扩散器的一侧阳极氧化的制作方法

本技术是关于用于玻璃基板和半导体基板制造的部件与设备。更特定而言，本技术是关于处理腔室分配部件与其他基板处理设备。

背景技术：

1、通过在基板表面上产生错综复杂地图案化的材料层的工艺，而实现集成电路。在基板上产生图案化材料需要受控方法以形成及移除材料。腔室部件经常将处理气体传送到基板，以沉积膜或移除材料。为了促进对称性和均匀性，许多腔室部件可包括特征的规则图案(例如缝隙(aperture))以通过可增加均匀性的方式提供材料。然而，此举可能会限制对用于晶片上调整(on-wafer adjustment)的配方进行微调的能力。

2、因此，需要能够用于产生高质量器件和结构的改善系统和方法。本技术解决了这些和其他需求。

技术实现思路

1、用于基板处理腔室的示例性扩散器可包括：扩散器主体，其特征在于扩散器主体的入口侧上的第一表面和扩散器主体的出口侧上的第二表面。扩散器主体可限定穿过扩散器主体的厚度的多个缝隙。第一表面可为未经阳极氧化。第二表面可为经阳极氧化。

2、在一些实施例中，多个缝隙的每个可包括上部区域和下部区域。上部区域和下部区域可由扼流区域分开。扼流区域可为经阳极氧化。扼流区域可为未经阳极氧化。下部区域可为经阳极氧化。下部区域可包括大致锥形形状。扩散器可包括侧向表面，所述侧向表面在第一表面和第二表面之间延伸且耦接第一表面和第二表面。侧向表面可为未经阳极氧化。

3、本技术的一些实施例可涵盖阳极氧化扩散器的一个表面的多种方法。所述方法可包括：以聚合材料涂布扩散器的第一表面，同时使扩散器的第二表面暴露。第一表面可以与第二表面相对。扩散器可限定穿过扩散器的厚度的多个缝隙。所述方法可包括对扩散器施加热。所述方法可包括将扩散器暴露于化学浴。所述方法可包括对化学浴施加电压，以阳极氧化扩散器的第二表面。所述方法可包括从第一表面移除聚合材料。

4、在一些实施例中，所述方法可包括在对扩散器施加热之后使加压材料流动通过缝隙。使加压材料流动可包括：喷珠和喷co2中的一或两个。多个缝隙的每个可包括上部区域和下部区域。上部区域和下部区域可由扼流区域分开。使加压材料流动可移除存在于多个缝隙的每个的扼流区域中的任何聚合材料。涂布第一表面可包括使用方向性涂布工艺，而相对于多个缝隙中的每个的长度以一角度将聚合材料施加到第一表面上并且进入多个缝隙的每个的一部分中。移除聚合材料可包括：对聚合材料施加热而软化聚合材料。移除聚合材料可包括：从扩散器剥离聚合材料。移除聚合材料可包括：将扩散器暴露于溶剂。对化学浴施加电压可包括：使电压从起始电压斜线上升(ramp up)到目标电压。对化学浴施加电压可包括：将电压保持在目标电压达预定时段。对化学浴施加电压可包括：使电压从目标电压斜线上升到额外的目标电压。对化学浴施加电压可包括：将电压保持在额外的目标电压达额外的预定时段。扩散器可包括侧向表面，所述侧向表面在第一表面和第二表面之间延伸并且耦接第一表面和第二表面。所述方法可包括以聚合材料涂布侧向表面。

5、本技术的一些实施例可涵盖多种处理基板的方法。所述方法可包括使前驱物流入处理腔室。处理腔室可包括扩散器和基板支撑件，基板设置在基板支撑件上。处理腔室的处理区域可至少部分地限定在扩散器和基板支撑件之间。扩散器的特征可在于第一表面和第二表面，第二表面面向基板支撑件并且与第一表面相对。扩散器可限定穿过扩散器的厚度的多个缝隙。第一表面可为未经阳极氧化。第二表面可为经阳极氧化。所述方法可包括在处理腔室的处理区域内产生前驱物的等离子体。所述方法可包括在基板上沉积材料。

6、在一些实施例中，多个缝隙中的每个可包括上部区域和下部区域。上部区域和下部区域可由扼流区域分开。扼流区域可为未经阳极氧化。下部区域可包括大致锥形形状。

7、这样的技术可提供胜过传统系统与技术的许多优点。例如，本技术的实施例可减少膜中杂质含量并且改善晶片的阈值电压。此外，部件可从处理运行到处理运行之间保持期望的稳定性。连同下文的描述及附图，更详细地描述这些和其他实施例以及它们的许多优点和特征。

技术特征：

1.一种用于基板处理腔室的扩散器，包括：

2.如权利要求1所述的用于基板处理腔室的扩散器，其中：

3.如权利要求2所述的用于基板处理腔室的扩散器，其中：

4.如权利要求2所述的用于基板处理腔室的扩散器，其中：

5.如权利要求2所述的用于基板处理腔室的扩散器，其中：

6.如权利要求2所述的用于基板处理腔室的扩散器，其中：

7.如权利要求1所述的用于基板处理腔室的扩散器，其中：

8.一种阳极氧化扩散器的一个表面的方法，包括：

9.如权利要求8所述的阳极氧化扩散器的一个表面的方法，所述方法进一步包括：

10.如权利要求9所述的阳极氧化扩散器的一个表面的方法，其中：

11.如权利要求9所述的阳极氧化扩散器的一个表面的方法，其中：

12.如权利要求8所述的阳极氧化扩散器的一个表面的方法，其中：

13.如权利要求8所述的阳极氧化扩散器的一个表面的方法，其中：

14.如权利要求13所述的阳极氧化扩散器的一个表面的方法，其中：

15.如权利要求8所述的阳极氧化扩散器的一个表面的方法，其中：

16.如权利要求15所述的阳极氧化扩散器的一个表面的方法，其中：

17.如权利要求8所述的阳极氧化扩散器的一个表面的方法，其中：

18.一种处理基板的方法，包括：

19.如权利要求18所述的处理基板的方法，其中：

20.如权利要求19所述的处理基板的方法，其中：

技术总结用于基板处理腔室的示例性扩散器可包括扩散器主体，其特征在于扩散器主体的入口侧上的第一表面和扩散器主体的出口侧上的第二表面。扩散器主体可限定穿过扩散器主体的厚度的多个缝隙。第一表面可为未经阳极氧化。第二表面可为经阳极氧化。技术研发人员：金鍾允,威廉·内勒,吴相渟,马英受保护的技术使用者：应用材料公司技术研发日：技术公布日：2024/6/5