成膜方法及成膜装置与流程

本发明涉及一种成膜方法及成膜装置。

背景技术：

1、已知形成含有环硼氮烷环骨架的氮化硼的技术(例如，参照专利文献1)。

2、【现有技术文献】

3、【专利文献】

4、【专利文献1】日本特开2016-63007号公报

技术实现思路

1、【发明所要解决的课题】

2、本发明提供了一种在低温下形成含有硼原子和氮原子的膜的技术。

3、【解决课题的手段】

4、根据本发明的一个方式的成膜方法，将依次进行如下工序的处理反复多次：向基板供给环硼氮烷系气体，使所述基板吸附所述环硼氮烷系气体的工序；和将所述基板暴露于氮等离子体的工序。

5、【发明的效果】

6、根据本发明，可以在低温下形成含有硼原子和氮原子的膜。

技术特征：

1.一种成膜方法，其中，将依次进行如下工序的处理反复多次：

2.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，

3.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，

4.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，

5.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的成膜方法，其中，

7.一种成膜装置，其中，

技术总结本发明提供在低温下能形成含有硼原子和氮原子的膜的成膜方法及成膜装置。根据本发明的一个方式的成膜方法，将依次进行如下工序的处理反复多次：向基板供给环硼氮烷系气体，使所述基板吸附所述环硼氮烷系气体的工序；和将所述基板暴露于氮等离子体的工序。技术研发人员：大越显,户根川大和,小川淳受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社技术研发日：技术公布日：2024/6/2