半导体器件的制备方法与流程

本申请属于半导体，尤其涉及一种半导体器件的制备方法。

背景技术：

1、在半导体器件中，以金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mosfet)的制备为例，器件的欧姆接触工艺包括在衬底上形成栅极，衬底上位于栅极两侧的区域为欧姆接触区，然后，形成覆盖栅极的介质层，并形成覆盖介质层和欧姆接触区的导电层，去除掉导电层位于介质层上的部分，以定义欧姆接触图形。

2、但是，实际生产过程中发现，介质层上的导电材料不易去除干净，这降低了器件的良品率及可靠性。

技术实现思路

1、本申请提供一种半导体器件的制备方法，旨在提高器件的良品率和可靠性。

2、为达到上述目的，本申请的实施例提供了一种半导体器件的制备方法，该制备方法包括：在衬底上形成栅极，该衬底的材料包括碳化硅，衬底还包括位于栅极的相对两侧的源极区；形成第一介质层和第二介质层，第一介质层和第二介质层依次覆盖栅极，且二者暴露源极区；形成导电层，该导电层位于源极区及第二介质层上；去除第二介质层，及导电层的位于第二介质层上的部分。

3、在一些实施例中，去除第二介质层，及导电层的位于第二介质层上的部分，包括：采用剥离液，剥离第二介质层以及导电层的位于第二介质层上的部分。

4、在一些实施例中，形成第一介质层，包括：形成第一介质薄膜，该第一介质薄膜覆盖栅极和源极区；在第一介质薄膜的远离衬底的一侧形成掩膜层，掩膜层在衬底上的正投影与源极区不交叠；以上述掩膜层为掩膜，刻蚀第一介质薄膜，得到所述第一介质层。其中，第一介质层包括侧面和远离衬底的顶面，侧面与顶面的最小夹角为直角或钝角。

5、在一些实施例中，形成所述第二介质层，包括：形成第二介质薄膜，该第二介质薄膜覆盖第一介质层和源极区；去除该第二介质薄膜的覆盖源极区的部分，保留第二介质薄膜的覆盖第一介质层的部分，得到第二介质层。

6、在一些实施例中，第二介质薄膜的材料包括光刻胶，对第二介质薄膜进行曝光和显影处理，以去除第二介质薄膜的覆盖源极区的部分。

7、在一些实施例中，第二介质层包括侧面和远离衬底的顶面，侧面与顶面的最小夹角为锐角；形成导电层，包括：沉积导电材料，形成导电层，该导电层至少暴露第二介质层的侧面的靠近衬底的部分。

8、在一些实施例中，去除第二介质层，及导电层的位于第二介质层上的部分之后，上述制备方法还包括：对导电层的位于源极区的部分进行退火处理，形成源极；形成漏极，漏极位于衬底的远离栅极的一侧。

9、本申请的实施例中，先在碳化硅衬底上形成栅极，衬底包括位于栅极两侧的源极区，之后依次形成覆盖栅极的第一介质层和第二介质层，第一介质层和第二介质层暴露源极区。然后，在源极区和第二介质层上形成导电层。最后，通过去除第二介质层，以将导电层位于第二介质层上的部分顺带去除，该制备工艺的流程较为简化、效率较高，且去除导电层的效果较好，避免了导电层在第一介质层上的残留，提高了器件的良品率和可靠性。

技术特征：

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，去除所述第二介质层，及所述导电层的位于所述第二介质层上的部分，包括：

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成所述第一介质层，包括：

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，形成所述第二介质层，包括：

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第二介质薄膜的材料包括光刻胶，对所述第二介质薄膜进行曝光和显影处理，以去除所述第二介质薄膜的覆盖所述源极区的部分。

6.根据权利要求3～5中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第二介质层包括侧面和远离所述衬底的顶面，所述侧面与所述顶面的最小夹角为锐角；

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，去除所述第二介质层，及所述导电层的位于所述第二介质层上的部分之后，所述制备方法还包括：

技术总结本申请公开了一种半导体器件的制备方法，属于半导体技术领域。制备方法为，首先在衬底上形成栅极，衬底的材料包括碳化硅，衬底还包括位于栅极的相对两侧的源极区；然后形成第一介质层和第二介质层，第一介质层和第二介质层依次覆盖栅极，且暴露源极区；接着形成导电层，导电层位于源极区及第二介质层上；最后去除第二介质层，及导电层的位于第二介质层上的部分。本申请的技术方案可通过去除第二介质层的同时，去除位于第二介质层上的导电层，去除效果良好，可避免工艺过程中导电层在栅极第一介质层上的残留，提高器件的良品率和可靠性。技术研发人员：李小昆,史田超,邓辉,邹佳欣,王子璐受保护的技术使用者：安徽长飞先进半导体股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/12/2