切割带的制作方法

本发明涉及切割带。

背景技术：

1、以往，在半导体装置的制造中，为了获得芯片接合用半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜是已知的。

2、前述切割芯片接合薄膜具备在基材上层叠有粘合剂层的切割带和以能够剥离的方式层叠在该切割带的粘合剂层上的芯片接合层。

3、并且，作为使用前述切割芯片接合薄膜来获得芯片接合用半导体芯片(小片)的方法，下述专利文献1中记载了一种方法，其包括：半切割工序，其为了通过割断处理将半导体晶圆加工成芯片(小片)而在半导体晶圆中形成槽；背面研磨工序，其对半切割工序后的半导体晶圆进行磨削而减薄厚度；安装工序，其将背面研磨工序后的半导体晶圆的一面(例如与电路面相反一侧的面)粘贴于芯片接合层，从而将半导体晶圆固定于切割带；扩展工序，其扩宽经半切割加工的半导体芯片彼此的间隔；切口维持工序，其维持半导体芯片彼此的间隔；拾取工序，其将芯片接合层与粘合剂层之间进行剥离，在粘贴有芯片接合层的状态下取出半导体芯片；以及芯片接合工序，其使粘贴有芯片接合层的状态的半导体芯片粘接于被粘物(例如安装基板等)。

4、并且，下述专利文献1中记载了：作为前述扩展工序，首先将粘贴在前述半导体晶圆的一面上的前述芯片接合层割断成与前述半导体芯片的尺寸相当的大小，得到多个带有芯片接合层的半导体芯片，并且，为了隔开相邻的带有芯片接合层的半导体芯片彼此的间隔，在-20℃～5℃这一低温下实施第一扩展工序，接着，为了进一步扩宽相邻的带有芯片接合层的半导体芯片彼此的间隔，在更高温度条件下(例如室温(23℃))下实施第二扩展工序。

5、另外，下述专利文献1中也记载了：在前述切口维持工序中，对前述切割带吹送热风(例如100～130℃)，在使前述切割带发生热收缩(热缩)后使其冷却固化，从而维持相邻的带有芯片接合层的半导体芯片之间的距离(切口)。

6、在上述那样的获得半导体芯片(小片)的方法中，前述扩展工序和前述热缩工序通常利用扩展装置(扩展器)来实施，前述拾取工序和前述芯片接合工序通常利用芯片接合装置(芯片接合器)来实施。

7、现有技术文献

8、专利文献

9、专利文献1：日本特开2021-77753号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、然而，在获得半导体芯片(小片)的方法中，作为前述扩展工序，有时不实施前述第一扩展工序而仅实施前述第二扩展工序，在此基础上，省略前述扩展工序后的前述热缩工序。

3、并且，在这种情况下，有时不利用前述扩展装置来实施前述第二扩展工序(不使用前述扩展装置)，而是在前述芯片接合装置中，在前述拾取工序和前述芯片接合工序之前实施前述第二扩展工序。

4、如上所述那样，在利用前述芯片接合装置来实施前述第二扩展工序和前述芯片接合工序这两者时，在前述芯片接合工序中，有时不使通过前述第二扩展工序而得到的多个带有芯片接合层的半导体芯片一次性地全部进行芯片接合，而是将带有芯片接合层的半导体芯片的一部分进行芯片接合。

5、在这种情况下，具有剩余的带有芯片接合层的半导体芯片的前述切割芯片接合薄膜从前述芯片接合装置中暂时被取出。

6、以具备剩余的带有芯片接合层的半导体芯片的状态从前述芯片接合装置取出的前述切割芯片接合薄膜暂时被保管。

7、然而，在该保管时，对于前述切割芯片接合薄膜而言，由于相邻的带有芯片接合层的半导体芯片彼此的间隔狭窄，因此，芯片接合层彼此有时会粘在一起。

8、上述那样的切割芯片接合薄膜在将剩余的带有芯片接合层的半导体芯片进行芯片接合时，再次以沿着面方向进行了拉伸的状态安装于前述芯片接合装置。另一方面，如上所述那样，若相邻的芯片接合层彼此粘在一起，则在沿着面方向进行拉伸后，有时无法充分消除相邻芯片接合层彼此的粘连。

9、像这样，若无法充分消除相邻芯片接合层彼此的粘连，则在前述拾取工序中，难以拾取各个带有芯片接合层的半导体芯片，故不优选。

10、然而，在利用芯片接合装置来实施芯片接合工序和扩展工序这两者的工艺中，关于充分消除粘在一起的相邻芯片接合层彼此的粘连，难以说已经进行了充分研究。

11、因而，本发明的课题在于，提供在利用芯片接合装置来实施芯片接合工序和扩展工序这两者的工艺中，能够充分消除粘在一起的相邻芯片接合层彼此的粘连的切割带。

12、用于解决问题的方案

13、本发明人等进行深入研究时发现：对于切割芯片接合薄膜所具备的切割带，在交替反复进行3次将前述切割带以500mm/min的速度沿着面方向拉伸至成为原长度的180％的长度的操作和将拉伸的前述切割带复原的操作时，通过将第3次拉伸时测得的拉伸应力的值设为7n/10mm以上，从而在利用芯片接合装置来实施芯片接合工序和扩展工序这两者的工艺中，能够充分消除粘在一起的相邻芯片接合层彼此的粘连。

14、并且，想到了本发明。

15、即，本发明所述的切割带在交替反复进行3次将前述切割带以500mm/min的速度沿着面方向拉伸至成为原长度的180％的长度的操作和将拉伸后的前述切割带复原的操作时，在第3次拉伸时测得的拉伸应力的值为7n/10mm以上。

16、发明的效果

17、根据本发明，在利用芯片接合装置来实施芯片接合工序和扩展工序这两者的工艺中，能够充分消除粘在一起的相邻芯片接合层彼此的粘连。

技术特征：

1.一种切割带，其具备基材和层叠在该基材上的粘合剂层，

2.根据权利要求1所述的切割带，其中，交替反复进行3次所述拉伸和所述复原时，在第3次拉伸时测得的拉伸储能模量的值为18n/mm2以上。

3.根据权利要求1或2所述的切割带，其中，交替反复进行3次所述拉伸和所述复原时，

4.根据权利要求2所述的切割带，其中，交替反复进行3次所述拉伸和所述复原时，

5.根据权利要求1所述的切割带，其中，所述粘合剂层包含通过活性能量射线的照射而固化的固化成分，

6.根据权利要求5所述的切割带，其中，在所述活性能量射线的照射前和照射后，

7.根据权利要求5或6所述的切割带，其中，在所述活性能量射线的照射前和照射后，

8.根据权利要求6所述的切割带，其中，在所述活性能量射线的照射前和照射后，

技术总结本发明提供在利用芯片接合装置来实施芯片接合工序和扩展工序这两者的工艺中能够充分消除粘在一起的相邻芯片接合层彼此的粘连的切割带。本发明所述的切割带具备基材和层叠在该基材上的粘合剂层，交替反复进行3次将前述切割带以500mm/min的速度沿着面方向拉伸至成为原长度的180％的长度为止的操作和将拉伸后的前述切割带复原的操作时，在第3次拉伸时测得的拉伸应力的值为7N/10mm以上。技术研发人员：木村雄大,畠山义治,入江瞳受保护的技术使用者：日东电工株式会社技术研发日：技术公布日：2024/6/30