槽体间连接结构和刻蚀设备的制作方法

本技术涉及半导体产品制作，尤其涉及一种槽体间连接结构和刻蚀设备。

背景技术：

1、单晶硅棒大部分采用czochralski法，又或被称之为直拉法制造生产，在晶片加工和测试过程中，硅晶片减薄湿法刻蚀工艺，硅晶片缺陷湿法刻蚀工艺和硅晶片清洗工艺必不可少。槽式湿法刻蚀机及槽式湿法清洗机需求设计多种多样，因此对槽体间连接设计的便捷性要求尤为重要。

2、湿法槽式机槽体设计主要有不同种类高浓混酸槽，低浓酸碱槽，水槽，干燥槽等。高浓混酸槽包括secco高浓混酸槽，bright高浓混酸槽，wright高浓混酸槽等；低浓酸碱槽包括hf槽，sc-1槽，sc-2槽等；水槽一般是qdr槽和rinse槽；干燥槽包括热水慢提拉槽，ir干燥槽，甩干槽和气体干燥槽等。湿法槽式机使用过程中，机械手在不同槽体间移动，会将前一个槽体间部分液体带出并滴落在移动路径上，滴落液体堆积并干燥后很难清理，并对设备板材(尤其是腔体连接处)造成一定的污染。在涉及高浓混酸槽时，高浓混酸液体会对设备板材(尤其是腔体连接处)具有一定的腐蚀性与破坏性，严重影响了设备使用寿命，在后续清理过程中人员会进入设备中，具有一定安全隐患，且会消耗大量吸酸棉等安全用品。目前湿法槽式机腔体连接处多用打孔处理，将机械手滴落的液体通过小孔流入对应腔体，再通过腔体排出，这种方法不能完全杜绝腔体连接处的污染，且小孔处残留液体更加难以清理，同样会消耗一定量吸酸棉等安全用品，且清理过程中人员会进入设备中具有安全隐患。槽体间连接优化设计目前是本领域技术人员普遍忽视的一点。

技术实现思路

1、为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种槽体间连接结构和刻蚀设备，解决刻蚀液容易滴落于相邻的刻蚀槽之间，造成设备板材被污染或腐蚀的问题。

2、为了达到上述目的，本实用新型实施例采用的技术方案是：一种槽体间连接结构，用于防止在湿法刻蚀槽之间的板材上滴落刻蚀液，包括盖板，所述盖板为中间高两边低的拱形结构。

3、可选的，所述盖板呈三角形结构，所述盖板包括第一斜面部和第二斜面部，以及连接于所述第一斜面部和所述第二斜面部之间的曲面部。

4、可选的，所述盖板呈等腰三角形结构。

5、可选的，所述盖板呈弧形结构。

6、可选的，所述盖板包括凹面，所述槽体间连接结构还包括连接于所述凹面上的两个支撑板，两个所述支撑板相对且间隔设置。

7、可选的，所述盖板相对的两端均设置挡块。

8、可选的，所述盖板完全覆盖所述挡块。

9、可选的，所述盖板采用pvc或pp材质制成。

10、本实用新型实施例还提供一种刻蚀设备，包括多个刻蚀槽，相邻的两个刻蚀槽之间罩设有上述的槽体间连接结构。

11、可选的，所述槽体间连接结构可拆卸的连接于相邻的两个刻蚀槽之间。

12、本实用新型的有益效果是：本实用新型提供一种槽体间连接结构，在使用时罩设于相邻的刻蚀槽之间，所述槽体间连接结构包括盖板，盖板的第一面是凸面，盖板的第二面是凹面，使用时凹面朝向刻蚀槽，当刻蚀液滴落在盖板上时，大部分液滴会随盖板的凸面结构在重力作用下流入周围两个刻蚀槽内，避免对刻蚀槽之间的部位的污染或损伤。

技术特征：

1.一种槽体间连接结构，用于防止在湿法刻蚀槽之间的板材上滴落刻蚀液，其特征在于，包括盖板，所述盖板为中间高两边低的拱形结构。

2.根据权利要求1所述的槽体间连接结构，其特征在于，所述盖板呈三角形结构，所述盖板包括第一斜面部和第二斜面部，以及连接于所述第一斜面部和所述第二斜面部之间的曲面部。

3.根据权利要求2所述的槽体间连接结构，其特征在于，所述盖板呈等腰三角形结构。

4.根据权利要求1所述的槽体间连接结构，其特征在于，所述盖板呈弧形结构。

5.根据权利要求1所述的槽体间连接结构，其特征在于，所述盖板包括凹面，所述槽体间连接结构还包括连接于所述凹面上的两个支撑板，两个所述支撑板相对且间隔设置。

6.根据权利要求1所述的槽体间连接结构，其特征在于，所述盖板相对的两端均设置挡块。

7.根据权利要求6所述的槽体间连接结构，其特征在于，所述盖板完全覆盖所述挡块。

8.根据权利要求1所述的槽体间连接结构，其特征在于，所述盖板采用pvc或pp材质制成。

9.一种刻蚀设备，其特征在于，包括多个刻蚀槽，相邻的两个刻蚀槽之间罩设有权利要求1-8任一项所述的槽体间连接结构。

10.根据权利要求9所述的刻蚀设备，其特征在于，所述槽体间连接结构可拆卸的连接于相邻的两个刻蚀槽之间。

技术总结本技术涉及一种槽体间连接结构，用于防止在湿法刻蚀槽之间的板材上滴落刻蚀液，包括盖板，所述盖板为中间高两边低的拱形结构。本技术还涉及一种刻蚀设备。本技术提供一种槽体间连接结构，在使用时罩设于相邻的刻蚀槽之间，所述槽体间连接结构包括盖板，盖板的第一面是凸面，盖板的第二面是凹面，使用时凹面朝向刻蚀槽，当刻蚀液滴落在盖板上时，大部分液滴会随盖板的凸面结构在重力作用下流入周围两个刻蚀槽内，避免对刻蚀槽之间的部位的污染或损伤。技术研发人员：徐永帅受保护的技术使用者：西安奕斯伟材料科技股份有限公司技术研发日：20240424技术公布日：2024/12/12