半导体纳米粒子及其制造方法与流程

本公开涉及半导体纳米粒子及其制造方法。

背景技术：

1、对于半导体粒子而言，已知如果其粒径为例如20nm以下，则会表现出量子尺寸效应，这样的纳米粒子被称为量子点(也被称为半导体量子点)。量子尺寸效应是指如下现象：在大尺寸粒子中被视为连续的价电子带和导带的各自的能带在将粒径设为纳米尺寸时变成离散的，带隙能量与粒径对应地发生变化的现象。

2、量子点可以吸收光并将其波长转换为与其带隙能量对应的光，因此提出了利用量子点的发光的白色发光器件。与此相关，提出了可进行带边发光且可成为低毒性组成的三元系半导体纳米粒子的高效的制造方法(例如参照专利文献1)。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：国际公开第wo2022/191032号

技术实现思路

1、发明所要解决的问题

2、对于可实现带边发光的半导体纳米粒子，要求耐久性的进一步提高。本公开的一个方式的目的在于提供耐久性优异的半导体纳米粒子及其制造方法。

3、解决问题的方法

4、第一方式涉及一种半导体纳米粒子的制造方法，该方法包括：

5、准备第1半导体纳米粒子，所述第1半导体纳米粒子具备：包含银(ag)、铟(in)、镓(ga)及硫(s)的第1半导体、和配置于第1半导体的表面且包含镓(ga)及硫(s)的第2半导体；

6、对包含第1半导体纳米粒子、镓(ga)源及硫(s)源的第1混合物进行第1热处理而得到包含半导体复合粒子的第1热处理物；以及

7、对包含半导体复合粒子及镓卤化物的第2混合物进行第2热处理而得到第2热处理物。

8、第二方式涉及一种半导体纳米粒子，其具备：包含银(ag)、铟(in)、镓(ga)及硫(s)的第3半导体、和配置于第3半导体的表面且包含ga及s的第4半导体。半导体纳米粒子的平均粒径为7.5nm以上，内部量子产率为50％以上，发光光谱的半值宽度为30nm以下。

9、发明的效果

10、根据本公开的一个方式，可以提供耐久性优异的半导体纳米粒子及其制造方法。

技术特征：

1.一种半导体纳米粒子的制造方法，该方法包括：

2.根据权利要求1所述的半导体纳米粒子的制造方法，其中，

3.根据权利要求2所述的半导体纳米粒子的制造方法，其中，

4.根据权利要求2所述的半导体纳米粒子的制造方法，其中，

5.根据权利要求1所述的半导体纳米粒子的制造方法，该方法进一步包括：

6.根据权利要求5所述的半导体纳米粒子的制造方法，其中，

7.根据权利要求5所述的半导体纳米粒子的制造方法，其中，

8.根据权利要求1所述的半导体纳米粒子的制造方法，其中，

9.根据权利要求1所述的半导体纳米粒子的制造方法，其中，

10.一种半导体纳米粒子，其具备：

11.根据权利要求10所述的半导体纳米粒子，其中，

12.根据权利要求11所述的半导体纳米粒子，其中，

13.根据权利要求10所述的半导体纳米粒子，其是通过权利要求1～9中任一项所述的制造方法而制造的。

14.根据权利要求11所述的半导体纳米粒子，其是通过权利要求1～9中任一项所述的制造方法而制造的。

技术总结本发明提供耐久性优异的半导体纳米粒子的制造方法。半导体纳米粒子的制造方法包括：准备第1半导体纳米粒子，所述第1半导体纳米粒子具备包含银(Ag)、铟(In)、镓(Ga)及硫(S)的第1半导体、和配置于上述第1半导体的表面且包含镓(Ga)及硫(S)的第2半导体；对包含上述第1半导体纳米粒子、镓(Ga)源及硫(S)源的第1混合物进行第1热处理而得到包含半导体复合粒子的第1热处理物；以及对包含上述半导体复合粒子及镓卤化物的第2混合物进行第2热处理而得到第2热处理物。技术研发人员：五十川阳平,加藤俊受保护的技术使用者：日亚化学工业株式会社技术研发日：技术公布日：2024/6/13