冷却装置及半导体工艺设备的制作方法

本申请涉及半导体制备，尤其涉及一种冷却装置及半导体工艺设备。

背景技术：

1、半导体硅片作为制备芯片、太阳能电池片等元器件的主要原材料，被广泛应用于通信、发电、照明、医疗等领域。半导体硅片的加工过程中，在经过高温工序后，需要将半导体硅片快速冷却至合适温度，再进行后续的工艺，因此，半导体硅片冷却速度的快慢，会直接影响生产效率。

2、在相关技术中，会设置专门的冷却机台，将经过高温工序后的半导体硅片转运至冷却机台，并通过冷却机台上的喷淋管，向半导体硅片喷出冷却气体进行降温。然而，采用上述冷却机台对半导体硅片进行降温的方式，存在冷却时间较长、冷却效率较低的问题，进而会对半导体硅片的生产效率造成一定程度的影响。

技术实现思路

1、本申请公开一种冷却装置及半导体工艺设备，以解决相关技术中，采用冷却机台对半导体硅片进行降温的方式，存在冷却效率较低的问题。

2、为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：

3、第一方面，本申请实施例公开了一种冷却装置，应用于半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括承载舟，所述冷却装置包括箱体、第一冷却机构和第二冷却机构；

4、所述箱体用于与所述机箱连通，所述第一冷却机构设于所述机箱，所述第二冷却机构设于所述箱体；

5、所述第一冷却机构和所述第二冷却机构均用于与冷却气体输送管路连接，所述第一冷却机构包括第一喷淋部，所述第二冷却机构包括第二喷淋部，所述第一喷淋部和所述第二喷淋部依次设置于待冷却件的传输路径上，用于向所述待冷却件喷出冷却气体。

6、第二方面，本申请实施例公开了一种半导体工艺设备，所公开的半导体工艺设备包括机箱、传输机构和上述的冷却装置；

7、所述传输机构跨设于所述机箱和所述箱体的内部，所述机箱设有反应腔室，所述传输机构用于将位于所述反应腔室内的所述待冷却件取出，并传输至所述箱体内；

8、所述第一冷却机构和所述第二冷却机构用于对位于所述传输机构上的所述待冷却件进行冷却。

9、本申请采用的技术方案能够达到以下技术效果：

10、本申请实施例公开的冷却装置对相关技术进行改进，所公开的冷却装置包括箱体、第一冷却机构和第二冷却机构，第一冷却机构设于半导体工艺设备的机箱，第二冷却机构设于上述箱体，箱体与机箱连通；第一冷却机构和第二冷却机构均与冷却气体输送管路连接，第一冷却机构包括第一喷淋部，第二冷却机构包括第二喷淋部，第一喷淋部和第二喷淋部依次设置于待冷却件的传输路径上，能够向待冷却件喷出冷却气体。在待冷却件处于传输过程中时，可通过第一喷淋部和第二喷淋部进行快速吹扫冷却，起到预降温的作用；在待冷却件传输至箱体内的预设位置时，可由第二喷淋部进行静态吹扫。通过第一喷淋部和第二喷淋部的分工协作，能够提升冷却效率，使得待冷却件能够快速降温，进而提升了生产效率。

技术特征：

1.一种冷却装置，应用于半导体工艺设备(200)，所述半导体工艺设备(200)包括机箱(210)，其特征在于，所述冷却装置(100)包括箱体(110)、第一冷却机构(120)和第二冷却机构(130)；

2.根据权利要求1所述的冷却装置，其特征在于，所述第一冷却机构(120)还包括第一主管路(122)和多个第一支管路(123)，所述第一主管路(122)用于与所述冷却气体输送管路连通，多个所述第一支管路(123)分别与所述第一主管路(122)连通，每个所述第一支管路(123)的末端均设有所述第一喷淋部(121)。

3.根据权利要求2所述的冷却装置，其特征在于，所述第一喷淋部(121)包括第一喷淋管路(1211)和第二喷淋管路(1212)，所述第一喷淋管路(1211)和所述第二喷淋管路(1212)分别与所述第一支管路(123)连通；

