半导体器件及其制作方法与流程

1.本发明涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种半导体器件及其制作方法。背景技术：2.随着半导体集成电路的发展，半导体集成电路制造产业已经成为电子制造业的基础和核心，支持并推动着相关产业的繁荣与发展。空腔形成工艺是半导体器件的重要组成部分，随着各项技术领域的不断进步与发展，各种空腔的种类及需求也呈爆发式增长，各种形态和功能的空腔需求层出不穷。3.在各种空腔工艺的需求中，其中有一种空腔的形成具有特殊的要求，其要求空腔底部保持极高的洁净度以保证器件性能，如cis封装，baw器件封装等。4.目前高洁净度空腔的形成工艺主要依靠干膜或键合工艺，抑或两者结合的工艺，而干膜材料及键合材料较为昂贵，且制作工艺相较其他空腔工艺更加复杂，其成本也会大幅增加。技术实现要素：5.本发明的目的在于提供一种半导体器件及其制作方法，能够降低生产成本，工艺简单，且能够保证空腔区域的高洁净度，避免对空腔区域造成污染。6.为了实现上述目的，本发明提供了一种半导体器件，包括：7.衬底，所述衬底包括功能区；8.设置于所述衬底上的阻挡层，所述阻挡层与所述衬底围成第一空腔和第二空腔，所述第一空腔暴露至少部分所述功能区，所述第二空腔位于所述第一空腔外围，所述阻挡层设有连通所述第一空腔和所述第二空腔的释放通道；9.所述阻挡层上开设有释放孔，所述释放孔位于所述第二空腔范围内，且所述释放孔与所述第二空腔连通。10.本发明还提供了一种半导体器件制作方法，包括：11.提供衬底，所述衬底包括功能区；12.在所述衬底上形成释放层；13.形成沟槽，所述沟槽贯穿部分所述释放层或延伸至所述释放层部分深度，所述沟槽环绕于所述功能区外围；14.形成阻挡层，所述阻挡层填充所述沟槽并覆盖所述释放层的外表面；15.在所述沟槽外围的所述阻挡层上形成释放孔，所述释放孔暴露部分所述释放层；16.去除所述释放层，位于所述沟槽内的阻挡层内围形成第一空腔，位于所述沟槽内的阻挡层外围形成第二空腔，隔离所述第一空腔和所述第二空腔的阻挡层形成释放通道，所述释放通道连通所述第一空腔和所述第二空腔。17.本发明半导体器件的有益效果在于：18.通过在第一空腔外围形成第二空腔，并通过释放通道连通第一空腔和第二空腔，从而便于在制作该器件结构时，通过位于第二空腔范围内的释放孔去除形成第二空腔和第一空腔的释放层材料，以形成暴露至少部分功能区的第一空腔，释放孔设置在第一空腔外围的第二空腔，避免释放孔形成工艺将杂质材料引入第一空腔中，或者工艺材料残留到第一空腔，提升了第一空腔的洁净程度。19.另外，通过将释放孔形成于第二空腔上方的阻挡层上，以避免后续在阻挡层上形成保护层时，避免保护层材料落入第一空腔，进一步确保第一空腔的洁净程度；此外，还避免了使用特殊材料及工艺，降低了成本。20.进一步地，释放通道位于隔离第一空腔和第二空腔的阻挡层上，且位于临近于衬底的表面与衬底临近于阻挡层的表面之间，从而便于连通第一空腔和第二空腔，且结构简单，易于制作。21.进一步地，通过保护层覆盖释放孔，以便于形成密封的第一空腔，进而保证第一空腔的气密性和防水性，提高了第一空腔结构的可靠性。22.进一步地，通过对保护层的设置，以保护封盖层的结构强度，增强第一空腔的抗压性，从而提高封盖层的承压能力，避免封盖层受压迫造成破损以致破坏第一空腔结构，以进一步提高第一空腔的气密性和防水性能；另外，保护层还可以将阻挡层覆盖，从而加强第一空腔结构的密封性，避免第一空腔与外部空气连通。23.本发明半导体器件制作方法的有益效果在于：24.