声波谐振器

本公开涉及半导体器件，更具体地，涉及一种声波谐振器。

背景技术：

1、在第五代移动通信(5g)技术标准下，以n77、n78和n79为代表的新频段，其频率范围在3-5ghz，相对带宽在12％-24％之间，而传统射频前端滤波器多采用基于块体铌酸锂或钽酸锂衬底的表面声波(saw)、基于aln或sc掺杂aln薄膜的体声波(baw)谐振器技术实现，其相对带宽大多数在10％以下，甚至不超过5％，这使得面向5g应用的射频前端滤波器面临着频率提升和带宽拓展的双重困难。

2、近年来，随着离子切片技术的成熟，使得在硅衬底或其他复合衬底上能够实现百纳米到几微米厚度的铌酸锂(linbo3，简称ln)或钽酸锂(litao3，简称lt)单晶压电薄膜，从而可以利用这类单晶压电薄膜的优良压电特性制作出高频、大带宽滤波器，从而有希望解决上述问题。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，本公开的目的在于提供一种声波谐振器，通过调节空腔与电极之间的相对位置关系提升声波谐振器的品质因数。

2、根据本公开实施例的第一方面，提供了一种声波谐振器，包括：

3、支撑层；

4、振膜，位于所述支撑层上，并覆盖所述支撑层的空腔；以及

5、多个电极条，位于所述振膜的第一表面和/或第二表面，所述多个电极条分别沿第一方向延伸，且所述多个电极条沿第二方向分隔设置，所述第一表面背向所述空腔，所述第二表面面向所述空腔，

6、其中，在所述第二方向上，所述多个电极条在所述振膜上的正投影均落入所述空腔在所述振膜上的正投影范围之内，

7、相邻两个所述电极条之间的中线距离为第一预设距离，所述空腔侧壁与相邻所述电极条的距离为所述第一预设距离的0.6到2.7倍。

8、可选地，所述空腔侧壁与相邻所述电极条的距离为所述第一预设距离的0.8到2.1倍。

9、可选地，所述空腔侧壁与相邻所述电极条的距离为所述第一预设距离的1.5倍。

10、可选地，所述多个电极条包括多个第一电极条与所述多个第二电极条，所述多个第一电极条与所述多个第二电极条沿所述第二方向交替设置，

11、所述声波谐振器还包括第一连接部与第二连接部，

12、所述第一连接部与所述多个第一电极条的同侧端部相连，

13、所述第二连接部与所述多个第二电极条的同侧端部相连。

14、可选地，沿所述第一方向，所述空腔的两个侧壁的正投影分别位于所述第一连接部与所述多个第二电极条的自由端之间、所述第二连接部与所述多个第一电极条的自由端之间。

15、可选地，还包括多个第一赝电极与多第二赝电极，

16、所述多个第一赝电极与所述多个第二电极条对应，并且所述多个第一赝电极的同侧端部与所述第一连接部相连，

17、所述多个第二赝电极与所述多个第一电极条对应，并且所述多个第二赝电极的同侧端部与所述第二连接部相连。

18、可选地，沿所述第一方向，所述空腔的两个侧壁之间的距离不小于所述多个第一电极条的自由端与所述多个第二电极条的自由端之间的距离，

19、沿所述第一方向，所述空腔的两个侧壁之间的距离不大于所述第一连接部的外边缘到所述第二连接部的外边缘的距离，

20、所述第一连接部的外边缘为沿所述第一方向，所述第一连接部未与所述第一赝电极相连的边缘，所述第二连接部的外边缘为沿所述第一方向，所述第二连接部未与所述第二赝电极相连的边缘。

