一种半导体测试方法、电子设备、半导体检测系统及介质与流程

本技术涉及半导体测试，尤其涉及一种半导体测试方法、电子设备、半导体检测系统及介质。

背景技术：

1、在半导体测试技术领域中，以晶圆检测场景为例，需要探针与被测晶圆的晶粒的焊接点进行接触，从而获取流经被测晶粒的电流和电压，以及需要检测被测晶粒发出的光线的光照强度和波长，并且根据这些参数判断被测晶粒是否合格。在测试过程中，通常是被测晶粒被固定，然后探针向被测晶粒移动，这样大大限制了测试速度。因此，如何提高半导体测试的效率，成为了亟待解决的技术问题。

技术实现思路

1、本技术实施例的主要目的在于提出一种半导体测试方法、电子设备、半导体检测系统及介质，旨在提高半导体性能测试的效率。

2、为实现上述目的，本技术实施例的第一方面提出了一种半导体测试方法，应用于半导体检测系统，所述半导体检测系统部署有探针和载片台，所述载片台用于放置待测半导体；所述方法包括：

3、确定所述待测半导体的第一待测单元与所述待测半导体的第二待测单元之间的距离，得到目标距离，其中，所述第一待测单元与所述第二待测单元相邻；

4、按照第一预设方向移动触压在所述第一待测单元的所述探针，同时按照第二预设方向移动所述载片台，且在所述探针脱离接触所述第一待测单元之后，按照第三预设方向移动所述载片台；其中，所述第一预设方向和所述第二预设方向相反，所述第三预设方向与所述第一预设方向垂直；

5、检测到所述探针和所述载片台的相背间距大于或等于预设相背间距，则按照所述第二预设方向移动所述探针，且按照所述第一预设方向移动所述载片台，且在所述载片台向所述第三预设方向移动所述目标距离之后，停止向所述第三预设方向移动所述载片台；

6、根据所述探针触压在所述第二待测单元的压力，确定接触结果；

7、若所述接触结果表示所述探针与所述第二待测单元已接触到位，则停止所述探针和所述载片台的移动，并利用所述探针对所述第二待测单元进行测试。

8、在一些实施例，所述根据所述探针触压在所述第二待测单元的压力，确定接触结果，包括：

9、根据所述压力对预设的针压位移映射关系进行数据查询，得到初始位移；

10、根据预设压力阈值对所述针压位移映射关系进行数据查询，得到目标位移；

11、根据所述初始位移和所述目标位移进行位移差值计算，得到目标移动距离；

12、检测所述探针沿所述第二预设方向移动的第一候选移动距离；

13、检测所述载片台沿所述第一预设方向移动的第二候选移动距离；

14、若所述第一候选移动距离与所述第二候选移动距离的总和大于或等于所述目标移动距离，则确定所述接触结果为所述探针与所述第二待测单元已接触到位。

15、在一些实施例，在所述根据所述探针触压在所述第二待测单元的压力，确定接触结果之后，所述方法还包括：

16、获取所述压力与测试时间之间的关系曲线；

17、通过预设的接触状态识别模型对所述关系曲线进行识别，得到接触类型信息；

18、当所述接触类型信息为针压过冲类型时，根据所述接触类型信息对预设的维修策略数据库进行查询，得到目标维修策略信息；

19、向目标对象发送所述目标维修策略信息。

20、在一些实施例，所述若所述接触结果表示所述探针与所述第二待测单元已接触到位，则停止所述探针和所述载片台的移动，并利用所述探针对所述第二待测单元进行测试，包括：

21、若所述接触结果表示所述探针与所述第二待测单元已接触到位，则停止所述探针和所述载片台的移动，并对所述第二待测单元进行通电；

22、获取所述第二待测单元的电性能数据和光性能数据；其中，所述电性能数据包括电流和电压中的至少一个，所述光性能数据包括光照强度和光波波长的至少一个；

23、基于所述电性能数据和所述光性能数据确定所述第二待测单元的检测结果，所述检测结果用于表征所述第二待测单元为合格单元或不合格单元。

24、在一些实施例，所述基于所述电性能数据和所述光性能数据确定所述第二待测单元的检测结果，包括：

25、若所述电流小于第一预设电流阈值，或所述电流大于第二预设电流阈值，则所述检测结果确定所述第二待测单元为不合格单元；其中，所述第一预设电流阈值小于所述第二预设电流阈值；

26、若所述电压小于第一预设电压阈值，或所述电压大于第二预设电压阈值，则所述检测结果确定所述第二待测单元为不合格单元；其中，所述第一预设电压阈值小于所述第二预设电压阈值；

27、若所述光波波长小于预设波长阈值，则所述检测结果确定所述第二待测单元为不合格单元；

28、若所述光照强度小于预设光照强度阈值，则所述检测结果确定所述第二待测单元为不合格单元。

29、在一些实施例，所述在所述探针脱离接触所述第一待测单元之后，按照第三预设方向移动所述载片台，包括：

30、获取所述探针触压在所述第一待测单元的压力，得到连续的多个时刻的压力值；

31、从多个所述压力值获取压力值为零的数量，得到目标数量；

32、若所述目标数量大于预设数量阈值，则确定所述探针脱离接触所述第一待测单元，启动所述载片台按照所述第三预设方向移动。

33、在一些实施例，所述在所述探针脱离接触所述第一待测单元之后，按照第三预设方向移动所述载片台，包括：

34、检测到所述探针向所述第一预设方向移动到第一预定高度；

35、检测到所述载片台向所述第二预设方向移动到第二预定高度；

36、启动所述载片台按照所述第三预设方向移动。

37、为实现上述目的，本技术实施例的第二方面提出了一种电子设备，所述电子设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述第一方面所述的方法。

38、为实现上述目的，本技术实施例的第三方面提出了一种半导体检测系统，包括：

39、如上述第二方面所述的电子设备；

40、载片台，所述载片台用于放置待测半导体；

41、探针，所述探针用于在测试中获取所述待测半导体的待测单元的电性能数据；

42、光电传感器，所述光电传感器用于在测试中获取所述待测单元的光性能数据。

43、为实现上述目的，本技术实施例的第四方面提出了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述第一方面所述的方法。

44、本技术提出的半导体测试方法、电子设备、半导体检测系统及存储介质,首先通过确定待测半导体上相邻待测单元之间的确切距离，即目标距离，确保后续探针能够准确地移动到下一个待测单元。接着，控制探针和载片台在两个相互垂直的方向上同步移动，使得探针在脱离与当前待测单元的接触后，又能同时能向下一待测单元移动。然后，通过检测两者的相背间距，并在达到预设间距后进行反向移动，使得探针和待测单元再次相向靠近，以为第二待测单元的测试做准备，同时载片台继续向下一个待测单元移动，确保了探针能够及时准确地对准到下一个待测单元。相较于现有的单端移动方案，这种同步操作减少了探针和载片台在单独动作中可能出现的等待时间，从而提高了整体的检测速度。然后，通过实时检测探针触压在待测单元上的压力，可以及时判断探针是否已经与待测单元建立了稳定的接触，从而避免了因接触不良而导致的测试失败或重复测试。最后，一旦确认探针与待测单元接触到位，立即停止探针和载片台的移动，并开始进行测试。综上所述，本技术实施例通过精确控制探针和载片台的同步移动，提高了半导体检测系统的检测效率，从而解决了现有技术中半导体测试效率低的问题。