通过在衬底上形成释放层、形成阻挡层，以使便于去除释放层之后，使阻挡层与衬底围成第一空腔和第二空腔，第二空腔包围第一空腔，通过形成沟槽，在沟槽内形成阻挡层，以便于去除释放层之后在形成于相邻沟槽内的阻挡层之间形成释放通道，进而便于通过位于第二空腔范围内的释放孔去除第二空腔和第一空腔内的释放层，以形成暴露至少部分功能区的第一空腔；通过在沟槽外围的阻挡层上形成释放孔，避免释放孔形成工艺将杂质材料引入第一空腔中，或者工艺材料残留到第一空腔，提升了第一空腔的洁净程度；还便于避免后续在阻挡层上形成保护层时，避免保护层材料落入第一空腔，进一步保证了第一空腔的高洁净度；形成工艺简单，无需使用特殊材料以及特殊工艺，大大降低了成本。25.进一步地，通过沉积的方式形成阻挡层，以便于将释放层整个结构包裹起来，从而避免后续形成的第二空腔与外部连通，以致破坏与第二空腔连通的第一空腔的气密性；另外，阻挡层将整个释放层结构包裹起来，还可以增加第一空腔结构的抗压性，从而提高第一空腔结构的可靠性，避免造成第一空腔功能区失效，提高了产品的成品率以及避免产品报废。26.进一步地，在去除释放层后，形成覆盖释放孔的保护层，以便于形成密封的第一空腔，进而保证第一空腔的气密性和防水性，提高了第一空腔结构的可靠性。27.进一步地，通过在阻挡层上形成保护层，以保护封盖层的结构强度，增强第一空腔的抗压性，从而提高封盖层的承压能力，避免封盖层受压迫造成破损以致破坏第一空腔结构，以进一步提高第一空腔的气密性和防水性能；另外，保护层还可以将阻挡层覆盖，从而加强第一空腔结构的密封性，避免第一空腔与外部空气连通。附图说明28.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。29.图1示出了本发明实施例提供的一种半导体器件的俯视图；30.图2为图1所示沿a-a的一种半导体器件的剖面结构示意图；31.图3为本发明另一实施例提供的一种半导体器件的剖面结构示意图；32.图4至图11示出了本发明实施例中形成的半导体器件的制作方法不同步骤对应的结构示意图。33.附图标记说明：34.1、衬底；2、阻挡层；21、封盖层；22、支撑层；23、沟槽；3、第一空腔；4、第二空腔；5、释放通道；6、释放孔；7、保护层；8、释放层。具体实施方式35.目前高洁净度空腔的形成工艺主要依靠干膜或键合工艺，抑或两者结合的工艺，而干膜材料及键合材料较为昂贵，且制作工艺相较其他空腔工艺更加复杂，其成本也会大幅增加。36.以下结合附图和具体实施例对本发明的半导体器件及其制作方法作进一步详细说明。根据下面的说明和附图，本发明的优点和特征将更清楚，然而，需说明的是，本发明技术方案的构思可按照多种不同的形式实施，并不局限于在此阐述的特定实施例。附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。37.在说明书和权利要求书中的术语“第一”“第二”等用于在类似要素之间进行区分，且未必是用于描述特定次序或时间顺序。要理解，在适当情况下，如此使用的这些术语可替换，例如可使得本文所述的本发明实施例能够以不同于本文所述的或所示的其他顺序来操作。类似的，如果本文所述的方法包括一系列步骤，且本文所呈现的这些步骤的顺序并非必须是可执行这些步骤的唯一顺序，且一些所述的步骤可被省略和/或一些本文未描述的其他步骤可被添加到该方法。若某附图中的构件与其他附图中的构件相同，虽然在所有附图中都可轻易辨认出这些构件，但为了使附图的说明更为清楚，本说明书不会将所有相同构件的标号标于每一图中。38.实施例139.图1为本发明实施例提供的一种半导体器件的俯视图，图2为图1所述沿a-a的一种半导体器件的剖面结构示意图，请参考图1和图2，该半导体器件包括：40.衬底1，衬底包括功能区；41.设置于衬底1上的阻挡层2，阻挡层2与衬底1围成第一空腔3和第二空腔4，第一空腔3暴露至少部分功能区，第二空腔4位于第一空腔3外围，阻挡层2设有连通第一空腔3和第二空腔4的释放通道5；42.阻挡层2上开设有释放孔6，释放孔6位于第二空腔4范围内，且释放孔6与第二空腔4连通。43.