一种增加Incell静电消散稳定性的ATO膜层制备方法与流程

本发明涉及ato膜层制备，特别是涉及一种增加in cell静电消散稳定性的ato膜层制备方法。

背景技术：

1、in cell基板在贴合过程中，基板与设备部件的接触或剥离、腔体内空气流动等均会产生大量esd现象。而我们在基板表面镀膜高阻抗方阻的ato膜可以有效的将基板所产生的静电及时释放，达到静电消散的作用，从而提高触摸屏的触控灵敏度。而普通ato膜层目前的阻值稳定性较差，在镀膜后经过一系列工艺处理后方阻会超过规定范围的情况，然后导致后续贴合等工序出现静电爆量，从而导致电测等测试发生异常。因此，有必要提出一种改进措施以解决上述技术问题。

技术实现思路

1、本发明提供一种增加in cell静电消散稳定性的ato膜层制备方法，用以解决上述背景技术中提出的技术问题。

2、为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案：一种增加in cell静电消散稳定性的ato膜层制备方法，包括以下步骤：

3、步骤一、对tft白玻样片进行真空溅射镀膜，镀膜新ato膜层；

4、步骤二、对玻璃基板进行膜层特性以及阻值稳定性测试；

5、步骤三、阻值稳定以及经时性测试通过后试做玻璃基板再确认静电消散能力；

6、步骤四、镀膜完成后进行表观检验和装箱入库。

7、优选的，步骤一中的真空溅射镀膜流程如下：

8、s1、准备玻璃基板，将玻璃基板表面清洁干净；

9、s2、将清洁后的玻璃基板放置在真空室内固定，使得玻璃基板表面朝向ato靶材的方向；

10、s3、采用镀膜机使得ato靶材原子溅射在玻璃基板上，形成薄膜；

11、s4、镀膜结束后，将玻璃基板取出并放入退火炉中，对样品进行退火处理。

12、优选的，步骤二中膜层特性以及阻值稳定性测试包括信赖性测试，所述信赖性测试包括如下内容：

13、①高温高湿存储：先将步骤一得到的样品持续放置于固定温度与湿度环境下固定一段时间；

14、②高温存储：再将样品持续放置于高温下固定一段时间；

15、③低温存储：接着将样品持续放置于低温下固定一段时间；

16、④冷热冲击：最后将样品持续放置在高低温急剧变化的环境下固定一段时间，样品经过高温环境与低温环境同等时间为一循环，经过多次循环为一次测试。

17、优选的，信赖性测试中，高温高湿存储中温度与湿度可设定为65℃/93%rh或85℃/85%rh，高温存储中温度设定为95℃，低温存储中温度设定为-40℃，冷热冲击中温度设定为-40℃～70℃。

18、优选的，信赖性测试中，高温高湿存储、高温存储、低温存储、冷热冲击每一组固定时间可设定为1008小时。

19、优选的，步骤二中膜层特性以及阻值稳定性测试还包括：经过信赖性测试后的擦拭变化，评估擦拭后变化率公式为：变化率=rsw/rsh；其中，rsw是指无尘布测试后阻值，rsh是指酒精测试后阻值。

20、优选的，步骤三采用静电测试仪检测确认玻璃基板上新ato膜层的静电消散能力，在静止状态下的静电量可保持为0v，在动作状态下可保持±10v。

21、与现有技术相比，本发明的有益效果是：

22、本发明采用复合型镀膜流程进行镀膜，并在镀膜后对膜层特性以及阻值稳定性测试，在阻值稳定以及经时性测试通过后采用静电测试仪检测确认玻璃基板上新ato膜层的静电消散能力，经此过程后再检验表观并装箱入库，其最终的新ato膜层增加的阻值稳定性以及膜层特性可以有效的降低产线生产时的异常发生率包括膜层表观异常的发生；再者，新ato膜层提高的膜层经时性能力还可以有效的使生产出的玻璃基板保持极佳的膜层状态到达后段生产；另外，新ato膜层增强的静电消散能力使用静电测试仪检测在静止状态下的静电量可保持为0v，在动作状态下可保持±10v，针对产品组装后上线测试则可以通过触摸反馈的降低而体现，其整体设计十分巧妙，最终的新ato膜层在基础膜层特性与普通ato膜层保持一致的同时，可显著提升膜层硬度、膜层经时性和膜层阻值稳定性，膜层性能更好。

技术特征：

1.一种增加in cell静电消散稳定性的ato膜层制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种增加in cell静电消散稳定性的ato膜层制备方法，其特征在于，步骤一中的真空溅射镀膜流程如下：

3.根据权利要求1所述的一种增加in cell静电消散稳定性的ato膜层制备方法，其特征在于，步骤二中膜层特性以及阻值稳定性测试包括信赖性测试，所述信赖性测试包括如下内容：

4.根据权利要求3所述的一种增加in cell静电消散稳定性的ato膜层制备方法，其特征在于：信赖性测试中，高温高湿存储中温度与湿度可设定为65℃/93%rh或85℃/85%rh，高温存储中温度设定为95℃，低温存储中温度设定为-40℃，冷热冲击中温度设定为-40℃～70℃。

5.根据权利要求3所述的一种增加in cell静电消散稳定性的ato膜层制备方法，其特征在于：信赖性测试中，高温高湿存储、高温存储、低温存储、冷热冲击每一组固定时间可设定为1008小时。

6.根据权利要求3所述的一种增加in cell静电消散稳定性的ato膜层制备方法，其特征在于，步骤二中膜层特性以及阻值稳定性测试还包括：经过信赖性测试后的擦拭变化，评估擦拭后变化率公式为：变化率=rsw/rsh；其中，rsw是指无尘布测试后阻值，rsh是指酒精测试后阻值。

7.根据权利要求1所述的一种增加in cell静电消散稳定性的ato膜层制备方法，其特征在于，步骤三采用静电测试仪检测确认玻璃基板上新ato膜层的静电消散能力，在静止状态下的静电量可保持为0v，在动作状态下可保持±10v。

技术总结本发明提供一种增加In cell静电消散稳定性的ATO膜层制备方法，包括以下步骤：步骤一、对TFT白玻样片进行真空溅射镀膜，镀膜新ATO膜层；步骤二、对玻璃基板进行膜层特性以及阻值稳定性测试；步骤三、阻值稳定以及经时性测试通过后试做玻璃基板再确认静电消散能力；步骤四、镀膜完成后进行表观检验和装箱入库。本发明的新ATO膜层在基础膜层特性与普通ATO膜层保持一致的同时，可显著提升膜层硬度、膜层经时性和膜层阻值稳定性，膜层性能更好。技术研发人员：张晨,聂平,王茹,苗聪,陶方查受保护的技术使用者：芜湖长信科技股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/11/18