基板支撑件和处理腔室的制作方法

本公开案的实施例一般关于用于制造半导体器件的基板支撑件和处理腔室。更具体地，本文公开的设备关于具有基座的外延沉积腔室。

背景技术：

1、半导体基板被处理用于各种应用，包括集成器件和微型器件的制造。一种这样的处理装置是外延处理腔室。在处理期间，基板位于外延处理腔室内的基座上。基座由支撑轴支撑，支撑轴可绕中心轴旋转。对加热源(如设置在基板下方和上方的多个加热灯)的精确控制允许在非常严格的公差范围内加热基板。基板的温度会影响沉积在基板上的材料的均匀性。

2、在外延处理腔室内精确控制基板温度的能力对产量和产品良率有很大影响。传统的外延处理腔室难以满足制造下一代器件所需的温度控制标准，同时满足对提高产品良率和更快产量的日益增长的需求。目前还没有可靠的方法来准确地确定在外延处理腔室中执行的退火期间基板的温度。

3、因此，需要改善外延处理腔室中的温度控制。

技术实现思路

1、本公开案一般关于用于检测基板支撑件的温度的方法和用于处理半导体基板的设备。在一个实例中，以基板支撑件的形式公开了一种用于处理半导体基板的设备。基板支撑件具有主体，所述主体具有顶表面，所述顶表面经配置支撑在顶表面上的基板。主体具有与顶表面相对的底表面。主体具有上部与下部，上部设置在顶表面附近且在顶表面下方，下部设置在底表面附近且在底表面上方。ir阻挡材料被上部和下部包围。ir阻挡材料在ir波长是光学不透明的，而下部在ir波长是光学透明的。

2、在一方面，所述ir阻挡材料可以是二向色反射ir涂层。

3、在另一方面，所述ir阻挡材料可以由铂箔形成。

4、在又一方面，所述下部可以由具有低氧/氢含量的石英形成。

5、在另一方面，所述下部在2.6um和2.7um之间的ir波长可以是光学透明的。

6、在另一方面，所述上部可以由具有低氧/氢含量的石英形成。

7、在又一方面，所述上部在2.6um和2.7um之间的ir波长可以是光学透明的。

8、在另一方面，所述上部可以由深色掺杂石英形成。

9、在又一方面，所述上部可以具有在高温下接近黑体发射器的发射率值。

10、在另一个实例中，公开了一种半导体处理腔室。半导体处理腔室具有腔室主体组件。腔室主体组件具有下窗和上窗，其中下窗和上窗包围内部空间。多个温度控制元件经配置加热内部空间。基座组件设置在内部空间中。下部高温计设置在所述内部腔室空间外部且经配置检测所述基座组件的第一温度。上部高温计设置在所述内部腔室空间外部且经配置检测所述基座组件的第二温度。基座组件具有轴和设置在轴上的基板支撑件。基板支撑件具有主体。主体具有顶表面，所述顶表面经配置支撑在顶表面上的基板。主体具有ir透明材料与ir阻挡材料，所述ir阻挡材料被包装在所述主体中且具有设置在所述ir阻挡材料下方的所述ir透明材料，其中所述ir阻挡材料在ir波长是光学不透明的。

11、在另一方面，所述ir透明材料可以额外地设置在所述ir阻挡材料上方。

12、在又一方面，所述基座组件可经配置旋转所述基板；及所述下部高温计与所述上部高温计中的一个或两者可移动以扫描所述旋转基板。

13、在另一方面，所述处理腔室可进一步包括：运动控制器，所述运动控制器耦接到所述下部高温计并经配置成以扫描所述ir阻挡材料的方式移动所述下部高温计。

14、在又一方面，所述主体可进一步包括：深色掺杂石英材料，所述深色掺杂石英材料设置在所述ir阻挡材料上方。

15、在另一方面，所述深色掺杂石英材料可具有在高温下接近黑体发射器的发射率值。

16、在又一方面，所述下部高温计可经配置检测从所述ir阻挡材料发射的ir辐射。

技术特征：

1.一种基板支撑件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述ir阻挡材料是二向色反射ir涂层。

3.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述ir阻挡材料由铂箔形成。

4.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述下部由具有低氧/氢含量的石英形成。

5.如权利要求4所述的基板支撑件，其中所述下部在2.6um和2.7um之间的ir波长是光学透明的。

6.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述上部由具有低氧/氢含量的石英形成。

7.如权利要求6所述的基板支撑件，其中所述上部在2.6um和2.7um之间的ir波长是光学透明的。

8.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述上部由深色掺杂石英形成。

9.如权利要求8所述的基板支撑件，其中所述上部具有在高温下接近黑体发射器的发射率值。

10.一种处理腔室，其特征在于，包括：

11.如权利要求10所述的处理腔室，其中所述ir阻挡材料是二向色反射ir涂层。

12.如权利要求10所述的处理腔室，其中所述ir阻挡材料由铂箔形成。

13.如权利要求10所述的处理腔室，其中所述ir透明材料由具有低氧/氢含量的石英形成且在2.6um和2.7um之间的ir波长是光学透明的。

14.如权利要求13所述的处理腔室，其中所述ir透明材料额外地设置在所述ir阻挡材料上方。

15.如权利要求10所述的处理腔室，其中所述基座组件经配置旋转所述基板；及所述下部高温计与所述上部高温计中的一个或两者可移动以扫描所述旋转基板。

16.如权利要求10所述的处理腔室，其特征在于，所述处理腔室进一步包括：

17.如权利要求10所述的处理腔室，其特征在于，所述主体进一步包括：

18.如权利要求17所述的处理腔室，其中所述深色掺杂石英材料具有在高温下接近黑体发射器的发射率值。

19.如权利要求10所述的处理腔室，其中所述下部高温计经配置检测从所述ir阻挡材料发射的ir辐射。

技术总结本公开案一般关于用于处理半导体基板的基板支撑件和处理腔室。在一个实例中，基板支撑件具有主体。主体具有经配置支撑在顶表面上基板的顶表面。主体具有与顶表面相对的底表面。主体具有设置在顶表面处的上部和设置在底表面处的下部。IR阻挡材料由所述上部和所述下部包围，其中所述IR阻挡材料在IR波长是光学不透明的(optically opaque)，而下部在IR波长是光学透明的(optically transparent)。技术研发人员：金·拉姆库马尔·韦洛尔受保护的技术使用者：应用材料公司技术研发日：技术公布日：2024/12/12