阻挡层2包括封盖层21和支撑层22，支撑层22设置于衬底1上，支撑层22具有第一开口和第二开口，第一开口贯穿支撑层22以暴露至少部分功能区，第二开口自支撑层22临近于封盖层21的一面至少延伸至支撑层22的部分厚度，第二开口位于第一开口外围，封盖层21设置于支撑层22上以覆盖第一开口围成第一空腔3、覆盖第二开口围成第二空腔4。在本实施例中，封盖层21和支撑层22为一体结构，材料相同。阻挡层2材料包括氧化物、氮化物、聚酰亚胺中的至少一种，其中：所述氧化物包括二氧化硅氧化硅、zno、cdo、sno2、fe2o3、cr2o3或al2o3等；所述氮化物包括氮化硅、氮化钛、氮化铝或氮化镓等。44.在本实施例中，释放孔6位于第二空腔4范围内的封盖层21上，且贯穿封盖层21，以与第二空腔4连通，从而便于通过释放孔6和释放通道5去除形成第一空腔3和第二空腔4的释放层，进而避免释放孔6形成工艺将杂质材料引入第一空腔3中，或者工艺材料残留到第一空腔3，提升了第一空腔3的洁净程度；该避免了后续在阻挡层2上形成保护层8时，避免保护层8材料落入第一空腔3，进一步确保第一空腔3的洁净程度。需要说明的是，去除形成第一空腔3和第二空腔4的释放层的步骤参见实施例2，此处不作赘述。45.在一种可能的实现方式中，释放通道5数量为至少一个，位于第一空腔3和第二空腔4之间的部分阻挡层2临近于衬底1的表面被暴露于释放通道5中。具体地，释放通道5在衬底1表面的投影位于隔离第一空腔3和第二空腔4的支撑层在衬底1表面投影的范围内，释放通道5间隔排列，以使位于第一空腔3和第二空腔4之间的支撑层部分与衬底相接，部分暴露于释放通道5中，参考图2。46.在另一种可能的实现方式中，释放通道5围成封闭的环形，位于第一空腔3和第二空腔4之间的阻挡层2临近于衬底1的表面被暴露于释放通道5中。具体地，位于第一空腔3和第二空腔4之间的支撑层22临近于衬底1的表面被暴露于释放通道5中，以连通第一空腔3和第二空腔4，参考图3。47.第二空腔4贯穿支撑层22，或者，第二空腔4延伸至支撑层22的部分深度。应当注意，当第二空腔4延伸至支撑层22的部分深度时，释放通道5至衬底1表面时间的距离不小于第二空腔4底部至衬底1表面的距离。第二空腔4环绕于第一空腔3部分或全部外围。当第二空腔4环绕于第一空腔3的全部外围时，第二空腔4在衬底1表面的投影围成封闭的环形；当第二空腔4环绕于第一空腔3部分外围时，第二空腔4数量为至少两个，且对称设置于第一空腔3的两侧，有利于释放用于形成第一空腔3和第二空腔4的释放层，以保证释放层去除干净。在本实施例中，第二空腔4可以为孔结构、槽结构或环形结构。应当注意，第二空腔4槽深不限，为工艺简洁，可设置为与空腔等高。第二空腔4仅需通过释放通道5与第一空腔3连通，并通过释放孔6与外部连通，第二空腔4的具体结构、形状及数量可根据实际需求进行设置，本技术中不作进一步地限定。48.另外，为了保证释放效果，释放通道5尺寸大于1微米，一般采用1um至几十微米均可，释放通道5可与空腔高度持平，以减少工艺复杂度，释放通道5的大小可根据释放材料与释放工艺确定，此处不作进一步地限定。释放孔6数量为至少两个，关于释放孔6的孔径，在本实施例中，为便于后续对释放孔进行密封，即在阻挡层2上形成保护层7，保护层覆盖释放孔6，释放孔深宽比一般需要大于3：1，以进一步确保第二空腔4洁净度。在其他实施例中，若后续无需对释放孔进行密封，则释放孔孔径只需考虑保证功能区释放完全，释放孔孔径可设置为任意大小。49.为了进一步加强封盖层21的结构强度，从而增强第一空腔3的抗压性，保护层7至少覆盖第一空腔3和第二空腔4范围内的阻挡层2的外表面。具体地，保护层7位于封盖层21的上表面；或者，保护层7位于封盖层21上表面及其外围侧壁；或者，保护层7位于封盖层2上表面及其外围侧壁和支撑层22外围侧壁。