改善驱动电路中金属电容均匀性的方法与流程

本发明涉及半导体制造，特别是涉及一种改善驱动电路中金属电容均匀性的方法。

背景技术：

1、作为第三代的显示技术的oled(有机发光二极管)是一种电流注入复合发光型二极管，具有高亮度、高对比度、宽视角、响应速度快、低工作电压、适应性强、能量转换效率高、制作工艺简单等优点，因此受到学术界和产业界的广泛关注。

2、oled属于电流驱动型，其电流越大亮度越强，但是随着时间的增加，电流会衰减，导致对应的亮度下降，这主要是由电路随时间存在一部分的漏电导致的。针对这个问题，也提出来补偿电路进行修复，但是，由于补偿电路也会用到电容，导致其本身存在一定的差别，补偿电路只能修复部分的漏电导致的问题。随着对于小型化的需求，驱动电路中的补偿电路的电容器件大量使用金属电容来节省空间。这种金属层内之间的电容(mom)是利用金属层本身的厚度和其之间的距离来形成的。由于这种金属密度较低，通常会使用较大面积(单个尺寸超过5μm*5μm)，其下面的区域为保证有源区和金属栅极的化学机械研磨时，会在有源区和栅极插入虚拟图形区域(dummy pattern)其电容的低端通常与其下面的p型衬底相连，而这些dummy pattern的有源区在高压下可能会存在一定的寄生电容。

3、目前，28nm显示驱动中，这部分电容是在中压区域(mv)，其对应的栅极氧化硅厚度在18～22nm之间，于第一层金属实际施加电压时会有寄生电容，影响整体同样电路功能电容的均匀性，从而影响电流补偿电路性能。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种改善驱动电路中金属电容均匀性的方法，用于解决现有的中压及低压器件区寄生电容较大的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种改善驱动电路中金属电容均匀性的方法，所述方法包括：

3、提供一半导体结构，其包括具有虚拟图形的金属电容，且所述虚拟图形包括高压器件区、中压器件区及低压器件区；

4、于所述高压器件区、所述中压器件区及所述低压器件区形成栅氧化层、栅极及第一金属层，其中，形成于所述中压器件区的栅氧化层的厚度及形成于所述低压器件区的栅氧化层的厚度与形成于所述高压器件区的栅氧化层的厚度相同，以使得所述中压器件区及所述低压器件区的电容计算结果与所述高压器件区的电容计算结果相同。

5、可选地，所述栅氧化层的厚度为90nm～110nm。

6、可选地，所述栅氧化层的材质包括氧化硅。

7、可选地，所述半导体结构还包括衬底、高压n型掺杂区、浅沟槽隔离结构及源漏区，且所述浅沟槽隔离结构将所述高压器件区、所述中压器件区及所述低压器件区隔离，此时，所述栅氧化层形成于所述衬底的表面。

8、可选地，所述衬底为p型衬底。

9、可选地，所述金属电容包括多层层叠设置的插指状金属结构。

10、可选地，所述插指状金属结构包括高插指金属结构及低插指金属结构，且所述低插指金属结构与衬底相连。

11、可选地，所述高插指金属结构包括金属主体及设于所述金属主体一侧的多个间隔排列的金属条；所述低插指金属结构与所述高插指金属结构相同，且在放置时，所述低插指金属结构中的金属条与所述高插指金属结构中的金属条交错放置。

12、可选地，在所述半导体结构中，具有相同功能及电容值要求的区域，调用同样的虚拟图形。

13、可选地，适用的技术节点包括28nm。

14、如上所述，本发明的改善驱动电路中金属电容均匀性的方法，在中压器件区及低压器件区使用与高压器件区相同厚度的栅氧化层，从而减少寄生电容；而且，于同样功能和同样电容值要求的金属电容区域使用同样的虚拟图形，改善电容的均匀性，为补偿电路提供更好的均匀性，从而提高电路的性能。

技术特征：

1.一种改善驱动电路中金属电容均匀性的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的改善驱动电路中金属电容均匀性的方法，其特征在于，所述栅氧化层的厚度为90nm～110nm。

3.根据权利要求1或2所述的改善驱动电路中金属电容均匀性的方法，其特征在于，所述栅氧化层的材质包括氧化硅。

4.根据权利要求1所述的改善驱动电路中金属电容均匀性的方法，其特征在于，所述半导体结构还包括衬底、高压n型掺杂区、浅沟槽隔离结构及源漏区，且所述浅沟槽隔离结构将所述高压器件区、所述中压器件区及所述低压器件区隔离，此时，所述栅氧化层形成于所述衬底的表面。

5.根据权利要求4所述的改善驱动电路中金属电容均匀性的方法，其特征在于，所述衬底为p型衬底。

6.根据权利要求1所述的改善驱动电路中金属电容均匀性的方法，其特征在于，所述金属电容包括多层层叠设置的插指状金属结构。

7.根据权利要求6所述的改善驱动电路中金属电容均匀性的方法，其特征在于，所述插指状金属结构包括高插指金属结构及低插指金属结构，且所述低插指金属结构与衬底相连。

8.根据权利要求7所述的改善驱动电路中金属电容均匀性的方法，其特征在于，所述高插指金属结构包括金属主体及设于所述金属主体一侧的多个间隔排列的金属条；所述低插指金属结构与所述高插指金属结构相同，且在放置时，所述低插指金属结构中的金属条与所述高插指金属结构中的金属条交错放置。

9.根据权利要求1所述的改善驱动电路中金属电容均匀性的方法，其特征在于，在所述半导体结构中，具有相同功能及电容值要求的区域，调用同样的虚拟图形。

10.根据权利要求1所述的改善驱动电路中金属电容均匀性的方法，其特征在于，适用的技术节点包括28nm。

技术总结本发明提供一种改善驱动电路中金属电容均匀性的方法，所述方法包括：提供一半导体结构，其包括具有虚拟图形的金属电容，且所述虚拟图形包括高压器件区、中压器件区及低压器件区；于所述高压器件区、所述中压器件区及所述低压器件区形成栅氧化层、栅极及第一金属层，其中，形成于所述中压器件区的栅氧化层的厚度及形成于所述低压器件区的栅氧化层的厚度与形成于所述高压器件区的栅氧化层的厚度相同，以使得所述中压器件区及所述低压器件区的电容计算结果与所述高压器件区的电容计算结果相同。通过本发明解决了现有的中压及低压器件区寄生电容较大的问题。技术研发人员：田志,陈昊瑜,邵华受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司技术研发日：技术公布日：2024/10/10