-
一种光增强氮化碳同质结电极在光辅助快速检测高毒性六价铬中的应用的制作方法
本发明属于光电活性材料和光电传感分析，具体涉及一种光增强氮化碳同质结电极和电化学传感器及其在检测高毒性六价铬中的应用。背景技术：1、光电化学过程涉及半导体材料、分子或粒子吸收光子后激发电子，从而产生电......
-
一种氧化钨基同质结光电忆阻器的制备及网络入侵检测方法
本发明涉及忆阻器，具体为一种氧化钨基同质结光电忆阻器的制备及网络入侵检测方法。背景技术：1、在当前人工智能和物联网技术迅猛发展的背景下，软件和算法的进步与底层硬件的发展之间存在显著的差距。为了弥补这一......
-
非同质化代币产生系统及其方法与流程
本发明关于一种非同质化代币产生系统、方法及其非暂态计算机可读存储介质。具体而言，本发明关于一种能有效率产生非同质化代币的系统、方法及其非暂态计算机可读存储介质。背景技术：1、近年来，各种与区块链相关的......
-
一种金属-半导体-金属光电探测器与发光二极管的同质集成结构及制备方法
本发明涉及光电显示领域，特别涉及一种金属-半导体-金属光电探测器与发光二极管的同质集成结构及制备方法。背景技术：1、氮化镓材料因其电子迁移率高、禁带宽度宽、电子饱和漂移速度高、热导性能良好、光电子效率......
-
一种GaN同质悬臂梁结构及其制备方法
一种gan同质悬臂梁结构及其制备方法技术领域1.本发明涉及微机电系统(mems)技术领域，具体涉及一种gan同质悬臂梁及其制备方法。背景技术：2.gan具有直接带隙、熔点高、硬度高等优点，使其在光电子......
-
二维自组装的M1/M2-VO2同质结纳米片及其制备方法与流程
本发明属于二维材料制备相关技术领域，更具体地，涉及一种二维自组装的m1/m2-vo2同质结纳米片及其制备方法。背景技术：自1959年vo2的金属绝缘体相变被发现以来(phys.rev.lett.195......
-
一种长寿命同质增强型膜电极及制备方法与流程
本发明属于高分子材料领域，涉及膜电极材料，尤其涉及一种同质增强型膜电极及制备方法。背景技术：1、膜电极是质子膜电解制氢(pemwe)的关键核心部件，对于水电解制氢的性能、效率和寿命至关重要，并随着量产......
-
用于游戏相关数字资产的碎片化非同质化代币的制作方法
本公开总体上涉及游戏相关数字资产的生成和使用以及用于所述数字资产的非同质化代币的使用。背景技术：1、2.相关技术描述2、多年来，视频游戏行业经历了许多改变。近年来，社交媒体提高了游戏的受欢迎程度，也让......
-
一种氧化镓p-n同质结材料及其制备和应用
本发明属于半导体材料，涉及一种氧化镓p-n同质结材料及其制备和应用。背景技术：1、p-n结是半导体电子、光电子和功率器件的至关重要的基本结构单元。近年来，以宽禁带半导体材料制备的p-n结展现出极高的击......
技术新讯 > 同质 > 列表
2025-01-17精选技术
-
发热体、加热不燃烧装置及其加热控制方法与流程
2024-11-19 -
一种大容纳的紧急物资装备包的制作方法
2024-07-05 -
一种踏板感模拟器及汽车的制作方法
2024-08-02 -
一种隐藏式消火栓箱的制作方法
2024-07-05 -
一种流域生态输水成效评估方法
2024-12-06 -
用于T梁转运的装置及方法与流程
2024-08-02 -
船艏导缆孔连接过渡装置的制作方法
2024-08-01 -
一种MEMS触觉传感器及其制作方法与流程
2024-07-27 -
电流互感器的性能评估方法及系统与流程
2024-09-14 -
小数据传输失败报告的制作方法
2024-10-15