用于气相沉积的盖板装置的制作方法

本发明涉及气相沉积领域，具体涉及一种用于气相沉积的盖板装置。

背景技术：

1、有机金属化学气相沉积法(简称mocvd法)是一种利用有机金属化合物的热分解反应进行气相外延生长薄膜的cvd技术。在用于进行气相沉积的设备中，需要在反应腔室的上方设置盖板装置，盖板装置的石墨盖板对反应腔室起到保温作用，使反应腔室在运行时维持真空高温环境，同时盖板装置设有气体通路，气体通路可用于供给反应气体和/或冷却气体。相关技术中，为了确保气体通路的畅通，盖板装置中的部分部件需要设在石墨盖板上，但由于石墨盖板较薄且易碎，因此在安装过程中，设在石墨盖板上的部件容易使石墨盖板受损或破裂，导致盖板装置的安装难度和安装成本过高。

技术实现思路

1、本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的实施例提出一种用于气相沉积的盖板装置，该用于气相沉积的盖板装置能够避免盖板本体在安装过程中受损和破裂。

2、本发明实施例的用于气相沉积的盖板装置包括：

3、基座组件；

4、吊接组件，所述吊接组件设在所述基座组件的底部；

5、连接组件，所述连接组件与所述吊接组件相连，且所述连接组件的顶部与所述基座组件之间具有间隙，所述连接组件绕竖直方向的外周面具有凸出的承载部；

6、盖板本体，所述盖板本体套设在所述连接组件的外周，并承载在所述承载部上。

7、本发明实施例的用于气相沉积的盖板装置通过吊接组件将连接组件吊设在基座组件底部，将盖板本体承载在连接组件的承载部上，以避免盖板本体上设有其他部件，从而避免盖板本体在安装过程中受损和破裂，同时，吊接组件使连接组件的顶部与基座组件之间具有间隙，从而确保反应气体和/或冷却气体能够在盖板装置内通过。

8、在一些实施例中，所述吊接组件包括：

9、第一连接件，所述第一连接件设在所述基座组件的底部，所述第一连接件绕竖直方向的外周面具有凸出的凸台；

10、弹性件，所述弹性件套设在所述第一连接件的外周，并承载在所述凸台上，所述连接组件承载在所述弹性件上。

11、在一些实施例中，所述连接组件具有多个第一安装孔，多个所述第一安装孔绕竖直方向间隔排布，多个所述第一安装孔一一对应的穿设多个所述第一连接件。

12、在一些实施例中，所述连接组件还具有多个限位槽，多个所述限位槽与多个所述第一安装孔一一对应设置，且多个所述弹性件的顶部一一对应的设在多个所述限位槽内。

13、在一些实施例中，所述连接组件包括：

14、连接环，所述连接环为绕竖直方向的环形，所述连接环与多个所述吊接组件相连；

15、承载环，所述承载环为绕竖直方向的环形，所述承载环与所述连接环相连，且所述承载环相对于所述连接环可沿竖直方向移动，所述承载环的外周面设有所述承载部。

16、在一些实施例中，所述连接环的内周面与所述承载环的外周面螺纹连接；或者

17、所述连接环的内周面和所述承载环的外周面中的一者设有卡槽，所述卡槽沿所述一者的周向延伸，并沿竖直方向倾斜设置，另一者设有卡扣，所述卡扣配合在所述卡槽内。

18、在一些实施例中，所述连接环的内周面与所述承载环的外周面之间设有用于气体通过的第一通道，所述第一通道和所述承载环环绕的空间均与所述间隙连通。

19、在一些实施例中，所述基座组件包括固定座和安装环，所述安装环为绕竖直方向的环形，所述安装环设在所述固定座底部，所述吊接组件设于所述固定座和/或所述安装环。

20、在一些实施例中，所述基座组件还包括第二连接件，所述第二连接件沿竖直方向延伸，并连接所述固定座和所述安装环，所述连接组件设有容纳空间，以用于容纳所述第二连接件的底部，所述吊接组件与所述固定座相连，所述安装环设有用于穿设所述吊接组件的通孔。

