一种磷化铟单晶生成装置的制作方法

本发明涉及半导体生产，尤其涉及一种磷化铟单晶生成装置。

背景技术：

1、磷化铟是一种新型的半导体材料，由铟和磷元素组成，具有较高的电子迁移率和热导率，适用于高速电子器件和光电器件的制造，一般通过水平布里奇曼法生成磷化铟单晶，在生成时，需要将红磷和高纯铟分别放置于高温区和低温区，利用控制温度，将红磷变成红磷蒸汽，再将红磷蒸汽与高纯铟融合在一起生成磷化铟晶体。

2、红磷蒸汽在从高温区流向低温区与高纯铟融合过程中，装置一般不具备对磷蒸汽的限制机构，使得在短时间内大量磷蒸汽流向低温区域的高纯铟位置，不能完全且及时的与铟反应，导致部分红磷蒸汽凝固，无法与高纯铟融合，降低了磷化铟单晶的生成率，为此设计出一种磷化铟单晶生成装置。

技术实现思路

1、本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种磷化铟单晶生成装置。

2、为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

3、一种磷化铟单晶生成装置，包括加热箱和反应箱，所述加热箱一侧固定连接有连接管，所述连接管另一侧固定连接在反应箱上，且加热箱和反应箱均与连接管相连通，所述连接管外壁包裹有保温棉，所述连接管内壁底部固定连接有固定块，所述固定块靠近顶部位置开设有圆孔，所述圆孔中滑动连接有滑杆，所述滑杆靠近反应箱一侧固定连接有密封板，所述滑杆另一侧固定连接有凸块，所述滑杆位于固定块和凸块之间的圆周表面滑动套设有方块，所述方块上开设有与滑杆相适配的孔洞，所述滑杆位于方块和凸块之间的圆周表面套设有弹簧，所述方块两侧均固定连接有圆杆。

4、优选的，所述连接管内壁两侧均开设有条形槽，两个所述圆杆均滑动连接在同侧的条形槽中。

5、优选的，所述连接管内壁靠近反应箱一侧固定连接有矩形框，所述矩形框上开设有矩形孔，所述密封板滑动连接在矩形孔中,所述矩形框靠近反应箱的一侧对称开设有半圆柱槽。

6、优选的，所述连接管顶部中间位置螺纹贯穿有螺纹杆，且螺纹杆螺纹贯穿保温棉，所述螺纹杆底部转动连接有u型架，所述u型架底部设置有斜面，且两侧的斜面与同侧的圆杆相接触，所述螺纹杆顶部固定连接有转动把手。

7、优选的，所述加热箱底部开设有方孔，所述方孔中固定安装有加热器，所述加热器顶部固定连接有坩埚，所述加热箱顶部开设有第一放料口，所述第一放料口上设置有第一密封盖。

8、优选的，所述反应箱内侧底部固定连接有托盘，所述反应箱内部两侧之间靠近连接管处固定连接有导流板，所述反应箱顶部设置有第二放料口，所述第二放料口上设置有第二密封盖。

9、本发明的有益效果为：

10、1.该种磷化铟单晶生成装置，由于采用了矩形框、密封板、滑杆、凸块、方块等技术手段，所以加热箱内部的气压增大，当达到一定程度的时候，磷蒸汽将会加压密封板向反应箱移动，且弹簧受到压缩，同时密封板移动的距离越大，由于半圆锥槽的设置，通气的孔就越大，有效解决了背景技术中提出的问题，进而实现了对磷蒸汽的流量进行限制，避免过量的磷蒸汽在反应箱内未与铟反应，造成反应效率降低技术效果。

11、2.该种磷化铟单晶生成装置，通过螺纹杆、u型架和转动把手的设置，转动转动把手实现对弹簧的松紧进行调节，进而实现调节打开密封板所需要的压强，提高装置的实用性。

技术特征：

1.一种磷化铟单晶生成装置，包括加热箱（1）和反应箱（2），其特征在于，所述加热箱（1）一侧固定连接有连接管（10），所述连接管（10）另一侧固定连接在反应箱（2）上，且加热箱（1）和反应箱（2）均与连接管（10）相连通，所述连接管（10）外壁包裹有保温棉（3），所述连接管（10）内壁底部固定连接有固定块（15），所述固定块（15）靠近顶部位置开设有圆孔，所述圆孔中滑动连接有滑杆（14），所述滑杆（14）靠近反应箱（2）一侧固定连接有密封板（13），所述滑杆（14）另一侧固定连接有凸块（16），所述滑杆（14）位于固定块（15）和凸块（16）之间的圆周表面滑动套设有方块（17），所述方块（17）上开设有与滑杆（14）相适配的孔洞，所述滑杆（14）位于方块（17）和凸块（16）之间的圆周表面套设有弹簧（18），所述方块（17）两侧均固定连接有圆杆（19）。

2.根据权利要求1所述的一种磷化铟单晶生成装置，其特征在于，所述连接管（10）内壁两侧均开设有条形槽（11），两个所述圆杆（19）均滑动连接在同侧的条形槽（11）中。

3.根据权利要求1所述的一种磷化铟单晶生成装置，其特征在于，所述连接管（10）内壁靠近反应箱（2）一侧固定连接有矩形框（12），所述矩形框（12）上开设有矩形孔，所述密封板（13）滑动连接在矩形孔中,所述矩形框（12）靠近反应箱（2）的一侧对称开设有半圆柱槽（23）。

4.根据权利要求1所述的一种磷化铟单晶生成装置，其特征在于，所述连接管（10）顶部中间位置螺纹贯穿有螺纹杆（20），且螺纹杆（20）螺纹贯穿保温棉（3），所述螺纹杆（20）底部转动连接有u型架（22），所述u型架（22）底部设置有斜面，且两侧的斜面与同侧的圆杆（19）相接触，所述螺纹杆（20）顶部固定连接有转动把手（21）。

5.根据权利要求1所述的一种磷化铟单晶生成装置，其特征在于，所述加热箱（1）底部开设有方孔，所述方孔中固定安装有加热器（4），所述加热器（4）顶部固定连接有坩埚（5），所述加热箱（1）顶部开设有第一放料口，所述第一放料口上设置有第一密封盖（6）。

6.根据权利要求1所述的一种磷化铟单晶生成装置，其特征在于，所述反应箱（2）内侧底部固定连接有托盘（8），所述反应箱（2）内部两侧之间靠近连接管（10）处固定连接有导流板（9），所述反应箱（2）顶部设置有第二放料口，所述第二放料口上设置有第二密封盖（7）。

技术总结本发明公开了一种磷化铟单晶生成装置，包括加热箱和反应箱，所述加热箱一侧固定连接有连接管，所述连接管另一侧固定连接在反应箱上，且加热箱和反应箱均与连接管相连通，所述连接管外壁包裹有保温棉，所述连接管内壁底部固定连接有固定块，所述固定块靠近顶部位置开设有圆孔，所述圆孔中滑动连接有滑杆。本发明，加热箱内部的气压增大，当达到一定程度的时候，磷蒸汽将会加压密封板向反应箱移动，且弹簧受到压缩，同时密封板移动的距离越大，由于半圆锥槽的设置，通气的孔就越大，有效解决了背景技术中提出的问题，进而实现了对磷蒸汽的流量进行限制，避免过量的磷蒸汽在反应箱内未与铟反应，造成反应效率降低技术效果。技术研发人员：范博受保护的技术使用者：中讯半导体（江苏）有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/27