通过将保护层7设置于封盖层21的上表面，以保护第一空腔3和第二空腔4结构，从而增加第一空腔3的抗压性，避免第一空腔3受外力压迫造成破裂，提高第一空腔3的可靠性和密封性。应当注意，当保护层7位于封盖层21表面及其外侧壁和支撑层22外围侧壁时，第一空腔3的抗压性较好。50.综上所述，本发明实施例通过在第一空腔外围形成第二空腔，并通过释放通道连通第一空腔和第二空腔，从而便于在制作该器件结构时，通过位于第二空腔范围内的释放孔去除形成第二空腔和第一空腔的释放层材料，以形成暴露至少部分功能区的第一空腔，释放孔设置在第一空腔外围的第二空腔，避免释放孔形成工艺将杂质材料引入第一空腔中，或者工艺材料残留到第一空腔，提升了第一空腔的洁净程度。51.另外，通过将释放孔形成于第二空腔上方的阻挡层上，以避免后续在阻挡层上形成保护层时，避免保护层材料落入第一空腔，进一步确保第一空腔的洁净程度；此外，还避免了使用特殊材料及工艺，降低了成本。52.进一步地，释放通道位于隔离第一空腔和第二空腔的阻挡层上，且位于阻挡层临近于衬底的表面与衬底临近于阻挡层的表面之间，从而便于连通第一空腔和第二空腔，且结构简单，易于制作。53.进一步地，通过保护层覆盖释放孔，以便于形成密封的第一空腔，进而保证第一空腔的气密性和防水性，提高了第一空腔结构的可靠性。54.进一步地，通过对保护层的设置，以保护封盖层的结构强度，增强第一空腔的抗压性，从而提高封盖层的承压能力，避免封盖层受压迫造成破损以致破坏第一空腔结构，以进一步提高第一空腔的气密性和防水性能；另外，保护层还可以将阻挡层覆盖，从而加强第一空腔结构的密封性，避免第一空腔与外部空气连通。55.实施例256.本发明实施例提供了一种半导体器件的制作方法，半导体器件的制作方法包括：57.s01：提供衬底，衬底包括功能区；58.s02：在衬底上形成释放层；59.s03：形成沟槽，沟槽贯穿部分所述释放层或延伸至释放层部分深度，沟槽环绕于功能区外围，使得所述沟槽内围的释放层与所述沟槽外围的释放层至少部分连通；60.s04：形成阻挡层，阻挡层填充沟槽并覆盖释放层的外表面；61.s05：在沟槽外围的阻挡层上形成释放孔，释放孔暴露部分释放层；62.s06：位于沟槽内的阻挡层内围形成第一空腔，位于沟槽内的阻挡层外围形成第二空腔，隔离第一空腔和第二空腔的阻挡层形成释放通道，释放通道连通第一空腔和第二空腔。。63.步骤s0n不代表先后顺序。64.图4至图11为本实施例的一种半导体器件的制作方法的相应步骤对应的结构示意图，参考图4至图11详细说明本实施例提供的半导体器件的制作方法。65.参考图4，执行步骤s01，提供衬底1，衬底1包括功能区。66.一般的，衬底1的材料包括硅(si)、锗(ge)、锗硅(sige)、碳硅(sic)、碳锗硅(sigec)、砷化铟(inas)、砷化镓(gaas)、磷化铟(inp)或者其它iii/v化合物半导体，也可为氧化铝等的陶瓷基底、石英或玻璃基底等。应当注意，提供的第一衬底晶圆1的厚度为目前生产工艺中的标准厚度或者更厚，从而确保第一衬底晶圆1的支撑强度较好，便于后续在其上形成芯片2以及支撑层、封盖层。另外，在后续形成封盖层之后、进行切割之前，可以对第一衬底晶圆1进行减薄，以便于后续切割封盖层、支撑层和第一衬底晶圆1时提高切割速率。67.在本实施例中，衬底1包括功能区。衬底还可以包括器件区，功能区位于器件区范围内，以使部分器件形成于功能区内。器件区内可以形成有谐振器、热电堆结构、mems结构、滤波器结构、敏电阻或者光敏电阻，其形成方式可参照现有技术，此处不作进一步描述。68.继续参考图4，执行步骤s02，在衬底1上形成释放层8。69.在本实施例中，通过沉积的方式在衬底1上形成释放层8，释放层8覆盖至少部分衬底1表面。具体地，释放层8覆盖衬底1中央区域以暴露衬底1外边缘，进而便于后续形成的阻挡层覆盖衬底1表面以及释放层8的外围侧壁。