21、在一些实施例中，所述固定座设有沿竖直方向贯穿所述固定座的第一气孔，所述安装环设有沿竖直方向贯穿所述安装环的第二气孔，所述安装环顶部设有连通槽，所述连通槽沿所述安装环的周向延伸，并连通所述第一气孔和多个所述第二气孔，所述第二气孔的底部与所述间隙连通。

技术特征：

1.一种用于气相沉积的盖板装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的用于气相沉积的盖板装置，其特征在于，所述吊接组件(2)包括：

3.根据权利要求2所述的用于气相沉积的盖板装置，其特征在于，所述连接组件(3)具有多个第一安装孔(32)，多个所述第一安装孔(32)绕竖直方向间隔排布，多个所述第一安装孔(32)一一对应的穿设多个所述第一连接件(21)。

4.根据权利要求3所述的用于气相沉积的盖板装置，其特征在于，所述连接组件(3)还具有多个限位槽(33)，多个所述限位槽(33)与多个所述第一安装孔(32)一一对应设置，且多个所述弹性件(22)的顶部一一对应的设在多个所述限位槽(33)内。

5.根据权利要求1所述的用于气相沉积的盖板装置，其特征在于，所述连接组件(3)包括：

6.根据权利要求5所述的用于气相沉积的盖板装置，其特征在于，所述连接环(34)的内周面与所述承载环(35)的外周面螺纹连接；或者

7.根据权利要求5所述的用于气相沉积的盖板装置，其特征在于，所述连接环(34)的内周面与所述承载环(35)的外周面之间设有用于气体通过的第一通道(37)，所述第一通道(37)和所述承载环(35)环绕的空间均与所述间隙连通。

8.根据权利要求1所述的用于气相沉积的盖板装置，其特征在于，所述基座组件(1)包括固定座(11)和安装环(12)，所述安装环(12)为绕竖直方向的环形，所述安装环(12)设在所述固定座(11)底部，所述吊接组件(2)设于所述固定座(11)和/或所述安装环(12)。

9.根据权利要求8所述的用于气相沉积的盖板装置，其特征在于，所述基座组件(1)还包括第二连接件(13)，所述第二连接件(13)沿竖直方向延伸，并连接所述固定座(11)和所述安装环(12)，所述连接组件(3)设有容纳空间，以用于容纳所述第二连接件(13)的底部，所述吊接组件(2)与所述固定座(11)相连，所述安装环(12)设有用于穿设所述吊接组件(2)的通孔。

10.根据权利要求8所述的用于气相沉积的盖板装置，其特征在于，所述固定座(11)设有沿竖直方向贯穿所述固定座(11)的第一气孔(111)，所述安装环(12)设有沿竖直方向贯穿所述安装环(12)的第二气孔(121)，所述安装环(12)顶部设有连通槽(122)，所述连通槽(122)沿所述安装环(12)的周向延伸，并连通所述第一气孔(111)和多个所述第二气孔(121)，所述第二气孔(121)的底部与所述间隙连通。

技术总结本发明提供一种用于气相沉积的盖板装置，所述用于气相沉积的盖板装置包括基座组件、吊接组件、连接组件和盖板本体，吊接组件设在基座组件的底部，连接组件与吊接组件相连，且连接组件的顶部与基座组件之间具有间隙，连接组件绕竖直方向的外周面具有凸出的承载部，盖板本体套设在连接组件的外周，并承载在承载部上。本发明的用于气相沉积的盖板装置通过吊接组件将连接组件吊设在基座组件底部，将盖板本体承载在连接组件的承载部上，以避免盖板本体上设有其他部件，从而避免盖板本体在安装过程中受损和破裂，同时，吊接组件使连接组件的顶部与基座组件之间具有间隙，从而确保反应气体和/或冷却气体能够在盖板装置内通过。技术研发人员：傅林坚,刘毅,曹建伟,朱亮,梁旭,冯欣凯受保护的技术使用者：浙江求是半导体设备有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/11