一种炉缸组件和成膜设备的制作方法

本申请属于成膜设备，具体涉及一种炉缸组件和成膜设备。

背景技术：

1、反应式离子镀膜的成膜机理是反应气体通过电子束激发形成离子束撞击靶材，靶材融化升华沉积在沉底晶片上。其中，靶材通过顶升机构在所述炉缸内上升，靶材会在反应过程中熔化，熔化的靶材粘连在靶材主体与炉缸之间，冷却凝固后阻挡下方靶材上升，造成卡靶，需要开腔清理，严重影响生产进度。

技术实现思路

1、本申请旨在提供一种炉缸组件和成膜设备，以解决现有的成膜设备容易卡靶的问题。

2、为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：

3、第一方面，本申请公开了一种炉缸组件，所述炉缸组件包括：

4、炉缸，所述炉缸内设置有用于靶材通过的通道；

5、以及顶升机构，所述顶升机构活动连接于所述通道的底部，所述顶升机构用于驱动所述靶材在所述通道内上升；

6、其中，所述炉缸在所述通道的侧壁上设置有熔靶储存部，所述熔靶储存部用于储存熔融的靶材。

7、可选地，所述熔靶储存部包括设置于所述通道顶部的倒角。

8、可选地，所述炉缸的所述通道的侧壁与所述炉缸的外壁之间的距离为第一距离；

9、所述倒角远离所述通道中心的一端与所述炉缸外壁之间的距离为第二距离；

10、所述第二距离为所述第一距离的40％－60％。

11、可选地，所述第一距离的取值范围为3mm－7mm，所述第二距离的取值范围为1.5mm－3.5mm。

12、可选地，所述倒角的角度为10°－20°；

13、所述倒角沿所述炉缸轴向的高度为第一高度，所述第一高度为15mm－25mm。

14、可选地，所述倒角的表面设置有用于增大摩擦的纹理。

15、可选地，所述熔靶储存部包括设置在所述通道侧壁的环形槽，所述环形槽的槽口朝向所述通道的中心。

16、可选地，所述环形槽的槽口至槽底的深度范围为2mm－7mm。

17、可选地，所述环形槽与所述炉缸顶部之间的距离为第三距离，所述第三距离的取值范围为5mm－10mm。

18、可选地，所述环形槽的表面设置有用于增大摩擦的纹理。

19、第二方面，本申请还公开了一种成膜设备，所述成膜设备包括上述任一项所述的炉缸组件。

20、本申请实施例中，所述炉缸组件可以包括炉缸和顶升机构，所述炉缸内设置有用于靶材通过的通道。所述炉缸在所述通道的侧壁上设置有熔靶储存部，所述熔靶储存部可以用于储存熔融的靶材。这样，在所述顶升机构驱动所述靶材在所述通道内上升的情况下，即使所述靶材在反应的过程中熔化粘接在所述通道的侧壁，由于所述侧壁上设置有熔靶储存部，所述熔靶储存部可以储存熔融的靶材，避免熔融的靶材粘连在所述侧壁和固体状的靶材之间造成卡靶。从而，可以避免卡靶对生产进度的影响，极大的提高应用了所述炉缸组件的成膜设备的生产效率。

21、本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

技术特征：

1.一种炉缸组件，其特征在于，所述炉缸组件包括：

2.根据权利要求1所述的炉缸组件，其特征在于，所述熔靶储存部包括设置于所述通道顶部的倒角。

3.根据权利要求2所述的炉缸组件，其特征在于，所述炉缸的所述通道的侧壁与所述炉缸的外壁之间的距离为第一距离；

4.根据权利要求3所述的炉缸组件，其特征在于，所述第一距离的取值范围为3mm－7mm，所述第二距离的取值范围为1.5mm－3.5mm。

5.根据权利要求4所述的炉缸组件，其特征在于，所述倒角的角度为10°－20°；

6.根据权利要求2所述的炉缸组件，其特征在于，所述倒角的表面设置有用于增大摩擦的纹理。

7.根据权利要求1或2所述的炉缸组件，其特征在于，所述熔靶储存部包括设置在所述通道侧壁的环形槽，所述环形槽的槽口朝向所述通道的中心。

8.根据权利要求7所述的炉缸组件，其特征在于，所述环形槽的槽口至槽底的深度范围为2mm－7mm。

9.根据权利要求7所述的炉缸组件，其特征在于，所述环形槽与所述炉缸顶部之间的距离为第三距离，所述第三距离的取值范围为5mm－10mm。

10.根据权利要求7所述的炉缸组件，其特征在于，所述环形槽的表面设置有用于增大摩擦的纹理。

11.一种成膜设备，其特征在于，所述成膜设备包括权利要求1至10任一项所述的炉缸组件。

技术总结本申请实施例提供了一种炉缸组件和成膜设备。所述炉缸组件包括：炉缸，所述炉缸内设置有用于靶材通过的通道；以及顶升机构，所述顶升机构活动连接于所述通道的底部，所述顶升机构用于驱动所述靶材在所述通道内上升；其中，所述炉缸在所述通道的侧壁上设置有熔靶储存部，所述熔靶储存部用于储存熔融的靶材。本申请实施例中，所述熔靶储存部可以储存熔融的靶材，避免熔融的靶材粘连在所述侧壁和固体状的靶材之间造成卡靶。从而，可以避免卡靶对生产进度的影响，极大的提高应用了所述炉缸组件的成膜设备的生产效率。技术研发人员：严明,张开旺,刘成军,曲喆,卢俊雄,徐希翔受保护的技术使用者：隆基绿能科技股份有限公司技术研发日：20231106技术公布日：2024/6/11