粘接方法与流程

本发明涉及微电子半导体粘接领域，尤其涉及一种优化的粘接方法。

背景技术：

1、粘接是半导体加工的重要步骤，其粘接效果往往对半导体性能有重要影响作用。例如半导体晶圆在加工过程中通常要经过切割和研磨等及工序，这些工序都需要将晶圆粘接在陶瓷基板上进行；又如两待连接基板的粘接。传统的方法是用粘结剂如树脂胶进行粘接，然而常见的问题是粘接后树脂胶中含有气泡，造成粘接不牢固不稳定，从而影响后续工序的作业效果，进而影响半导体产品的性能。

2、因此，亟待提供一种优化的粘接方法以克服以上缺陷。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种优化的粘接方法，可以有效地去除粘结剂的气泡，从而提高粘接牢固性，而且该方法简单易于实现和操作。

2、为实现上述目的，本发明的粘接方法包括：

3、将uv胶涂布在待粘接的第一粘接件和第二粘接件之间；

4、使所述第一粘接件和所述第二粘接件在负压环境下旋转，并控制负压环境的温度范围在10-60℃；以及

5、向所述uv胶照射紫外光使所述uv胶固化；

6、其中，所述uv胶包含热引发剂。

7、与现有技术相比，本发明使用具有热引发剂的uv胶作为粘接介质，并且在uv胶进行紫外光固化之前，使uv胶涂布在待粘接的第一粘接件和第二粘接件之间并使uv胶连同待粘接件在负压环境下旋转，由此，在uv胶旋转的过程中，uv胶中的气泡被甩出并破裂，从而改善后续的固化效果，最终提升粘接效果；而且在旋转时控制温度在10-60℃，因为过高的温度会造成包含热引发剂的uv胶发生性变，从而避免uv胶在旋转过程中被逐渐固化，该温度条件容易实现，易操作。

8、较佳地，所述uv胶还包含聚氨酯改性丙烯酸酯、触变剂填料、uv光引发剂、稀释剂、稳定剂。

9、较佳地，所述热引发剂选自过氧化苯甲酰、过氧化月桂酰、过氧化苯甲酰叔丁酯、过氧化甲乙酮、过氧化异丙苯、过氧化二碳酸二异丙酯、过氧化二碳酸二环己酯、叔丁基过氧化-2-乙基己酸酯、过氧化异辛酸叔丁酯及其任意混合物。

10、较佳地，所述热引发剂的含量范围为0.2％-8％。

11、较佳地，所述聚氨酯改性丙烯酸酯包括一种或多种聚氨酯改性的二官能丙烯酸酯化物。

12、较佳地，所述触变剂填料包括碳纳米管及长纤纳米纤维。

13、较佳地，所述负压环境的压力为-1.00±0.02mpa。

技术特征：

1.一种粘接方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的粘接方法，其特征在于：所述uv胶还包含聚氨酯改性丙烯酸酯、触变剂填料、uv光引发剂、稀释剂、稳定剂。

3.如权利要求1所述的粘接方法，其特征在于：所述热引发剂选自过氧化苯甲酰、过氧化月桂酰、过氧化苯甲酰叔丁酯、过氧化甲乙酮、过氧化异丙苯、过氧化二碳酸二异丙酯、过氧化二碳酸二环己酯、叔丁基过氧化-2-乙基己酸酯、过氧化异辛酸叔丁酯及其任意混合物。

4.如权利要求3所述的粘接方法，其特征在于：所述热引发剂的含量范围为0.2％-8％。

5.如权利要求2所述的粘接方法，其特征在于：所述聚氨酯改性丙烯酸酯包括一种或多种聚氨酯改性的的二官能丙烯酸酯化物。

6.如权利要求2所述的粘接方法，其特征在于：所述触变剂填料包括碳纳米管及长纤纳米纤维。

7.如权利要求1所述的粘接方法，其特征在于：所述负压环境的气压为-1.00±0.02mpa。

技术总结本发明的粘接方法包括：将UV胶涂布在待粘接的第一粘接件和第二粘接件之间；使所述第一粘接件和所述第二粘接件在负压环境下旋转，并控制负压环境的温度范围在10‑60℃；以及向所述UV胶照射紫外光使所述UV胶固化；其中，所述UV胶包含热引发剂。本发明可以有效地去除粘结剂的气泡，从而提高粘接牢固性，进而提高产后续固化及粘接效果；而且该方法简单易于实现和操作。技术研发人员：支向奇受保护的技术使用者：东莞新科技术研究开发有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/29