LED芯片的切割方法与流程

本发明涉及led芯片制造，尤其涉及一种led芯片的切割方法。

背景技术：

1、近年来随着半导体行业对产品能耗的注重，led芯片的质量亦越加受到重视。由此带动led行业的快速发展。当前主流led芯片的制造方法是在衬底上形成多个led芯片，然后对衬底按照led芯片尺寸进行切割。

2、但是由于衬底大多存在特殊晶格方向，导致使用现有的切割方式切割led芯片后，所形成的断裂面边缘会出现一定的斜裂角，即两条相连接的切割面所形成的夹角过大或过小，严重影响led芯片的生产良品率。

3、因此，如何有效切割衬底，提高led芯片的生产良品率是亟需解决的问题。

技术实现思路

1、鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种led芯片的切割方法，旨在解决led芯片的生产良品率问题。

2、一种led芯片的切割方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括衬底和形成在所述衬底上的多个led芯片，多个所述led芯片呈多行多列排布，行方向与所述晶圆的平边垂直，列方向与所述晶圆的平边平行，所述衬底具有非斜裂面和斜裂面，所述非斜裂面与行方向平行，所述斜裂面与列方向平行，所述行方向和所述列方向上相邻两个所述led芯片之间具有切割区域；发射第二激光至所述衬底形成第二切痕，所述第二切痕位于所述列方向上的切割区域；所述第一激光和所述第二激光的功率不同。

3、本发明通过隐形激光作用在芯片内部，利用第一激光在非斜裂面上形成第一切痕，和利用第二激光在斜裂面形成第二切痕，并且控制第一激光和第二激光的功率不同，使得晶圆在外力裂片后所形成的斜裂角能够控制在合适的范围内，断裂面不会延伸至led芯片上，确保led芯片不会受到损坏，有效提高led芯片的生产良品率。

4、可选的，形成所述第一激光的功率为第一切割功率，形成所述第二激光的功率为第二切割功率，所述第一切割功率大于所述第二切割功率。通过控制第一切割功率大于第二切割功率，即以较小的功率提供第二激光，能够使得在斜裂面上所形成的第二切痕具有较少的裂纹，从而确保斜裂角能在合适的范围内。

5、可选的，发射所述第一激光至所述衬底内形成所述第一切痕，包括：设定所述第一切割功率和第一切割焦深；根据所述第一切割功率和所述第一切割焦深发射所述第一激光。通过设计在非斜裂面上利用单点单次切割形成第一切痕的方式，可以利用非斜裂面的晶格特性提高晶圆在行方向上的切割效率。

6、可选的，发射所述第一激光至所述衬底内形成所述第一切痕，包括：设定第一切割功率和多个第一切割焦深，多个所述第一切割焦深不同；根据所述第一切割功率和多个所述第一切割焦深发射多个所述第一激光，以形成多个沿所述衬底的厚度方向依次排布的所述第一切痕。通过设计在非斜裂面上利用多点单次切割的方式，可以形成多个不同焦深的第一切痕，以此能够降低在外力裂片时的难度，裂片效率很高；并且，多道第一激光同时切割也可以提高切割效率。

7、可选的，所述第一切割焦深为所述衬底减薄厚度的1/3～2/5。可以理解地，当第一切割焦深的尺寸小于或大于该范围时，第一切痕产生的位置会过于靠近第一表面或第二表面，以此容易导致自第一切痕向第一表面或第二表面延伸时歪斜，形成斜裂角。而控制第一切割焦深的尺寸在该范围内时，第一切痕可以位于衬底内的中部，裂片后led芯片的尺寸更加准确。

8、可选的，发射所述第二激光至所述衬底内形成所述第二切痕，包括：设定所述第二切割功率和第二切割焦深；根据所述第二切割功率和所述第二切割焦深多次发射所述第二激光。通过设计在斜裂面上利用单点多次切割形成第二切痕的方式，可以减少第二切痕附近的裂纹，从而避免在列方向上进行外力裂片时导致的断裂面歪斜出现标准范围外的斜裂角。