21、可选地，沿所述第一方向，所述空腔的两个侧壁在所述振膜上的正投影分别与所述第一赝电极的自由端和所述第二赝电极的自由端在所述振膜上的正投影对齐。

22、可选地，沿所述第一方向，所述空腔的两个侧壁之间的距离不大于所述第一赝电极中线到所述第二赝电极中线的距离。

23、根据本公开实施例的第二方面，提供了一种声波谐振器，包括：

24、支撑层；

25、振膜，位于所述支撑层上，并覆盖所述支撑层的空腔；以及

26、第一电极与第二电极，位于所述振膜的第一表面和/或第二表面，所述第一电极与所述第二电极分隔，所述第一表面背向所述空腔，所述第二表面面向所述空腔，

27、所述第一电极包括第一连接部和多个第一电极条，

28、所述第二电极包括第二连接部和多个第二电极条，

29、所述多个第一电极条与所述多个第二电极条分别沿第一方向延伸，且所述多个第一电极条与所述多个第二电极条沿第二方向交替设置，

30、所述第一连接部与所述多个第一电极条的同侧端部相连，

31、所述第二连接部与所述多个第二电极条的同侧端部相连，

32、其中，沿所述第一方向，所述空腔的内壁的正投影位于所述第一连接部与所述多个第二电极条的自由端之间、位于所述第二连接部与所述多个第一电极条的自由端之间。

33、根据本公开实施例的第三方面，提供了一种声波谐振器，包括：

34、支撑层；

35、振膜，位于所述支撑层上，并覆盖所述支撑层的空腔；以及

36、第一电极与第二电极，位于所述振膜的第一表面和/或第二表面，所述第一电极与所述第二电极分隔，所述第一表面背向所述空腔，所述第二表面面向所述空腔，

37、所述第一电极包括第一连接部、多个第一赝电极和多个第一电极条，

38、所述第二电极包括第二连接部、多个第二赝电极和多个第二电极条，

39、所述多个第一电极条与所述多个第二电极条分别沿第一方向延伸，且所述多个第一电极条与所述多个第二电极条沿第二方向交替设置，

40、所述第一连接部与所述多个第一电极条的同侧端部相连，

41、所述第二连接部与所述多个第二电极条的同侧端部相连，

42、所述多个第一赝电极与所述多个第二电极条对应，并且所述多个第一赝电极的同侧端部与所述第一连接部相连，

43、所述多个第二赝电极与所述多个第一电极条对应，并且所述多个第二赝电极的同侧端部与所述第二连接部相连，

44、其中，沿所述第一方向，所述空腔的两个侧壁之间的距离不小于所述多个第一电极条的自由端与所述多个第二电极条的自由端之间的距离，并且所述空腔的两个侧壁之间的距离不大于所述第一连接部外边缘到所述第二连接部外边缘的距离。

45、可选地，沿所述第一方向，所述空腔的两个侧壁之间的距离不大于所述第一赝电极中线到所述第二赝电极中线的距离。

46、上述技术方案中的一个技术方案具有如下有益效果：

47、通过调节空腔与电极之间的相对位置关系提升声波谐振器的品质因数，从而提升声波谐振器的产品性能。

48、应当说明的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的并不能限制本公开。

技术特征：

1.一种声波谐振器，包括：

2.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述空腔侧壁与相邻所述电极条的距离为所述第一预设距离的0.8到2.1倍。

3.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述空腔侧壁与相邻所述电极条的距离为所述第一预设距离的1.5倍。

4.根据权利要求1至3任一项所述的声波谐振器，其中，所述多个电极条包括多个第一电极条与所述多个第二电极条，所述多个第一电极条与所述多个第二电极条沿所述第二方向交替设置，

5.根据权利要求4所述的声波谐振器，其中，沿所述第一方向，所述空腔的两个侧壁的正投影分别位于所述第一连接部与所述多个第二电极条的自由端之间、所述第二连接部与所述多个第一电极条的自由端之间。

6.根据权利要求4所述的声波谐振器，还包括多个第一赝电极与多第二赝电极，

7.根据权利要求6所述的声波谐振器，其中，沿所述第一方向，所述空腔的两个侧壁之间的距离不小于所述多个第一电极条的自由端与所述多个第二电极条的自由端之间的距离，

8.根据权利要求7所述的声波谐振器，其中，沿所述第一方向，所述空腔的两个侧壁在所述振膜上的正投影分别与所述第一赝电极的自由端和所述第二赝电极的自由端在所述振膜上的正投影对齐。

9.一种声波谐振器，包括：

10.一种声波谐振器，包括：

技术总结本公开提供了一种声波谐振器，包括：支撑层；振膜，位于支撑层上，并覆盖支撑层的空腔；以及多个电极条，位于振膜的第一表面和/或第二表面，多个电极条分别沿第一方向延伸，且多个电极条沿第二方向分隔设置，第一表面背向空腔，第二表面面向所述空腔，其中，在第二方向上，多个电极条在振膜上的正投影均落入空腔在振膜上的正投影范围之内，相邻两个电极条之间的中线距离为第一预设距离，空腔侧壁与相邻电极条的距离为第一预设距离的0.6到2.7倍，本公开提供的声波谐振器通过调节空腔与电极之间的相对位置关系提升声波谐振器的品质因数。技术研发人员：杨清瑞,刘逸垚,庞慰,张孟伦受保护的技术使用者：天津大学技术研发日：技术公布日：2024/11/18