多晶硅还原炉硅芯微波加热馈入孔结构的制作方法

本技术涉及多晶硅生产，尤其涉及一种多晶硅还原炉硅芯微波加热馈入孔结构。

背景技术：

1、多晶硅生产过程中，硅芯安装在石墨夹头上，在击穿成为导体后，在硅芯表面沉积硅，直径逐步变大。还原炉启动是多晶硅生产中的重要工艺环节。硅芯是半导体材料，其半导体特性是负阻特性，硅芯的电阻率随温度升高下降。只要有足够热量使得硅芯温度升高到一定温度以上(使得硅芯电阻率下降到一定值)，在硅芯上加上一定电压就能击穿硅芯，形成电路，再以电流大小控制硅芯温度至化学气相沉积要求温度即完成了还原炉启动。高压击穿是指开炉准备工作完成，惰性气体、氢气置换还原炉合格后，在氢气环境下，硅芯上施加一定的电压使其产生一定功率的电功率加热硅芯，随着硅芯温度升高，硅芯电阻大幅度降低，加热功率进一步提升，硅芯温度升高并击穿，击穿启动后进料。

2、现在高压击穿技术对绝缘要求较高，甚至不能击穿一万以上高阻值硅芯。红外加热技术能够升高硅芯温度，但是红外加热技术又可能给硅芯带来杂质，影响产品质量。

技术实现思路

1、有鉴于此，本实用新型提供一种多晶硅还原炉硅芯微波加热馈入孔结构，主要目的是在还原炉本体上设计微波馈入孔，让微波通过馈入孔进入还原炉对硅芯加热，同时避免引入杂质。

2、为达到上述目的，本实用新型主要提供如下技术方案：

3、本实用新型提供了一种多晶硅还原炉硅芯微波加热馈入孔结构，该结构包括：第一压盖组件、第二压盖组件、第三压盖组件和多个螺栓；

4、所述第一压盖组件连接于还原炉顶部法兰孔，所述第一压盖组件的内缘圆周排列有多个第一盲孔，所述第一压盖组件的实体部分设有环形冷却水流道；

5、所述第二压盖组件设有径向冷却水进口管和径向冷却水出口管，所述第二压盖组件的外缘均布有多个第一通孔；

6、所述第三压盖组件的外缘均布有多个第二通孔，所述第三压盖组件的内缘圆周排列有多个第二盲孔，用于螺纹连接微波柜管道；

7、每一个螺栓依次贯穿所述第二通孔和所述第一通孔，并螺纹连接于所述第一盲孔；

8、其中，所述第一压盖组件和所述第二压盖组件之间挤紧有第一镜片，所述第二压盖组件和所述第三压盖组件之间挤紧有第二镜片。

9、本实用新型的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

10、可选的，所述第一压盖组件的实体部分还设有径向氢气吹扫管道，用于向所述第一镜片的下表面吹出氢气。

11、可选的，所述第一镜片的边缘和所述第二镜片的边缘分别设有密封垫片。

12、可选的，所述第一压盖组件的内缘、所述第二压盖组件的内缘和所述第三压盖组件的内缘分别设有垫片槽，所述垫片槽对应于所述密封垫片。

13、可选的，所述第二通孔和所述第二盲孔位于所述第三压盖组件的上表面。

14、可选的，所述第三压盖组件包括依次同轴连接的上环板、圆筒和下环板，多个所述第二盲孔形成于所述上环板的内缘，多个所述第二通孔形成于所述下环板的外缘。

15、借由上述技术方案，本实用新型至少具有下列优点：

16、安装完毕本结构后，微波柜通过管道向还原炉内发射微波，使用本结构对还原炉内硅芯预热，降低硅芯阻值，促使电压击穿硅芯，高压击穿硅芯后，拆除微波柜管道和多个第二盲孔的螺纹连接关系，还原炉进入正常生产流程。

17、在上述过程中，每一个螺栓依次贯穿第二通孔和所述第一通孔，并螺纹连接于所述第一盲孔，固定第一镜片和第二镜片的位置，在第一镜片和第二镜片之间形成密闭空间，循环水通过径向冷却水进口管进入密闭空间，通过径向冷却水出口管流出密闭空间，循环水周而复始流动，冷却第一镜片和第二镜片；

18、同时，在第一压盖组件的实体部分中，循环水自环形冷却水流道的进口流入，并沿环形冷却水流道环形流动，再经出口流出，降低第一压盖组件的温度。

19、综上所述，在还原炉正常生产流程中，即使还原炉内部热量传递至第一镜片和第二镜片，该热量也由流动的循环水转移出本结构，避免第一镜片和第二镜片受热炸裂。

20、微波柜发射的微波通过本结构预热硅芯，降低阻值，而且由于第一镜片和第二镜片的阻隔，外界杂质不会进入还原炉，避免给硅芯带来杂质，影响产品质量；同时，还原炉内高温气体不能经过顶部法兰孔溢出，避免了安全隐患。

技术特征：

1.一种多晶硅还原炉硅芯微波加热馈入孔结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉硅芯微波加热馈入孔结构，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉硅芯微波加热馈入孔结构，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的多晶硅还原炉硅芯微波加热馈入孔结构，其特征在于，

5.根据权利要求1至4任一项所述的多晶硅还原炉硅芯微波加热馈入孔结构，其特征在于，

6.根据权利要求1至4任一项所述的多晶硅还原炉硅芯微波加热馈入孔结构，其特征在于，

技术总结本技术公开了一种多晶硅还原炉硅芯微波加热馈入孔结构，涉及多晶硅生产技术领域，主要目的是让微波通过馈入孔进入还原炉对硅芯加热，同时避免引入杂质。本技术的主要技术方案为：多晶硅还原炉硅芯微波加热馈入孔结构，包括：第一压盖组件连接于还原炉顶部法兰孔，第一压盖组件的内缘圆周排列有多个第一盲孔，第一压盖组件的实体部分设有环形冷却水流道；第二压盖组件设有径向冷却水进口管和径向冷却水出口管，第二压盖组件的外缘均布有多个第一通孔；第三压盖组件的外缘均布有多个第二通孔，第三压盖组件的内缘圆周排列有多个第二盲孔；螺栓依次贯穿第二通孔和第一通孔，并螺纹连接于第一盲孔。技术研发人员：莫可璋受保护的技术使用者：内蒙古大全新能源有限公司技术研发日：20231026技术公布日：2024/5/27