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化学气相沉积装置的制作方法

  • 国知局
  • 2024-07-17 13:52:08

本技术涉及显示装置制造,尤其涉及一种化学气相沉积装置。

背景技术:

1、随着半导体技术的发展,等离子体增强化学气相沉积(plasma enhancedchemical vapor deposition,pecvd)装置的开发和使用日益广泛。该装置利用相互平行相对的两块电极板置于真空环境中,其中一块电极板接射频(radio frequency,rf)电源,另一块电极板接地。使两块电极板之间产生射频电场,将需要成膜的基板放置于两块电极板间,待成膜工艺气体进入两块电极板之间,在射频电场的作用下被激发成为等离子体,等离子体吸附在基板表面或者和基板表面发生反应从而在基板表面形成薄膜。

2、参照图1所示,现有的一种化学气相沉积装置,包括壳体1′、上电极2′、下电极3′和输入管4′,壳体1′内设置有用于容纳玻璃基板5′的沉积腔室11′,上电极2′与下电极3′间隔设置在沉积腔室11′内,玻璃基板5′位于上电极2′与下电极3′之间,输入管4′焊接在上电极2′上,沉积镀膜时,上电极2′向下喷出带有等离子体的气体,并沉积在玻璃基板5′表面以形成薄膜结构。

3、现有技术存在以下不足:输入管4′直接焊接在上电极2′上,上电极2′使用过程中温度较高,一方面热胀冷缩容易造成焊缝破裂,影响输入管4′与上电极2′的连接强度,另一方面上电极2′的温度容易传导至输入管4′上,使输入管4′内的待成膜工艺气体在输入管4′内就开始反应,造成材料的浪费甚至产生其他不良物质影响玻璃基板5′镀膜质量。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提出一种化学气相沉积装置,其结构简单,且镀膜质量高。

2、为达此目的,本实用新型采用以下技术方案:

3、提供的一种化学气相沉积装置,包括支架、第一电极和进料组件,其中所述第一电极包括主体部和连接部,所述主体部上凸出设置有所述连接部,所述主体部用于连接射频电源,所述连接部用于输送反应气体,所述连接部远离所述主体部的一端设置有第一法兰,所述腔体内沿竖直方向间隔设置有所述第一电极和第二电极,所述第二电极用于接地,且所述第二电极用于承托待镀工件;所述进料组件包括导料管和绝缘隔热垫,所述导料管固定在所述支架上,所述导料管设置有第二法兰,所述第一法兰与所述第二法兰可拆卸连接,且所述第一法兰与所述第二法兰之间设置有所述绝缘隔热垫。

4、作为化学气相沉积装置的一种优选方案,所述导料管包括相互连接的主管和波纹管,所述主管设置在所述支架上,所述波纹管用于补偿热胀冷缩引起的尺寸变化。

5、作为化学气相沉积装置的一种优选方案,所述波纹管上设置有第三法兰,所述主管上设置有第四法兰,所述第三法兰与所述第四法兰可拆卸连接。

6、作为化学气相沉积装置的一种优选方案,相邻两个法兰中的一者设置有导向部,另一者设置有导向槽,所述导向部插设于所述导向槽内。

7、作为化学气相沉积装置的一种优选方案,所述导向部和所述导向槽两者中的一者设置有第一磁铁,另一者设置有第二磁铁,所述第一磁铁与所述第二磁铁相吸。

8、作为化学气相沉积装置的一种优选方案,所述主管包括间隔设置的第一主管和第二主管,所述波纹管连接所述第一主管和所述第二主管,所述第一主管与所述连接部连接,所述第二主管用于连接外部反应气体源,所述进料组件还包括液冷管,所述液冷管呈多圈环绕设置在所述第二主管的外周。

9、作为化学气相沉积装置的一种优选方案,所述第一主管包括第一支体部和第二支体部,所述第一支体部与所述连接部连接,所述第二支体部与所述第一支体部呈夹角设置。

10、作为化学气相沉积装置的一种优选方案,所述支架包括第一支撑件和第二支撑件,所述第一支撑件与所述第二支撑件两者中一者与所述导料管连接,另一者用于供给支撑力,所述第一支撑件可相对所述第二支撑件沿竖直方向滑动并锁定。

11、作为化学气相沉积装置的一种优选方案,所述第一支撑件为第一管,所述第二支撑件为第二管,所述第一管插设于所述第二管内,所述第一管的外周侧壁开设有第一螺纹孔,所述第二管的外周侧壁开设腰型孔,且所述腰型孔的长度沿所述竖直方向延伸,第一螺栓穿过所述腰型孔旋拧至所述第一螺纹孔内,以使调节位置后的所述第一管与所述第二管固定。