一般的，在100度到400度，常压或低压条件下，利用化学气相沉积工艺在衬底1上形成释放层8。释放层8的材料包括：碳、锗、磷硅玻璃中的至少一种。其中，释放层8的材料可以为α-c，以便于形成性能较好的空腔结构。70.参考图5-图6，执行步骤s03，形成沟槽23，沟槽23贯穿部分所述释放层或延伸至释放层8部分深度，沟槽23环绕于功能区外围，使得沟槽23内围的释放层与沟槽23外围的释放层至少部分连通。71.在本实施例中，沟槽23包括贯穿释放层8的第一沟槽和延伸至释放层8部分深度的第二沟槽，以使沟槽23贯穿部分释放层8，形成沟槽23的方法包括：刻蚀释放层，形成环绕于功能区外围的第二沟槽，第二沟槽延伸至释放层8的部分深度；刻蚀位于第二沟槽范围内的释放层，形成第一沟槽，第一沟槽暴露部分衬底表面。需要说明的是，形成的第一沟槽和第二沟槽连通，通过形成第一沟槽，以便于后续形成的阻挡层沿第一沟槽与衬底表面相接，进而在不影响形成释放通道连通第一空腔和第二空腔的同时，提高阻挡层的支撑强度。具体地，第一沟槽的数量为多个，且相互之间通过释放层隔离，形成独立的第一沟槽，即第一沟槽在衬底1表面的投影围成带有间隙的环形，第二沟槽在衬底1表面的投影围成封闭的环形，第一沟槽与第二沟槽在衬底1表面的投影重叠，相邻第一沟槽之间的间隔长度可参照后续所需形成的释放通道的宽度进行设置，第二沟槽槽底至衬底1表面的距离可参照后续所需形成的释放通道的高度进行设置，一般释放通道的高度为1微米至几十微米。72.参照图6，在其他实施例中，沟槽23延伸至释放层8的部分深度，形成沟槽23的方法包括：刻蚀释放层8，形成环绕于功能区外围的沟槽23，沟槽23延伸至释放层8的部分深度。具体地，沟槽23为封闭的环形沟槽，沟槽延伸至释放层8的部分深度，以便于后续去除释放层8之后，使得形成于沟槽23内的阻挡层2临近于衬底1的表面与衬底1临近于阻挡层2的表面之间形成释放通道5，从而使形成于沟槽23内的阻挡层2临近于衬底1的表面被暴露于释放通道5中，进而便于后续形成的第一空腔3和第二空腔4通过释放通道5连通。需要注意的是，释放层8的厚度可根据实际所需第一空腔的深度进行设置，沟槽23底部与衬底1之间的释放层8厚度在1微米至几十微米之间，以确保后续形成释放通道高度维持1微米至几十微米，以便于后续有效去除释放层8并避免影响其去除效率。73.参考图7-图8，执行步骤s04，形成阻挡层2，阻挡层2填充沟槽并覆盖释放层8的外表面。应当注意，由于后续形成的第一空腔与第二空腔连通，因此为保护第一空腔的气密性，需要将第二空腔与外部隔离，因此阻挡层2需要覆盖释放层8的上表面以及释放层8的外围侧壁，从而包覆整个释放层8外表面，以隔绝外部空气与释放层8。74.在本实施例中，采用沉积工艺形成阻挡层2，形成的阻挡层2填充沟槽并覆盖释放层8及其外围侧壁。阻挡层2材料包括氧化物、氮化物、聚酰亚胺中的至少一种，其中：氧化物包括二氧化硅氧化硅、zno、cdo、sno2、fe2o3、cr2o3或al2o3等；氮化物包括氮化硅、氮化钛、氮化铝或氮化镓等。75.另外，形成的阻挡层2包括支撑层22和封盖层21，支撑层22填充沟槽并覆盖释放层8的外围侧壁，封盖层21覆盖释放层8和支撑层22的上表面，以使形成的封盖层21和支撑层22具有较好的刚性，从而提高支撑层22的支撑强度和封盖层21的结构强度，以提高后续形成的第一空腔3和第二空腔4的抗压性、气密性及防水性。在本实施例中，形成于第一沟槽内的支撑层22与衬底1表面相接，以便于提高支撑层22的支撑强度，参考图7。在其他实施例中，形成于沟槽23内的支撑层22临近于衬底1的表面与衬底之间通过释放层8隔离，参考图8。76.