存储器设备和制造该存储器设备的方法与流程

本公开的实施例总体上涉及存储器设备和制造该存储器设备的方法，并且更具体地，涉及包括支撑件的存储器设备和制造包括支撑件的存储器设备的方法。

背景技术：

1、存储器设备可以包括：存储器单元阵列，在其中存储数据；外围电路，被配置为执行存储器单元阵列的编程、读取或擦除操作；以及控制电路，被配置为控制外围电路。

2、存储器单元阵列可以包括多个存储器块。当存储器块被形成在三维结构中时，存储器块可以通过狭缝区域彼此分离。

3、形成在三维结构中的存储器块可以包括在垂直方向上从衬底堆叠的堆叠结构。堆叠结构可以包括交替堆叠的多个栅极线和绝缘层。牺牲层和绝缘层可以堆叠在堆叠结构的一部分中。当存储器块被形成为堆叠结构时，可以使用支撑件来防止或减轻堆叠结构在存储器设备的制造过程期间弯曲或塌陷。支撑件可以被定位在堆叠结构的两端处，或者可以被定位在存储器块之间。

4、随着存储器设备的集成程度增加，支撑件的尺寸也可以减小，并且因此在支撑件中可能出现空隙。当空隙的体积增大时，作为支撑件的功能可能劣化，并且因此需要减小空隙的体积。

技术实现思路

1、根据本公开的一个实施例，一种存储器设备包括：源极接触部，穿过堆叠在源极线上的堆叠结构；第一支撑件，在源极接触部之间穿过堆叠结构；第二支撑件，在第一支撑件与源极接触部之间穿过堆叠结构；以及辅助图案，在第一支撑件之间穿过堆叠结构的一部分。源极接触部以及第一支撑件和第二支撑件接触源极线，并且辅助图案与源极线间隔开。

2、根据本公开的一个实施例，一种存储器设备包括：沿着第一方向延伸并且彼此平行布置的第一支撑件；沿着第一方向彼此间隔开的辅助图案，辅助图案位于第一支撑件之间；以及沿着第一方向彼此间隔开的空隙，空隙位于第一支撑件内部。

3、根据本公开的一个实施例，一种制造存储器设备的方法包括：形成第一孔，第一孔通过穿过定位在源极线上的堆叠结构而暴露源极线，并且第一孔在第一方向上彼此间隔开；形成沟槽，沟槽通过在第二方向上与第一孔间隔开的区域中穿过堆叠结构而暴露源极线，并且沟槽具有在第一方向上延伸的线形状；形成第二孔，第二孔通过在沟槽之间穿过堆叠结构的一部分而暴露堆叠结构的该部分，并且第二孔在第一方向上彼此间隔开；利用绝缘材料填充第一孔、沟槽和第二孔；以及执行用于填充沟槽中的空隙的部分的热处理过程。

技术特征：

1.一种存储器设备，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述源极线和所述源极接触部包括导电层。

3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述第一支撑件和所述第二支撑件以及所述辅助图案包括绝缘材料。

4.根据权利要求1所述的存储器设备，进一步包括：

5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中在所述第一支撑件之间的所述堆叠结构包括交替堆叠的绝缘层和牺牲层，并且

6.根据权利要求5所述的存储器设备，其中所述绝缘层包括氧化物层，

7.根据权利要求5所述的存储器设备，其中所述第一支撑件将所述牺牲层与所述栅极线彼此分离。

8.根据权利要求5所述的存储器设备，其中所述辅助图案与所述牺牲层当中的至少最下面的牺牲层间隔开。

9.根据权利要求1所述的存储器设备，进一步包括：

10.根据权利要求9所述的存储器设备，其中所述下部支撑件包括绝缘层。

11.根据权利要求9所述的存储器设备，其中所述下部支撑件被定位在比所述辅助图案的区域低的区域中。

12.一种存储器设备，包括：

13.根据权利要求12所述的存储器设备，其中所述第一支撑件和所述辅助图案包括绝缘材料。

14.根据权利要求12所述的存储器设备，其中所述空隙在所述辅助图案之间的对应区域中彼此间隔开。

15.根据权利要求12所述的存储器设备，其中所述空隙中的每个空隙具有在所述第一方向上延伸的线形状。

16.根据权利要求12所述的存储器设备，其中所述第一支撑件具有对应于所述第一方向的长度的长轴和对应于与所述第一方向正交的第二方向的长度的短轴。

17.根据权利要求16所述的存储器设备，其中所述第一支撑件的所述短轴的宽度窄于所述辅助图案的宽度。

18.根据权利要求12所述的存储器设备，进一步包括：

19.根据权利要求18所述的存储器设备，其中所述空隙在所述突出部被定位于的区域中彼此间隔开。

20.根据权利要求18所述的存储器设备，其中所述辅助图案被设置在彼此对称的所述突出部之间。

21.根据权利要求12所述的存储器设备，其中所述辅助图案中的每个辅助图案具有矩形、正方形、椭圆形和圆形中的至少一者的布局。

22.一种制造存储器设备的方法，所述方法包括：

23.根据权利要求22所述的方法，其中通过相同的蚀刻过程同时执行形成所述第一孔、形成所述沟槽和形成所述第二孔。

24.根据权利要求23所述的方法，其中在所述蚀刻过程期间，所述第一孔的深度、所述沟槽的深度和所述第二孔的深度由于所述第一孔、所述沟槽与所述第二孔之间的平面差异而彼此不同。

技术总结本技术包括存储器设备和制造该存储器设备的方法。存储器设备包括：源极接触部，穿过堆叠在源极线上的堆叠结构；第一支撑件，在源极接触部之间穿过堆叠结构；第二支撑件，在第一支撑件与源极接触部之间穿过堆叠结构；以及辅助图案，在第一支撑件之间穿过堆叠结构的一部分。源极接触部以及第一支撑件和第二支撑件接触源极线，并且辅助图案与源极线间隔开。技术研发人员：金宰浩受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/11/14