12、作为化学气相沉积装置的一种优选方案,所述进料组件还包括密封件,所述第一法兰与所述绝缘隔热垫之间设置有所述密封件;和/或,所述第二法兰与所述绝缘隔热垫之间设置有所述密封件;和/或,所述密封件为套筒状,所述密封件套设在所述第一法兰与所述第二法兰的外周侧。

13、本实用新型相比于现有技术的有益效果:

14、本实用新型的化学气相沉积装置,通过利用第一法兰与第二法兰的可拆卸连接,以使导料管与第一电极连接,连接便利且连接强度高,避免第一电极的温度传导导致第一电极与导料管间焊缝破裂等连接不稳定现象;通过在第一法兰与第二法兰间设置绝缘隔热垫,避免第一电机的射频电流及温度传导至导料管上而造成反应气体在导料管内提前反应的现象,提升反应气体的利用率及保障待镀工件的镀膜质量。

技术特征:

1.一种化学气相沉积装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置,其特征在于,所述导料管包括相互连接的主管和波纹管,所述主管设置在所述支架上,所述波纹管用于补偿热胀冷缩引起的尺寸变化。

3.根据权利要求2所述的化学气相沉积装置,其特征在于,所述波纹管上设置有第三法兰,所述主管上设置有第四法兰,所述第三法兰与所述第四法兰可拆卸连接。

4.根据权利要求3所述的化学气相沉积装置,其特征在于,相邻两个法兰中的一者设置有导向部,另一者设置有导向槽,所述导向部插设于所述导向槽内。

5.根据权利要求4所述的化学气相沉积装置,其特征在于,所述导向部和所述导向槽两者中的一者设置有第一磁铁,另一者设置有第二磁铁,所述第一磁铁与所述第二磁铁相吸。

6.根据权利要求2-5任一项所述的化学气相沉积装置,其特征在于,所述主管包括间隔设置的第一主管和第二主管,所述波纹管连接所述第一主管和所述第二主管,所述第一主管与所述连接部连接,所述第二主管用于连接外部反应气体源,所述进料组件还包括液冷管,所述液冷管呈多圈环绕设置在所述第二主管的外周。

7.根据权利要求6所述的化学气相沉积装置,其特征在于,所述第一主管包括第一支体部和第二支体部,所述第一支体部与所述连接部连接,所述第二支体部与所述第一支体部呈夹角设置。

8.根据权利要求1-5任一项所述的化学气相沉积装置,其特征在于,所述支架包括第一支撑件和第二支撑件,所述第一支撑件与所述第二支撑件两者中一者与所述导料管连接,另一者用于供给支撑力,所述第一支撑件可相对所述第二支撑件沿竖直方向滑动并锁定。

9.根据权利要求8所述的化学气相沉积装置,其特征在于,所述第一支撑件为第一管,所述第二支撑件为第二管,所述第一管插设于所述第二管内,所述第一管的外周侧壁开设有第一螺纹孔,所述第二管的外周侧壁开设腰型孔,且所述腰型孔的长度沿所述竖直方向延伸,第一螺栓穿过所述腰型孔旋拧至所述第一螺纹孔内,以使调节位置后的所述第一管与所述第二管固定。

10.根据权利要求1-5任一项所述的化学气相沉积装置,其特征在于,所述进料组件还包括密封件,所述第一法兰与所述绝缘隔热垫之间设置有所述密封件;和/或,所述第二法兰与所述绝缘隔热垫之间设置有所述密封件;和/或,所述密封件为套筒状,所述密封件套设在所述第一法兰与所述第二法兰的外周侧。

技术总结本技术涉及一种化学气相沉积装置,包括支架、第一电极和进料组件,其中第一电极包括主体部和连接部,主体部用于连接射频电源,连接部用于输送反应气体,连接部远离主体部的一端设有第一法兰;腔体内沿竖直方向间隔设有第一电极和第二电极,第二电极用于承托待镀工件;进料组件包括导料管和绝缘隔热垫,导料管固定在支架上,导料管设置有第二法兰,第一法兰与第二法兰可拆卸连接,且第一法兰与第二法兰之间设置有绝缘隔热垫。本技术的化学气相沉积装置通过在第一法兰与第二法兰间设置绝缘隔热垫,避免第一电机的射频电流及温度传导至导料管上而造成反应气体在导料管内提前反应的现象,提升反应气体的利用率及保障待镀工件的镀膜质量。技术研发人员:杨贤烁受保护的技术使用者:乐金显示光电科技(中国)有限公司技术研发日:20231114技术公布日:2024/7/9

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