多晶硅还原炉的底盘组件的制作方法

本技术主要涉及多晶硅生产领域，尤其涉及一种多晶硅还原炉的底盘组件。

背景技术：

1、在多晶硅的生产技术中，改良西门子法为主要的生产方法，在改良西门子法制备多晶硅工艺过程中，还原炉尾气(温度在550℃-600℃左右)需要从还原炉的尾气管进入套管换热器进行冷却再进入尾气总管。在实际生产过程中，在持续高温的情况下尾气管道内侧结硅现象严重。随着尾气管内沉积硅的厚度增加，流体管线直径变小，流体受阻，会造成还原炉内压力、流场、温场不均衡。在一些特定情况下，这还会造成启炉失败、倒棒、多晶硅质量下降、电耗上升等情况，造成运行成本直接增加。因此需要定期清理尾气管内的结硅来保障生产稳定运行。

2、现有技术中对尾气管内沉积硅进行清洁时需要先暂停还原炉的运行，在氮气保护下通过敲击的方式将尾气管内的沉积硅敲去。然而这种清洁方式比较暴力，频繁清洁会导致尾气管损坏，并且还可能会破坏还原炉底盘内的结构。除此之外，清洁过程中还原炉停止运行时间较长，还会造成生产效率降低，增加生产成本。

技术实现思路

1、本实用新型要解决的技术问题是提供一种便于清洁，同时避免损伤还原炉的底盘组件。

2、为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种多晶硅还原炉的底盘组件，包括：底盘，具有至少一个台阶孔，台阶孔包括第一孔段、第二孔段和位于第一孔段与第二孔段之间的台阶，第一孔段的直径大于第二孔段的直径；尾气管，设于第二孔段内；以及内衬管，具有管体和位于管体顶端的凸缘，管体可拆卸地位于尾气管内，凸缘位于台阶上。

3、在本实用新型的一实施例中，内衬管和尾气管之间具有间隙。

4、在本实用新型的一实施例中，底盘组件还包括垫片，垫片包括位于中心的第一通孔；其中，垫片位于台阶和凸缘之间；第一通孔的直径大于管体的外径，管体穿过第一通孔。

5、在本实用新型的一实施例中，底盘组件还包括锁紧件，锁紧件位于凸缘上，并连接内衬管和底盘。

6、在本实用新型的一实施例中，锁紧件包括法兰盘；其中，法兰盘包括位于中心的第二通孔和位于第二通孔边缘的紧固孔，第二通孔的直径小于凸缘的直径；法兰盘位于凸缘上，并且法兰盘远离第二通孔的边缘与第一孔段配合。

7、在本实用新型的一实施例中，法兰盘的侧面和第一孔段的侧面分别具有螺纹，法兰盘和第一孔段通过螺纹配合。

8、在本实用新型的一实施例中，锁紧件包括还包括锁紧螺钉，锁紧螺钉穿过紧固孔。

9、在本实用新型的一实施例中，底盘组件还包括第一焊接部，第一焊接部位于台阶、第一孔段的表面和尾气管靠近第一孔段的一端，底盘和尾气管在第一焊接部密封。

10、在本实用新型的一实施例中，底盘组件还包括第二焊接部，第二焊接部位于尾气管远离第一孔段的位置，底盘和尾气管在第二焊接部焊接。

11、在本实用新型的一实施例中，内衬管为氮化硅材质。

12、与现有技术相比，本实用新型提供的多晶硅还原炉的底盘组件包含位于尾气管内可拆卸的内衬管，在需要对沉积硅进行清洁时将内衬管拆卸并更换即可，能够免于损伤底盘，同时拆卸更换时间较短，减少了还原炉停止工作的时长，提高了生产效率。

技术特征：

1.一种多晶硅还原炉的底盘组件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的底盘组件，其特征在于，所述内衬管和所述尾气管之间具有间隙。

3.如权利要求1所述的底盘组件，其特征在于，还包括垫片，所述垫片包括位于中心的第一通孔；其中，

4.如权利要求1所述的底盘组件，其特征在于，还包括锁紧件，所述锁紧件位于所述凸缘上，并连接所述内衬管和所述底盘。

5.如权利要求4所述的底盘组件，其特征在于，所述锁紧件包括法兰盘；其中，

6.如权利要求5所述的底盘组件，其特征在于，所述法兰盘的侧面和所述第一孔段的侧面分别具有螺纹，所述法兰盘和所述第一孔段通过所述螺纹配合。

7.如权利要求5所述的底盘组件，其特征在于，所述锁紧件包括还包括锁紧螺钉，所述锁紧螺钉穿过所述紧固孔。

8.如权利要求1所述的底盘组件，其特征在于，还包括第一焊接部，所述第一焊接部位于所述台阶、第一孔段的表面和所述尾气管靠近所述第一孔段的一端，所述底盘和所述尾气管在所述第一焊接部密封。

9.如权利要求1所述的底盘组件，其特征在于，还包括第二焊接部，所述第二焊接部位于所述尾气管远离所述第一孔段的位置，所述底盘和所述尾气管在所述第二焊接部焊接。

10.如权利要求1所述的底盘组件，其特征在于，所述内衬管为氮化硅材质。

技术总结本技术提供了一种多晶硅还原炉的底盘组件，包括：底盘，具有至少一个台阶孔，台阶孔包括第一孔段、第二孔段和位于第一孔段与第二孔段之间的台阶，第一孔段的直径大于第二孔段的直径；尾气管，设于第二孔段内；以及内衬管，具有管体和位于管体顶端的凸缘，管体可拆卸地位于尾气管内，凸缘位于台阶上。技术研发人员：王志刚受保护的技术使用者：天合光能股份有限公司技术研发日：20231101技术公布日：2024/5/29