9、可选的，发射所述第二激光至所述衬底内形成所述第二切痕，包括：设定至少第二切割功率和多个第二切割焦深，多个所述第二切割焦深不同；根据所述第二切割功率和多个所述第二切割焦深发射多个所述第二激光，以形成多个沿所述衬底的厚度方向依次排布的所述第二切痕。通过设计在斜裂面上利用多点单次切割的方式，可以形成多个不同焦深的第二切痕，以此能够降低在外力裂片时的难度，裂片效率很高；并且，多道第二激光同时切割也可以提高切割效率。

10、可选的，任意相邻两个所述第二切痕之间的间隔距离相等。以此使得衬底内部的第二切痕可以被均匀分布，在外力裂片时，每一个第二切痕的附近均会受到相等的外力，断裂面整齐。

11、可选的，所述第二切割焦深为所述衬底减薄厚度的2/5～3/5。可以理解地，当第二切割焦深的尺寸小于或大于该范围时，第二切痕产生的位置会过于靠近第一表面或第二表面，以此容易导致自第二切痕向第一表面或第二表面延伸时歪斜，形成斜裂角。而控制第二切割焦深的尺寸在该范围内时，第二切痕可以位于衬底内的中部，裂片后led芯片的尺寸更加准确。

12、可选的，所述led芯片的切割方法还包括：对形成所述第一切痕和所述第二切痕的所述晶圆进行裂片，形成分离的多个led芯片粒，所述led芯片粒的斜裂角为90°±3°。通过对具有第一切痕和第二切痕的晶圆进行裂片，且控制led芯片粒的斜裂角为90°±3°，可以确保斜裂角不会对led芯片造成损坏。

技术特征：

1.一种led芯片的切割方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的切割方法，其特征在于，形成所述第一激光的功率为第一切割功率，形成所述第二激光的功率为第二切割功率，所述第一切割功率大于所述第二切割功率。

3.如权利要求2所述的切割方法，其特征在于，发射所述第一激光至所述衬底内形成所述第一切痕，包括：

4.如权利要求2所述的切割方法，其特征在于，发射所述第一激光至所述衬底内形成所述第一切痕，包括：

5.如权利要求3或4任一项所述的切割方法，其特征在于，所述第一切割焦深为所述衬底厚度的1/3～2/5。

6.如权利要求2所述的切割方法，其特征在于，发射所述第二激光至所述衬底内形成所述第二切痕，包括：

7.如权利要求2所述的切割方法，其特征在于，发射所述第二激光至所述衬底内形成所述第二切痕，包括：

8.如权利要求7所述的切割方法，其特征在于，任意相邻两个所述第二切痕之间的间隔距离相等。

9.如权利要求6或7任一项所述的切割方法，其特征在于，所述第二切割焦深为所述衬底厚度的2/5～3/5。

10.如权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述led芯片的切割方法还包括：对形成所述第一切痕和所述第二切痕的所述晶圆进行裂片，形成分离的多个led芯片粒，所述led芯片粒的斜裂角为90°±3°。

技术总结本发明涉及一种LED芯片的切割方法，包括：提供晶圆，晶圆包括衬底和形成在衬底上的多个LED芯片，多个LED芯片呈多行多列排布，行方向和列方向上相邻两个LED芯片之间具有切割区域；发射第一激光至衬底内形成第一切痕，第一切痕位于行方向上的切割区域；发射第二激光至衬底形成第二切痕，第二切痕位于列方向上的切割区域；第一激光和第二激光的功率不同。通过控制第一激光和第二激光的功率不同，使得晶圆在外力裂片后所形成的斜裂角能够控制在合适的范围内，断裂面不会延伸至LED芯片上，确保LED芯片不会受到损坏，有效提高LED芯片的生产良品率。技术研发人员：马非凡,陈德伪,戴广超,赵世雄,赵永周受保护的技术使用者：重庆康佳光电技术研究院有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/11