半导体工艺用抛光组合物及基板的抛光方法与流程

本实施方式涉及一种半导体工艺用抛光组合物以及适用抛光组合物的基板的抛光方法，所述抛光组合物抑制由于微生物和/或霉菌的增殖而导致的抛光性能劣化并抑制抛光产物的缺陷发生。

背景技术：

1、随着半导体器件变得更加细微化和高密度化，正在使用更精细的图案形成技术，相应地，半导体器件的表面结构也变得更加复杂，层间膜的高度差也越来越大。在制造半导体器件时，作为用于去除形成在基板上的特定膜的高度差的平坦化技术，使用化学机械抛光(chemical mechanical polishing，以下称为“cmp”)工艺。

2、在cmp工艺中，将浆料供应到抛光垫，在加压、旋转基板的同时抛光表面。待平坦化的对象根据工艺步骤而不同，并根据各个对象适用不同的浆料。

3、为了有效地进行cmp工艺，作为浆料适用的半导体工艺用组合物的储存稳定性等的重要性也日益增加。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1韩国公开专利第10-2021-0014185号

7、专利文献2韩国公开专利第10-2019-0072116号

技术实现思路

1、技术问题

2、本实施方式的目的在于提供一种半导体工艺用组合物，其具有改善的存储稳定性、缺陷抑制性能等。本实施方式的另一目的在于提供一种基板的抛光方法，其提高半导体工艺用组合物的储存稳定性等，抑制缺陷发生，并能够进行更有效的抛光工艺。

3、解决问题的方案

4、为了实现上述目的，根据本实施方式的半导体工艺用组合物包括磨料颗粒、水及杀生物剂，上述杀生物剂包括第一杀生物剂和第二杀生物剂，上述第一杀生物剂包含噻唑啉酮类化合物，上述第二杀生物剂包含氯酸类化合物。

5、在半导体工艺用组合物中，基于100重量份的上述磨料颗粒，上述杀生物剂的含量可以小于0.16重量份。

6、在半导体工艺用组合物中，上述第一杀生物剂和上述第二杀生物剂的重量比例可以为1:0.1至1:1。

7、在半导体工艺用组合物中，基于100重量份的上述磨料颗粒，上述第一杀生物剂的含量可以为0.01重量份至0.15重量份。

8、在半导体工艺用组合物中，基于100重量份的上述磨料颗粒，上述第二杀生物剂的含量可以为0.005重量份至0.1重量份。

9、上述磨料颗粒可以包括胶态二氧化硅。

10、上述胶态二氧化硅的直径d50可以为20nm至60nm。

11、上述胶态二氧化硅的含量基于上述半导体工艺用组合物的总量可以为2重量％以上。

12、上述半导体工艺用组合物的ph可以等于或大于2且小于4.5。

13、当将上述半导体工艺用组合物在60℃的气氛中放置12小时时，每升的上述半导体工艺用组合物含有15个以下的直径为5μm以上的颗粒。

14、当将上述半导体工艺用组合物在60℃的气氛中放置12小时时，每升的上述半导体工艺用组合物含有150个以下的直径为1μm以上的颗粒。

15、上述半导体工艺用组合物还可包括垫(pad)保护剂。

16、上述垫保护剂可以包含糖醇化合物或二糖类化合物。

17、为了实现上述目的，根据本实施方式的基板的抛光方法包括：准备步骤，准备安装有抛光垫的平台和用于容纳基板的载体，以及抛光步骤，旋转上述平台和上述载体中的至少一者，通过上述抛光垫的抛光表面使上述基板的表面平坦化，以制造抛光后的基板；上述抛光是在半导体工艺用组合物的存在下进行的，上述半导体工艺用组合物为上面说明的半导体工艺用组合物。

18、抛光后的上述基板的表面包括绝缘膜和钨膜，并且基于直径为300mm的圆形晶片的一面，抛光后的上述基板的钨缺陷可以为70个以下。

19、抛光后的上述基板表面包括绝缘膜和钨膜，上述钨膜的抛光率与上述绝缘膜的抛光率的比率为1:11至1:15。

20、发明的效果

21、本实施方式的半导体工艺用组合物可以提供具有提高的存储稳定性且能够方便地适用于半导体工艺的组合物。另外，可以进一步提高抛光后的基板的表面特性。本实施方式的基板的抛光方法可以通过适用具有改善的存储稳定性和缺陷抑制性能等的半导体工艺用组合物来有效地抛光出具有优异表面特性的基板。尤其，当抛光同时包括绝缘膜(氧化硅膜等)和金属膜(钨等)的基板时，上述抛光方法可更有效地进行抛光。

技术特征：

1.一种半导体工艺用组合物，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体工艺用组合物，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体工艺用组合物，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体工艺用组合物，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体工艺用组合物，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的半导体工艺用组合物，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的半导体工艺用组合物，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的半导体工艺用组合物，其特征在于，

9.根据权利要求7所述的半导体工艺用组合物，其特征在于，

10.根据权利要求1所述的半导体工艺用组合物，其特征在于，

11.一种基板的抛光方法，其特征在于，

12.根据权利要求11所述的基板的抛光方法，其特征在于，

13.根据权利要求11所述的基板的抛光方法，其特征在于，

技术总结提出半导体工艺用组合物、基板的抛光方法等。本实施方式的半导体工艺用组合物包括磨料颗粒、水及杀生物剂，上述杀生物剂包括第一杀生物剂和第二杀生物剂，上述第一杀生物剂包含噻唑啉酮类化合物，上述第二杀生物剂包含氯酸类化合物。即使适用微量的杀生物剂，也对各种微生物有抑制作用，并能够提高分散稳定性。尤其，当适用于钨和氧化硅膜的抛光时有效。技术研发人员：洪承哲,明康植,韩德洙,朴韩址,崔容寿受保护的技术使用者：SK恩普士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/9