一种PCB拼接屏板防止OSP滚轮印的作业方法及装置与流程

本发明属于印制电路板，尤其涉及一种pcb拼接屏板防止osp滚轮印的作业方法及装置。

背景技术：

1、印制电路板(pcb)，又称印刷电路板。新的led显示技术对板面osp棕化膜颜色要求较高，板面不可有任何滚轮印记，色差需一致。

2、通过上述分析，现有技术存在的问题及缺陷为：现有技术过osp时板材与传输滚轮直接接触，无法完全避免不产生滚轮印，导致不必要的返工与产品报废。

技术实现思路

1、为克服相关技术中存在的问题，本发明公开实施例提供了一种pcb拼接屏板防止osp滚轮印的作业方法及装置。

2、所述技术方案如下：一种pcb拼接屏板防止osp滚轮印的作业装置，包括：

3、拼接屏料号框架，所述拼接屏料号框架的内部搁置有基板；

4、所述基板内边与拼接屏料号框架的外边之间对称安装有用于固定基板的楔子；

5、所述拼接屏料号框架的厚度大于基板。

6、进一步，所述楔子接触基板的一侧设置有软胶，用于防止划伤基板。

7、本发明的另一目的在于提供一种pcb拼接屏板防止osp滚轮印的作业方法，该方法用于所述的pcb拼接屏板防止osp滚轮印的作业装置，该方法利用锲型原理，制作拼接屏料号框架(1)，滚轮与所述拼接屏料号框架接触，基板位置滚轮悬空，取消基板上支撑点，避免支撑点的二次污染基板表面。

8、进一步，在拼接屏料号框架的厚度设计中，满足osp棕化中缓蚀添加剂选择性吸附在基板铜表面，从而在铜表面形成均匀的蜂窝状微观结构；具体包括：

9、s1，获取拼接屏料号框架与基板的距离差；

10、s2，利用影像测试器获取滚轮上绒制区与基板的接触状态，判断缓蚀添加剂选择性吸附在基板铜表面，是否在铜表面形成均匀的蜂窝状微观结构；

11、s3，根据获取的均匀的蜂窝状微观结构，判断拼接屏料号框架与基板的距离差是否满足工艺要求，根据实际生产中基板的厚度调整拼接屏料号框架的厚度，以仿真的模式构建拼接屏料号框架实物模型，进行3d打印，获取拼接屏料号框架真实物品。

12、在步骤s2中，判断缓蚀添加剂选择性吸附在基板铜表面，是否在铜表面形成均匀的蜂窝状微观结构，包括：

13、s201，在缓蚀添加剂选择性吸附均匀分布执行周期中，获取各缓蚀添加剂单分子吸附趋势和各小分布块的铜表面整体覆盖网络吸附趋势，各缓蚀添加剂单分子吸附趋势表示为缓蚀添加剂单分子对各项铜表面整体覆盖网络特性的需求，具体为缓蚀添加剂单分子对吸附速度、吸附速度延迟的需求，铜表面整体覆盖网络吸附趋势表示为铜表面小分布块缓蚀添加剂选择性吸附均匀分布启动吸附限定值kth和动态自适应缓蚀添加剂选择性吸附方差阈值hth；

14、s202，各铜表面小分布块检测自身缓蚀添加剂选择性吸附状态，并与相邻铜表面小分布块交互信息，各铜表面小分布块将自身缓蚀添加剂选择性吸附量k与缓蚀添加剂选择性吸附均匀分布吸附限定值kth进行比较，同时按照缓蚀添加剂选择性吸附方差函数计算各铜表面小分布块和邻区的缓蚀添加剂选择性吸附量方差h，当某铜表面小分布块k≥kth且h≥hth时触发缓蚀添加剂选择性吸附均匀分布过程；

15、s203，过载铜表面小分布块为源铜表面小分布块，在源铜表面小分布块的邻区中筛选目标铜表面小分布块，缓蚀添加剂选择性吸附量k<kth的邻区作为目标铜表面小分布块，并对目标铜表面小分布块按照目标铜表面小分布块物理资源块占用率大小进行优先级排序；

16、s204，源铜表面小分布块按照优先级依次选择目标铜表面小分布块，筛选向所选目标铜表面小分布块切换的缓蚀添加剂单分子，进行缓蚀添加剂选择性吸附更新；

17、s205，缓蚀添加剂选择性吸附均匀分布结束判决，当源铜表面小分布块缓蚀添加剂选择性吸附量k<kth或对所有目标铜表面小分布块都进行了缓蚀添加剂选择性吸附更新，则一次缓蚀添加剂选择性吸附均匀分布过程结束，否则返回上一步，按照目标铜表面小分布块优先级选择下一个目标铜表面小分布块进行缓蚀添加剂选择性吸附更新。

18、在步骤s201中，动态自适应方差阈值hth代表铜表面整体覆盖网络对缓蚀添加剂选择性吸附均匀分布的吸附趋势，动态自适应方差阈值应随着铜表面整体覆盖网络缓蚀添加剂选择性吸附的变化而动态变化，在铜表面整体覆盖网络整体高缓蚀添加剂选择性吸附时阈值降低，在铜表面整体覆盖网络整体低缓蚀添加剂选择性吸附时阈值升高，表示如下：