4.根据权利要求3所述的冷却装置，其特征在于，所述第一喷淋管路(1211)的喷淋区域与所述第二喷淋管路(1212)的喷淋区域重叠设置。

5.根据权利要求3所述的冷却装置，其特征在于，多个所述第一喷淋孔(1213)的间距为10mm-15mm，所述第一喷淋孔(1213)的孔径为3mm-5mm，所述第一喷淋管路(1211)与所述第二喷淋管路(1212)的间距为75mm-100mm。

6.根据权利要求2所述的冷却装置，其特征在于，所述第一主管路(122)沿气流方向依次设有第一阀门(1221)、第一减压件(1222)、第一压力检测装置(1223)和第一过滤装置(1224)；

7.根据权利要求1所述的冷却装置，其特征在于，所述第二冷却机构(130)还包括第二主管路(132)和多个第二支管路(133)，所述第二主管路(132)用于与所述冷却气体输送管路连通，多个所述第二支管路(133)分别与所述第二主管路(132)连通，每个所述第二支管路(133)的末端均设有所述第二喷淋部(131)。

8.根据权利要求7所述的冷却装置，其特征在于，所述第二喷淋部(131)包括第三喷淋管路(1311)、第四喷淋管路(1312)和第五喷淋管路(1313)，所述第三喷淋管路(1311)、所述第四喷淋管路(1312)和所述第五喷淋管路(1313)分别与所述第二支管路(133)连通；

9.根据权利要求8所述的冷却装置，其特征在于，所述第三喷淋管路(1311)、所述第四喷淋管路(1312)以及所述第五喷淋管路(1313)的喷淋区域交错设置，以覆盖所述待冷却件(300)。

10.根据权利要求8所述的冷却装置，其特征在于，多个所述第二喷淋孔(1314)的间距为15mm-20mm，所述第二喷淋孔(1314)的孔径为3mm-5mm。

11.根据权利要求7所述的冷却装置，其特征在于，所述第二主管路(132)沿气流方向依次设有第三阀门(1321)、第二减压件(1322)、第二压力检测装置(1323)和第二过滤装置(1324)；

12.根据权利要求1所述的冷却装置，其特征在于，所述冷却装置(100)还包括多个管路固定件(140)，所述第一冷却机构(120)通过所述管路固定件(140)与所述机箱(210)的箱壁连接，所述第二冷却机构(130)通过所述管路固定件(140)与所述箱体(110)的箱壁连接。

13.根据权利要求1所述的冷却装置，其特征在于，所述冷却装置(100)还包括温度传感器(150)，所述温度传感器(150)设于所述箱体(110)的箱壁，用于检测所述待冷却件(300)的温度。

14.根据权利要求13所述的冷却装置，其特征在于，所述冷却装置(100)还包括控制器，所述第一冷却机构(120)设有第一阀门(1221)，所述第二冷却机构(130)设有第三阀门(1321)；

15.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括机箱(210)、传输机构(220)和权利要求1-14任一项所述的冷却装置(100)；

技术总结本申请公开了一种冷却装置及半导体工艺设备，涉及半导体制备技术领域，所公开的冷却装置包括箱体、第一冷却机构和第二冷却机构，第一冷却机构设于半导体工艺设备的机箱，第二冷却机构设于上述箱体；第一冷却机构和第二冷却机构均用于与冷却气体输送管路连接，第一冷却机构包括第一喷淋部，第二冷却机构包括第二喷淋部，第一喷淋部和第二喷淋部依次设置于待冷却件的传输路径上。在待冷却件处于传输过程中时，可通过第一喷淋部和第二喷淋部进行快速吹扫冷却，起到预降温的作用；在待冷却件传输至箱体内的预设位置时，可由第二喷淋部进行静态吹扫。通过第一喷淋部和第二喷淋部的分工协作，能够提升冷却效率，进而提升了生产效率。技术研发人员：丁伟受保护的技术使用者：北京北方华创微电子装备有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/4