半导体装置的制作方法

本揭露涉及一种半导体装置。

背景技术：

1、专利文献1揭示了一种结型场效应晶体管。结型场效应晶体管中，在半导体衬底上积层有n型外延层。n型外延层中，空开间隔地形成着多个栅极区域，并且在彼此相邻的栅极区域之间，与这些栅极区域空开间隔地形成着源极区域。在栅极区域及源极区域，分别连接着栅极电极及源极电极。漏极电极连接在半导体衬底的背面。

2、[背景技术文献]

3、[专利文献]

4、[专利文献1]日本专利特开2008-66619号公报

技术实现思路

1、[发明要解决的问题]

2、本揭露的一实施方式提供一种半导体装置，其能够形成能降低栅极电流的结型场效应晶体管。

3、[解决问题的技术手段]

4、本揭露的一实施方式的半导体装置是提供如下的半导体装置，其包含：第1导电型的半导体层，具有第1面；第1导电型的底栅极区域，形成在所述半导体层；第1导电型的顶栅极区域，形成在所述半导体层的所述第1面的表层部，在所述半导体层的厚度方向上与所述底栅极区域对向；第2导电型的源极区域，形成在所述半导体层的所述第1面的表层部，在沿着所述第1面的方向上与所述顶栅极区域分离；第2导电型的漏极区域，形成在所述半导体层的所述第1面的表层部，在沿着所述第1面的方向上从所述顶栅极区域向所述源极区域的相反侧离开；及第2导电型的通道区域，在沿着所述第1面的方向上至少形成在所述源极区域与所述漏极区域之间，且在所述半导体层的厚度方向上形成在所述底栅极区域与所述顶栅极区域之间；且在所述底栅极区域的表层部，在偏向所述源极区域及所述漏极区域中的所述漏极区域侧的区域，形成着第2导电型的扩散区域。

5、通过该构成，能获得如下之半导体装置，即，能够形成能降低栅极电流的结型场效应晶体管。

技术特征：

1.一种半导体装置，包含：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述扩散区域在俯视下不存在于相对于所述源极区域的所述漏极区域侧的侧缘而与所述漏极区域侧为相反侧的区域，而是存在于包含所述漏极区域的正下方的区域在内的区域。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述扩散区域在俯视下不存在于相对于所述源极区域的所述漏极区域侧的侧缘而与所述漏极区域侧为相反侧的区域，而是存在于包含所述顶栅极区域的所述漏极区域侧的侧缘与所述通道区域的所述漏极区域侧的侧缘之间的区域在内的区域。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述扩散区域在俯视下不存在于相对于所述源极区域的所述漏极区域侧的侧缘而与所述漏极区域侧为相反侧的区域，而是存在于包含所述顶栅极区域中的所述源极区域与所述漏极区域之间的中央位置和所述通道区域的所述漏极侧的侧缘之间的区域在内的区域。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中所述第1导电型为n型，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述底栅极区域的第1导电型杂质浓度为5×1014cm-3以上5×1018cm-3以下，

7.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中所述第1导电型为p型，

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述底栅极区域的第1导电型杂质浓度为5×1014cm-3以上5×1018cm-3以下，

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其包含绝缘层，该绝缘层形成在所述半导体层的所述第1面，且具有使所述源极区域及所述漏极区域露出的开口。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置，其包含栅极接触区域，该栅极接触区域形成在所述半导体层的所述第1面的表层部，且共通地电连接在所述底栅极区域及所述顶栅极区域，

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中在俯视下，所述底栅极区域包含通过所述第2接触部而分离的所述第1底栅极区域及所述第2底栅极区域，

12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述第1栅极接触部形成为包含相互对向的一对第1直线部及相互对向的一对第2直线部的俯视方形环状，

13.根据权利要求10所述的半导体装置，其包含栅极中间区域，该栅极中间区域被夹在所述底栅极区域的所述周缘部与所述第1栅极接触部之间而形成，具有比所述底栅极区域的第1导电型杂质浓度及所述栅极接触区域的第1导电型杂质浓度低的第1导电型杂质浓度。

技术总结本揭露提供一种能够形成能降低栅极电流的结型场效应晶体管的半导体装置。本揭露的半导体装置包含：第1导电型的底栅极区域，形成在半导体层；第1导电型的顶栅极区域，形成在半导体层的第1面的表层部，且在半导体层的厚度方向上与底栅极区域对向；第2导电型的源极区域，形成在半导体层的第1面的表层部，且在沿着第1面的方向上与顶栅极区域分离；及第2导电型的漏极区域，形成在半导体层的第1面的表层部，且在沿着第1面的方向上从顶栅极区域向源极区域的相反侧离开；且在底栅极区域的表层部，在偏向源极区域及漏极区域中的漏极区域侧的区域，形成着第2导电型的扩散区域。技术研发人员：古贺佑士受保护的技术使用者：罗姆股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/10/10