一种双面多晶电池的制作方法

本发明属于电池，具体是指一种双面多晶电池及其制作方法。

背景技术：

1、现有topcon（tunnel oxide passivating contact，隧穿氧化层钝化接触）电池技术，背面采用隧穿氧化层叠加掺杂多晶（多晶）结构形成钝化接触，大幅度减少了背表面的复合，提升了电池效率；然而，正面栅线接触区域仍然是银浆与硅直接接触，复合较高；虽然目前行业使用leco（laser-enhanced contact optimization，激光辅助烧结）技术，减少了复合，但是接触区域复合仍然达到200fa/mm2,相对于小于50fa/mm2钝化接触区域，明显偏高。因此，如何在正面栅线接触区域减少正面接触区域复合以提升电池效率，是研发的热点。

技术实现思路

1、针对上述情况，为克服现有技术的缺陷，本发明实施例提供了一种双面多晶电池及其制作方法，至少部分解决上述技术问题。

2、本发明实施例采取的技术方案如下：一种双面多晶电池，包括n型硅片、设置于n型硅片两面上的多晶层，所述多晶层包括正面多晶层和背面多晶层；

3、所述n型硅片的正面包括图形区域和非图形区域，所述图形区域上设有正面多晶层，所述正面多晶层上和非图形区域上分别设有钝化与减反射层；

4、所述n型硅片的背面上设有背面多晶层，所述背面多晶层上设有钝化与减反射层；

5、其中，所述正面多晶层和背面多晶层配置为：

6、当正面多晶层为p-多晶层时背面多晶层为n-多晶层，当正面多晶层为n-多晶层时背面多晶层为p-多晶层。

7、优选的，当所述正面多晶层为p-多晶层，背面多晶层为n-多晶层时，其制备方法包括以下步骤：

8、在n型硅片上进行化学处理后双面抛光；

9、在n型硅片正面进行非晶硅沉积形成正面i-多晶层，将非图形区域进行制绒处理；

10、在正面i-多晶层上进行硼扩散形成p-多晶层，所述p-多晶层与n型硅片之间形成pn结；

11、将n型硅片的背面进行非晶硅沉积形成背面i-多晶层，再进行磷掺杂形成n-多晶层；

12、通过湿法清洗处理去除n型硅片正面和边缘的杂质；

13、经过金属化处理形成正面电极和背面电极，构成双面多晶电池结构。

14、进一步的，在n型硅片正面进行非晶硅沉积形成正面i-多晶层后，在所述i-多晶层上沉积一层掩膜；

15、通过激光处理消融非图形区域上的掩膜，消融后在非图形区域上进行制绒处理。

16、进一步的，所述制绒处理具体为：

17、通过碱和制绒添加剂对非图形区域进行制绒处理，其中碱采用氢氧化钠。

18、进一步的，在进行n型硅片背面非晶硅沉积前；

19、先通过氢氟酸进行酸洗后采用氢氧化钠进行碱抛除去n型硅片背面的bsg层。

20、优选的，当所述正面多晶层为n-多晶层，背面多晶层为p-多晶层，其制备方法包括以下步骤：

21、在n型硅片上进行化学处理后双面抛光；

22、在n型硅片背面进行非晶硅沉积形成背面i-多晶层；

23、在背面i-多晶层上进行硼扩散形成p-多晶层；

24、在n型硅片的正面进行非晶硅沉积形成正面i-多晶层，在所述i-多晶层上进行磷扩散形成n-多晶层，对非图形区域进行清洗制绒处理；

25、经过金属化处理形成正面电极和背面电极，构成双面多晶电池结构。

26、优选的，在n型硅片的正面进行非晶硅沉积前，将n型硅片的正面进行抛光处理；

27、先通过氢氟酸进行酸洗后采用氢氧化钠进行碱抛除去n型硅片正面的bsg和p++层。

28、优选的，在n型硅片的正面上沉积一层掩膜，通过激光处理消融非图形区域上的掩膜，消融后通过碱和制绒添加剂对非图形区域进行制绒处理。

29、优选的，在进行金属化处理前需要进行对n型硅片进行双面氧化铝ald钝化处理和双面镀膜处理。

30、优选的，还包括正面电极和背面电极，所述正面电极穿过正面多晶层上的钝化与减反射层嵌入式连接在正面多晶层上，所述背面电极穿过背面多晶层上的钝化与减反射层嵌入式连接在背面多晶层上。

31、优选的，所述钝化与减反射层包括氧化铝层和镀膜层，所述镀膜层设置在氧化铝层上；

32、所述镀膜层包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅中的一种或多种组合。

33、采用上述结构本发明取得的有益效果如下：

34、本发明在正面栅线接触区域和背面区域均使用钝化接触结构，减少电池双面接触区域复合，显著提升电池的开路电压和填充因子,从而大幅度提升效率。

技术特征：

1.一种双面多晶电池，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的双面多晶电池，其特征在于：当所述正面多晶层为p-多晶层，背面多晶层为n-多晶层时，其制备方法包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的双面多晶电池，其特征在于：在n型硅片正面进行非晶硅沉积形成正面i-多晶层后，在所述i-多晶层上沉积一层掩膜；

4.根据权利要求2所述的双面多晶电池，其特征在于：所述制绒处理具体为：

5.根据权利要求1所述双面多晶电池，其特征在于：当所述正面多晶层为n-多晶层，背面多晶层为p-多晶层，其制备方法包括以下步骤：

6.根据权利要求5所述双面多晶电池，其特征在于：在n型硅片的正面进行非晶硅沉积前，将n型硅片的正面进行抛光处理；

7.根据权利要求2或5所述的双面多晶电池，其特征在于：在进行金属化处理前需要进行对n型硅片进行双面氧化铝ald钝化处理和双面镀膜处理。

8.根据权利要求7所述双面多晶电池，其特征在于：还包括正面电极和背面电极，所述正面电极穿过正面多晶层上的钝化与减反射层嵌入式连接在正面多晶层上，所述背面电极穿过背面多晶层上的钝化与减反射层嵌入式连接在背面多晶层上。

9.根据权利要求1所述双面多晶电池，其特征在于，所述钝化与减反射层包括氧化铝层和镀膜层，所述镀膜层设置在氧化铝层上；

技术总结一种双面多晶电池，属于电池技术领域，包括N型硅片、设置于N型硅片两面上的多晶层，所述多晶层包括正面多晶层和背面多晶层；所述N型硅片的正面包括图形区域和非图形区域，所述图形区域上设有正面多晶层，所述正面多晶层上和非图形区域上分别设有钝化与减反射层；所述N型硅片的背面上设有背面多晶层，所述背面多晶层上设有钝化与减反射层；其中，所述正面多晶层和背面多晶层配置为：当正面多晶层为p‑多晶层时背面多晶层为n‑多晶层，当正面多晶层为n‑多晶层时背面多晶层为p‑多晶层；本发明显著提升了电池的开路电压和填充因子,显著提升电池的工作效率。技术研发人员：任一东受保护的技术使用者：江苏中清先进电池制造有限公司技术研发日：技术公布日：2024/12/2