膜层结构、膜层结构的制备方法和显示基板与流程

本申请涉及半导体，并且更具体地，涉及膜层结构、膜层结构的制备方法和显示基板。

背景技术：

1、现阶段，在以有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)作为发光器件的显示基板中，oled多采用顶发射结构，在该顶发射结构中，oled阳极的膜层结构为氧化铟锡(indium tin oxide，ito)层、银(ag)层和ito层依次堆叠的复合结构。

2、但是，在上述膜层结构的制备过程中，需要进行ito晶化处理，该处理通常会造成膜层结构中的ito层出现一些孔洞，或称针孔(pin hole)。由于ito层孔洞的存在，会使oled阳极的膜层结构外部的杂质进入到膜层结构内部，与ag层发生反应，使得阳极发生异常，最终导致显示器的画面存在暗点。

技术实现思路

1、本申请提供一种膜层结构、膜层结构的制备方法和显示基板，能够进一步降低膜层结构内部或者外部的杂质通过ito层的针孔接触到金属层的概率，以进一步增加ito层对金属层的保护能力，以避免应用该膜层结构的显示器画面存在暗点。

2、第一方面，提供了一种膜层结构，该膜层结构包括：平坦(planarization layer，pln)层；第一ito层，第一ito层位于pln层之上，第一ito层包括n层第一ito子层，n层第一ito子层的膜质互不相同，n大于1；金属层，金属层位于第一ito层之上；第二ito层，第二ito层位于金属层之上，第二ito层包括m层第二ito子层，m层第二ito子层的膜质互不相同，m大于1。

3、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，第一ito层还包括：第一阻隔层，第一阻隔层位于两层第一ito子层之间，或者位于n层第一ito子层之上，或者位于n层第一ito子层之下；和/或，第二ito层还包括：第二阻隔层，第二阻隔层位于两层第二ito子层之间，或者位于m层第二ito子层之上，或者位于m层第二ito子层之下。

4、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，金属层的材料为ag，第一阻隔层和/或第二阻隔层的材料为ag、钼(mo)或者铝(al)，第一阻隔层和第二阻隔层的厚度小于或者等于10nm。

5、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，上述n等于2，上述m等于2，第一ito子层和第二ito子层的厚度在[1nm,4.5nm]内。

6、第二方面，提供了一种膜层结构的制备方法，该方法包括：沉积pln层；在pln之上沉积第一ito层，第一ito层包括n层第一ito子层，n层第一ito子层的膜质互不相同，n大于1；在第一ito层之上沉积金属层；在金属层之上沉积第二ito层，第二ito层包括m层第二ito子层，m层第二ito子层的膜质互不相同，m大于1。

7、结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，在pln层之上至少沉积n层第一ito子层，n层第一ito子层对应的工艺参数互不相同；在金属层之上至少沉积m层第二ito子层，m层第二ito子层对应的工艺参数互不相同。

8、结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，在pln层之上沉积第一阻隔层，或者在第n-i层第一ito子层之上沉积第一阻隔层，i大于或者等于0且小于n；和/或，在金属层之上沉积第二阻隔层，或者在第m-j层第二ito子层之上沉积第二阻隔层，j大于或者等于0且小于m。

9、结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，金属层的材料为ag，第一阻隔层或第二阻隔层的材料为ag、mo或者al，第一阻隔层和第二阻隔层的厚度小于或者等于10nm。

10、结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，上述n等于2，上述m等于2，第一ito子层和第二ito子层的厚度在[1nm,4.5nm]内。

11、结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，在完成在金属层之上沉积第二ito层的操作时，得到第一膜层结构，在第一膜层结构之上涂覆光刻胶；对第一膜层结构进行刻蚀；去除残留在第一膜层结构之上的光刻胶；对第一膜层结构进行ito晶化处理，得到第二膜层结构。

12、第三方面，提供了一种显示基板，包括发光器件，该发光器件包括上述第一方面的膜层结构设计中任意一种可能的实现方式中的膜层结构。

13、结合第三方面，在第三方面的某些实现方式中，发光器件为oled。

14、第四方面，提供了一种膜层结构的制备装置，包括处理器和存储器，其中，处理器和存储器相连，其中，存储器用于存储程序代码，处理器用于调用程序代码，以执行上述第二方面的方法设计中任意一种可能的实现方式中的方法。

15、第五方面，提供了一种计算机可读存储介质，存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行以实现上述第二方面的方法设计中任意一种可能的实现方式中的方法。

16、第六方面，提供了一种计算机程序产品，包括指令，当该指令被处理器运行时，使得计算机执行上述第二方面的方法设计中任意一种可能的实现方式中的方法。

技术特征：

1.一种膜层结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的膜层结构，其特征在于，所述第一ito层(320)还包括：第一阻隔层(322)，所述第一阻隔层(322)位于两层所述第一ito子层(321)之间，或者位于所述n层第一ito子层(321)之上，或者位于所述n层第一ito子层(321)之下；和/或，

3.根据权利要求2所述的膜层结构，其特征在于，所述金属层(330)的材料为银ag，所述第一阻隔层(322)和/或所述第二阻隔层(342)的材料为ag、钼mo或者铝al，所述第一阻隔层(322)和所述第二阻隔层(342)的厚度小于或者等于10nm。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的膜层结构，其特征在于，所述n等于2，所述m等于2，所述第一ito子层(321)和所述第二ito子层(341)的厚度在[1nm,4.5nm]内。

5.一种膜层结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述pln之上沉积第一ito层包括：在所述pln层之上至少沉积所述n层第一ito子层，所述n层第一ito子层对应的工艺参数互不相同；

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述pln层之上至少沉积所述n层第一ito子层包括：在所述pln层之上沉积第一阻隔层，或者在第(n-i)层所述第一ito子层之上沉积所述第一阻隔层，所述i大于或者等于0且小于所述n；和/或，

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述金属层的材料为银ag，所述第一阻隔层或所述第二阻隔层的材料为ag、钼mo或者铝al，所述第一阻隔层和所述第二阻隔层的厚度小于或者等于10nm。

9.根据权利要求5至8中任一项所述的方法，其特征在于，所述n等于2，所述m等于2，所述第一ito子层和所述第二ito子层的厚度在[1nm,4.5nm]内。

10.根据权利要求5至9中任一项所述的方法，其特征在于，在完成所述在所述金属层之上沉积第二ito层的操作时，得到第一膜层结构，所述方法还包括：

11.一种显示基板，其特征在于，包括发光器件，所述发光器件包括如权利要求1至4中任一项所述的膜层结构。

12.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述发光器件为有机发光二极管oled。

13.一种膜层结构的制备装置，其特征在于，包括处理器和存储器，其中，所述处理器和存储器相连，其中，所述存储器用于存储程序代码，所述处理器用于调用所述程序代码，以执行如权利要求5至10中任一项所述的方法。

技术总结本申请提供了膜层结构、膜层结构的制备方法和显示基板，涉及半导体技术领域，该膜层结构包括：PLN层；第一ITO层，第一ITO层位于PLN层之上，第一ITO层包括N层第一ITO子层，N层第一ITO子层的膜质互不相同，N大于1；金属层，金属层位于第一ITO层之上；第二ITO层，第二ITO层位于金属层之上，第二ITO层包括M层第二ITO子层，M层第二ITO子层的膜质互不相同，M大于1。基于该方案，能够进一步降低膜层结构内部或者外部的杂质通过ITO层的针孔接触到金属层的概率，以进一步增加ITO层对金属层的保护能力，以避免应用该膜层结构的显示器画面存在暗点。技术研发人员：张健,魏小丹,姜伟,胥立受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/12/23