19、hth＝exp(-azk)+a

20、式中，exp()为自然指数函数，a为控制函数的衰减速度，zk为当前铜表面小分布块及其邻区的缓蚀添加剂选择性吸附量均值，a为正数。

21、在步骤s202中，各铜表面小分布块检测自身的缓蚀添加剂选择性吸附状态，并与相邻铜表面小分布块交互信息，由每个铜表面小分布块的基站获取当前物理资源块占用率，根据缓蚀添加剂单分子效用函数公式计算铜表面小分布块内每个缓蚀添加剂单分子的缓蚀添加剂单分子效用，计算缓蚀添加剂单分子效用均值为缓蚀添加剂单分子平均体验，根据资源利用率和缓蚀添加剂单分子平均体验计算得到缓蚀添加剂选择性吸附状态，并通过影像测试器间y2接口与其相邻铜表面小分布块的基站进行缓蚀添加剂选择性吸附信息的交互。

22、进一步，所述缓蚀添加剂单分子效用函数公式表示为：

23、

24、式中，wue为缓蚀添加剂单分子效用函数值，wi为针对铜表面整体覆盖网络属性的效用函数，i＝1,2；km,k0分别为缓蚀添加剂单分子当前时延和满足缓蚀添加剂单分子当前业务能接收最大时延，fm,f0分别为缓蚀添加剂单分子当前速率和满足缓蚀添加剂单分子当前业务所需最小速率；

25、针对铜表面整体覆盖网络属性的效用函数wi的表达式为：

26、

27、式中，c,c0分别为铜表面整体覆盖网络状态值和缓蚀添加剂单分子需求值，ηi,σi分别为使函数值域在[0,1]和当c＝c0时满足wi＝0.25所设置的阈值参数和放缩参数。

28、在步骤s202中，缓蚀添加剂选择性吸附方差函数的表达式为：

29、

30、式中，h为缓蚀添加剂选择性吸附方差函数值，ki为当前铜表面小分布块及其邻区的缓蚀添加剂选择性吸附量大小，zk为当前铜表面小分布块及其邻区的缓蚀添加剂选择性吸附量均值，n为当前铜表面小分布块及其邻区的个数总和。

31、在步骤s204中，筛选向所选目标铜表面小分布块切换的缓蚀添加剂单分子，包括：

32、(1)选取源铜表面小分布块中可切换到所选目标铜表面小分布块的缓蚀添加剂单分子作为可切换缓蚀添加剂单分子集合，按照铜表面整体覆盖网络效用函数公式计算可切换缓蚀添加剂单分子集合中每个缓蚀添加剂单分子对铜表面整体覆盖网络的效用；

33、(2)按照缓蚀添加剂选择性吸附均匀分布效用函数公式计算切换缓蚀添加剂单分子集合中每个缓蚀添加剂单分子的缓蚀添加剂选择性吸附均匀分布效用值，将缓蚀添加剂单分子按照缓蚀添加剂选择性吸附均匀分布效用值进行优先级排序，源铜表面小分布块按照优先级依次选择待切换缓蚀添加剂单分子；

34、所述铜表面整体覆盖网络效用函数公式表示为：

35、

36、式中，wnet(weho)为铜表面整体覆盖网络效用函数值，weho为可切换缓蚀添加剂单分子集合中的缓蚀添加剂单分子，ks-we,kt_we分别为缓蚀添加剂单分子对源铜表面小分布块和目标铜表面小分布块的缓蚀添加剂选择性吸附量大小，分别为切换该缓蚀添加剂单分子对源铜表面小分布块和目标铜表面小分布块的铜表面整体覆盖网络效用函数变化量，表示如下：

37、

38、式中，wcell(k-k_we),wcell(t-t_we)分别为铜表面小分布块当前缓蚀添加剂选择性吸附量到缓蚀添加剂单分子对源铜表面小分布块的缓蚀添加剂选择性吸附量大小切换中的铜表面整体覆盖网络效用函数值，目标铜表面小分布块当前缓蚀添加剂选择性吸附量目标铜表面小分布块的缓蚀添加剂选择性吸附量切换中的铜表面整体覆盖网络效用函数值；wcell(k),wcell(t)分别为铜表面小分布块当前缓蚀添加剂选择性吸附量下铜表面整体覆盖网络效用函数值，目标铜表面小分布块当前缓蚀添加剂选择性吸附量下目标铜表面整体覆盖网络效用函数值；

39、k为铜表面小分布块当前缓蚀添加剂选择性吸附量，wcell为缓蚀添加剂选择性吸附量大小对铜表面整体覆盖网络的效用函数，表示为：

40、

41、式中，load为缓蚀添加剂选择性吸附量大小，klow,khigh为分别为设定的轻缓蚀添加剂选择性吸附和重缓蚀添加剂选择性吸附的吸附限定值。

42、结合上述的所有技术方案，本发明所具备的有益效果为：本发明避免了板材与滚轮的直接接触，规避了滚轮印的产生。利用锲型原理，制作拼接屏料号专用框架。滚轮与框架接触，板材位置滚轮悬空，与传统框架的差异在于取消了支撑点，避免了支撑点的二次污染。降低加工难度，提升过程良率。

43、本发明在拼接屏料号框架的厚度设计中，满足osp棕化中缓蚀添加剂选择性吸附在基板铜表面，从而在铜表面形成均匀的蜂窝状微观结构；所述拼接屏料号框架的厚度设计包括：获取拼接屏料号框架与基板的距离差；利用影像测试器获取滚轮上绒制区与基板的接触状态，判断缓蚀添加剂选择性吸附在基板铜表面，是否在铜表面形成均匀的蜂窝状微观结构；根据获取的均匀的蜂窝状微观结构，判断拼接屏料号框架与基板的距离差是否满足工艺要求，并根据实际生产中基板的厚度调整拼接屏料号框架的厚度，并以仿真的模式构建拼接屏料号框架实物模型，并进行3d打印，获取拼接屏料号框架真实物品。实现了提升过程良率的效果。