具切割线结构的半导体元件的制作方法

本公开关于一种半导体元件。特别是有关于一种切割线结构、一种半导体元件以及一种半导体晶片的制备方法。

背景技术：

1、在设计一lpddr5(低功率双倍数据速率5，low power double data rate 5)存储器晶片时，电路探测垫与接合垫可位在存储器晶片的一边缘附近，以改善高速电子特性。

2、由于lpddr5存储器晶片的数据速率可以超过5000mbps，一般的引线接合bga封装是不够的，所以较佳者为铜柱覆晶封装。标准的覆晶技术以铜柱作为与基底桥接的媒介，一个铜柱的下表面可以做到小至10μm×10μm。然而，一个探针垫的面积大于50μm×50μm，因此探针垫在存储器晶片的总面积中所占的面积是相当可观的，导致存储器晶片的成本较高，体积也较大。

3、上文的“先前技术”说明仅提供背景技术，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。

技术实现思路

1、本公开的一实施例提供一种半导体元件，包括多个晶粒区、一切割线区、多个凸块垫、多个电路探测垫以及多条金属线。该多个晶粒区设置在一半导体晶圆上。该切割线区设置在该多个晶粒区之间。该多个凸块垫设置在每一个晶粒区的一边缘区的一第一上表面上。该多个电路探测垫，设置在该切割线区的一第二上表面上。该多条金属线设置在每一个晶粒区的该第一上表面上以及在该切割线区的该第二上表面上，且经配置以将该多个凸块垫电性连接到相对应的该等电路探测垫。

2、本公开的另一实施例提供一种半导体晶片的制备方法。该制备方法包括下列步骤：在一半导体晶圆上制造一晶粒区，其中该晶粒区被一切割线区所围绕；形成一凸块垫在该晶粒区的一第一上表面上，以及形成一金属线在该晶粒区的该第一上表面上与在该切割线区的一第二上表面上；形成一电路探测垫在该切割线区的该第二上表面上，其中该凸块垫经由该金属线而电性连接到该电路探测垫；以及形成一铜柱凸块在该凸块垫上。

3、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属技术领域中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或制程而实现与本公开相同的目的。本公开所属技术领域中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。

技术特征：

1.一种半导体元件，包括：

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中所述多个凸块垫电性连接到所述多个晶粒区的该功能电路。

3.如权利要求2所述的半导体元件，其中每一个晶粒区的该功能电路是经由多个探针进行测试，该多个探针电性连接到一外部测试设备并置放在所述多个电路探测垫上。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其中每一个电路探测垫大于每一个凸块垫。

5.如权利要求1所述的半导体元件，还包括多个铜柱凸块，设置在所述多个凸块垫上。

6.如权利要求5所述的半导体元件，其中一切割制程沿着一或多个切割路径而在该半导体晶圆上执行，该一或多个切割路径界定在该切割区上，且每一个电路探测垫的一部分或全部从该半导体晶圆切割。

7.如权利要求6所述的半导体元件，其中所述多个晶粒区、所述多个凸块垫以及所述多个铜柱凸块封装成一半导体晶片封装。

8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该半导体晶片封装在该切割制程之后还包括一保留切割线结构以及一保留电路探测垫。

9.如权利要求7所述的半导体元件，其中该半导体晶片封装在该切割制程之后还包括一保留切割线结构以及一保留电路探测垫，其中所述多个晶粒区使用在所述多个晶粒区上的覆晶封装而经由该一或多个铜柱凸块以电性连接到一印刷电路板的一基底。

10.一种半导体晶片的制备方法，包括：

11.如权利要求10所述的制备方法，其中该晶粒区包括一功能电路，并且该切割线区是一非功能区域。

12.如权利要求11所述的制备方法，其中该凸块垫电性连接到该晶粒区的该功能电路。

13.如权利要求12所述的制备方法，在该铜柱凸块形成在该凸块垫上之前，该制备方法还包括：

14.如权利要求11所述的制备方法，其中该电路探测垫大于该凸块垫。

15.如权利要求11所述的制备方法，其中该电路探测垫的一中心设置在该切割线区的一中心线上。

16.如权利要求11所述的制备方法，其中在该铜柱凸块形成在该凸块垫上的步骤之后，该制备方法还包括：

17.如权利要求16所述的制备方法，还包括：

18.如权利要求17所述的制备方法，其中该半导体晶片还包括在该切割制程之后获得一剩余的切割线结构以及一剩余的电路探测垫。

19.如权利要求18所述的制备方法，其中该晶粒区使用在该半导体晶片上的覆晶封装而经由该铜柱凸块以电性连接到一印刷电路板的一基底。

技术总结本公开提供一种半导体元件，包括多个晶粒区、一切割线区、多个凸块垫、多个电路探测垫以及多条金属线。该多个晶粒区设置在一半导体晶圆上。该切割线区设置在该多个晶粒区之间。该多个凸块垫设置在每一个晶粒区的一边缘区的一第一上表面上。该多个电路探测垫，设置在该切割线区的一第二上表面上。该多条金属线设置在每一个晶粒区的该第一上表面上以及在该切割线区的该第二上表面上，且经配置以将该多个凸块垫电性连接到相对应的该等电路探测垫。技术研发人员：杨吴德受保护的技术使用者：南亚科技股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/10/10