所述第二方向的投影位于所述第二布线沿所述第二方向的投影范围内；所述第二布线通过第三接触通孔与所述电源线连接。这样，通过在位于第一金属层的第一布线和位于第三金属层的电源线之间引入位于第二金属层的第二布线，且电源线沿第二方向的投影位于第二布线沿第二方向的投影范围内，可以使得第二布线和电源线之间可设置的第三接触通孔的数量增加，从而可以增强半导体标准单元结构中第一金属层和第二金属层之间的过电流能力，有利于半导体标准单元结构以及半导体结构的进一步发展。

技术特征：

1.一种半导体标准单元结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体标准单元结构，其特征在于，所述第二布线包括沿第一方向延伸的第一连接部，所述第一连接部和所述电源线沿所述第二方向上的投影重叠。

3.根据权利要求2所述的半导体标准单元结构，其特征在于，所述第二布线包括沿第三方向延伸的第二连接部，所述第二连接部通过所述第二接触通孔与所述第一布线连接。

4.根据权利要求3所述的半导体标准单元结构，其特征在于，所述第二连接部设置在所述第一连接部两侧。

5.根据权利要求3所述的半导体标准单元结构，其特征在于，多个所述第三接触通孔呈阵列排布；和/或

6.根据权利要求1至5任一项所述的半导体标准单元结构，其特征在于，所述晶体管包括沿第三方向间隔设置的第一导电类型晶体管和第二导电类型晶体管，所述第一布线包括沿所述第三方向间隔设置的第一电极线和第二电极线，所述电源线包括沿所述第三方向间隔设置的第一电源线和第二电源线，所述第二布线包括沿所述第三方向间隔设置的第一金属连接结构和第二金属连接结构。

7.根据权利要求6所述的半导体标准单元结构，其特征在于，所述第一金属连接结构包括沿所述第一方向延伸的第一子连接部和沿所述第三方向延伸的第二子连接部，所述第一电源线沿所述第二方向的投影位于所述第一子连接部沿所述第二方向的投影范围内；和/或，

8.根据权利要求6所述的半导体标准单元结构，其特征在于，所述器件层包括沿所述第一方向依次堆叠的第一子层和第二子层；

9.根据权利要求8所述的半导体标准单元结构，其特征在于，所述第一布线还包括金属互连结构，所述金属互连结构用于电连接所述晶体管中未连接所述电极线的一极，所述金属互连结构沿所述第二方向的投影位于所述第一有源区沿所述第二方向的投影和所述第二有源区沿所述第二方向的投影之间。

10.根据权利要求9所述的半导体标准单元结构，其特征在于，所述半导体标准单元结构还包括至少一个输入端和至少一个输出端；

11.根据权利要求8所述的半导体标准单元结构，其特征在于，所述第一有源区和所述第一栅极结构形成p型场效应晶体管，所述第二有源区和所述第二栅极结构形成n型场效应晶体管。

12.根据权利要求11所述的半导体标准单元结构，其特征在于，所述标准单元还包括n型的第一阱接触和p型的第二阱接触，所述第一阱接触位于第一有源区远离所述第二有源区的一侧，所述第二阱接触位于第二有源区远离所述第一有源区的一侧，所述第一阱接触和所述第二阱接触位于所述第一子层中。

13.根据权利要求12所述的半导体标准单元结构，其特征在于，

14.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括如权利要求1-13任一项所述的标准单元。

15.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括如权利要求14所述的半导体结构。

技术总结本公开实施例提供了一种半导体标准单元结构、半导体结构和存储器，半导体标准单元结构包括：位于器件层的多个晶体管；位于第一金属层的第一布线；所述第一布线与多个所述晶体管通过第一接触通孔连接；位于第二金属层的第二布线，所述第二布线通过第二接触通孔与所述第一布线连接；以及，位于第三金属层且沿第一方向延伸的电源线；其中，所述器件层、所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层沿第二方向依次堆叠；所述电源线沿所述第二方向的投影位于所述第二布线沿所述第二方向的投影范围内；所述第二布线通过第三接触通孔与所述电源线连接。技术研发人员：路兴香受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/29