切割芯片接合薄膜和半导体装置的制造方法与流程

本发明涉及例如在制造半导体装置等时使用的切割芯片接合薄膜。

背景技术：

1、以往，已知在半导体装置等的制造中使用的切割芯片接合薄膜。这种切割芯片接合薄膜具备例如切割带、以及层叠于该切割带且粘接于半导体晶圆的芯片接合片。切割带具有基材层以及与芯片接合片接触的粘合剂层。这种切割芯片接合薄膜在半导体装置的制造中例如像下述那样地使用。

2、制造半导体装置的方法通常具备如下工序：前工序，利用高集成的电子电路在圆板状的裸晶圆的单面侧形成电路面；以及后工序，从形成有电路面的半导体晶圆切出半导体芯片并进行组装。

3、例如，后工序具有如下工序：隐形切割(stealth dicing)工序，利用激光在半导体晶圆中形成用于将半导体晶圆切割成小的半导体芯片(小片)的脆弱部位；安装工序，将半导体晶圆的与电路面相反一侧的面粘贴于芯片接合片，借助芯片接合片将半导体晶圆固定于切割带；扩展工序，沿着半导体晶圆的放射方向拉伸切割带，将形成有脆弱部位的半导体晶圆与芯片接合片一同割断，扩展相邻的半导体芯片(小片)的间隔；拾取工序，在芯片接合片与粘合剂层之间进行剥离，将粘贴有芯片接合片的状态的半导体芯片取出；芯片接合工序，使粘贴有芯片接合片的状态的半导体芯片借助芯片接合片而粘接于被粘物；以及固化工序，将粘接于被粘物的芯片接合片进行热固化处理。半导体装置例如历经这些工序来制造。

4、在上述那样的半导体装置的制造方法中，例如存在以下的情况：在实施上述扩展工序后，在被割断的多个半导体芯片的周围，切割带发生松弛，间隔已经扩展的相邻半导体芯片彼此发生接触。

5、对此，为了抑制上述那样的切割带的松弛、防止相邻半导体芯片的接触，已知有相对于在高温下加热前的切割带的长度，限定了加热后的切割带的长度的切割芯片接合薄膜(例如专利文献1)。

6、详细而言，在专利文献1所述的切割芯片接合薄膜中，相对于在100℃下加热1分钟前的切割带的md方向的第一长度100％，前述加热后的前述md方向的第二长度为95％以下。

7、根据专利文献1所述的切割芯片接合薄膜，能够抑制切割带在通过拉伸切割带而被割断的多个半导体芯片的周围发生松弛。由此，能够充分隔开相邻半导体芯片之间的间隔距离(切口)，能够防止半导体芯片彼此的接触。

8、现有技术文献

9、专利文献

10、专利文献1：日本特开2016-115775号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、然而，针对在扩展工序中拉伸切割带后不仅能够抑制相邻半导体芯片之间的间隔距离(切口)因部位而发生偏差、拉伸时的切割带的破裂也受到抑制、且能够良好地割断芯片接合片的切割芯片接合薄膜，尚未进行充分研究。

3、因而，本发明的课题在于，提供在扩展工序中不仅能够抑制相邻半导体芯片之间的间隔距离(切口)因部位而产生偏差，切割带的破裂也受到抑制、且能够良好地割断芯片接合片的切割芯片接合薄膜。

4、用于解决问题的方案

5、为了解决上述课题，本发明所述的切割芯片接合薄膜的特征在于，

6、其具备：具有基材层和重叠于该基材层的粘合剂层的切割带、以及重叠于该切割带的芯片接合片，

7、前述切割带在120℃下的拉伸储能模量为0.10mpa以上，并且，在-15℃下的拉伸储能模量为280mpa以上且500mpa以下。

8、本发明所述的半导体装置的制造方法中，使用切割芯片接合薄膜来制造具有半导体芯片的半导体装置，所述切割芯片接合薄膜具备：具有基材层和重叠于该基材层的粘合剂层的切割带、以及重叠于该切割带的芯片接合片，

9、前述切割带在120℃下的拉伸储能模量为0.10mpa以上，并且，在-15℃下的拉伸储能模量为280mpa以上且500mpa以下，

10、所述半导体装置的制造方法具备如下工序：

11、安装工序，通过向前述切割带的前述粘合剂层与半导体晶圆之间配置前述芯片接合片，从而借助前述芯片接合片将前述半导体晶圆固定于前述切割带；以及

12、扩展工序，通过拉伸前述切割带而将前述半导体晶圆与前述芯片接合片一同割断，得到前述半导体晶圆经小片化的前述半导体芯片。

技术特征：

1.一种切割芯片接合薄膜，其具备：具有基材层和重叠于该基材层的粘合剂层的切割带、以及重叠于该切割带的芯片接合片，

2.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述基材层具有层叠的多个层，

3.根据权利要求1或2所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述基材层具有层叠的多个层，

4.根据权利要求1或2所述的切割芯片接合薄膜，其中，通过纳米压痕仪测定而算出的0℃下的所述粘合剂层的弹性模量大于0.60mpa。

5.根据权利要求1或2所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述芯片接合片在0℃下的断裂伸长率小于4.7％。

6.一种半导体装置的制造方法，其中，使用切割芯片接合薄膜来制造具有半导体芯片的半导体装置，所述切割芯片接合薄膜具备：具有基材层和重叠于该基材层的粘合剂层的切割带、以及重叠于该切割带的芯片接合片，

技术总结本发明涉及切割芯片接合薄膜和半导体装置的制造方法。提供一种切割芯片接合薄膜等，其具备基材层、重叠于该基材层且具有粘合剂层的切割带、以及重叠于该切割带的芯片接合片，前述切割带在120℃下的拉伸储能模量为0.10MPa以上，并且，在‑15℃下的拉伸储能模量为280MPa以上且500MPa以下。技术研发人员：福井章洋,角野雅俊,大西谦司受保护的技术使用者：日东电工株式会社技术研发日：技术公布日：2024/6/23