当采用二氧化硅材料沉积形成阻挡层2时，沉积的工艺参数包括：采用包含sih4气体和n2o气体的混合气体或正硅酸乙酯气体和n2o气体的混合气体，其中sih4气体或正硅酸乙酯气体流量为240sccm至300sccm，n2o气体流量为3000sccm至5000sccm，射频功率为250w至350w，工艺温度为150℃至400℃；当采用氮化硅材料沉积形成阻挡层2时，沉积的工艺参数包括：采用包含sih4气体、nh3气体和n2气体的混合气体，其中sih4气体流量为500sccm至700sccm，nh3气体流量为200sccm至350sccm，n2气体流量为6000sccm至10000sccm，射频功率为600w至1000w，工艺温度范围为250℃至400℃。77.参考图9，执行步骤s05，在沟槽23外围的阻挡层2上形成释放孔6，释放孔6暴露部分释放层。采用刻蚀工艺形成释放孔6，刻蚀工艺包括干法刻蚀或湿法刻蚀。78.继续参考图9，执行步骤s06，去除释放层，形成第一空腔3、第二空腔4和释放通道，第一空腔3暴露至少部分功能区，第二空腔4位于第一空腔3外围并通过阻挡层2隔离，释放通道连通第一空腔3和第二空腔4。去除释放层2的方法包括：在第二空腔4范围内的阻挡层2上形成释放孔6，释放孔6与第二空腔4连通；通过释放孔6注入释放材料，以去除释放层。79.需要说明的是，需要根据释放层的材料，采用相对应的去除方法，比如当释放层为α-c时，采用等离子气体烧除的方式去除释放层。再比如当释放层材料为聚酰亚胺或光阻剂时，采用灰化的方法去除。再比如当释放层材料为低温二氧化硅时，用氢氟酸溶剂和低温二氧化硅发生反应去除。释放层去除后，在支撑层22内围的释放层去除后形成第一空腔3，支撑层22外围的释放层去除后形成第二空腔4。80.当沟槽包括第一沟槽和第二沟槽时，相邻第一沟槽之间的释放层去除后形成释放通道。当沟槽延伸至释放层的部分深度时，位于沟槽底部与衬底1表面之间的释放层去除后形成释放通道，参考图10。81.参考图11，去除释放层之后，在阻挡层2上形成保护层7，保护层7覆盖释放孔6。保护层7的材料包括聚酰亚胺、干膜、氮化物、金属中的至少一种，其中：氮化物包括氮化硅、氮化钛、氮化铝、氮化镓等；金属包括cu、al、ti、sn或ag等半导体器件制作中常用金属。82.当保护层7包括聚酰亚胺、干膜中的至少一种时，形成保护层7的方法包括：提供保护层7；将保护层2粘接于阻挡层2的外表面；对保护层7进行固化。应当注意，固化的工艺参数包括：工艺温度范围为150℃至400℃，固化的工艺时间为30分钟至10小时，以提高保护层7和阻挡层2的结合能力，从而进一步提高第一空腔3和第二空腔4的气密性。若保护层为液态干膜，还可以先将液态材料涂覆于阻挡层2的外表面，再对其进行固化。阻挡层2的外表面包括至少部分阻挡层2的第一表面，或者，阻挡层2的外表面包括至少部分阻挡层2的第一表面及其外围侧壁。第一表面为远离第一空腔3的面，阻挡层2的外表面包括至少部分阻挡层2的第一表面具体包括：阻挡层2的外表面包括位于第一空腔3和第二空腔4范围内的第一表面，或者，阻挡层2的外表面包括全部的第一表面。83.当保护层7包括氮化物、金属中的至少一种时，形成保护层7的方法包括：提供保护层7；将保护层7键合于阻挡层2上。需要说明的是，若保护层7覆盖部分阻挡层2的第一表面，则在将保护层7键合于阻挡层2上之后，刻蚀保护层，以去除位于第一空腔3和第二空腔4范围以外的保护层，使保留的保护层覆盖位于第一空腔3和第二空腔4范围以内的阻挡层表面。刻蚀保护层的工艺可以采用干法刻蚀工艺。84.若保护层7覆盖阻挡层2的至少部分第一表面及其外围侧壁，则形成保护层7的方法包括：提供保护材料层；刻蚀保护材料层，形成可容纳阻挡层2的凹槽；将保护层7键合于阻挡层2上，使阻挡层2置于保护层7的凹槽内。若保护层7只覆盖阻挡层2的部分第一表面，则在将保护层7键合于阻挡层2上之后，刻蚀保护层7的上表面，以去除位于第一空腔3和第二空腔4范围以外的保护层，具体参照前文所述，此处不再赘述。85.综上所述，本发明实施例通过在衬底上形成释放层、形成阻挡层，以使便于去除释放层之后，使阻挡层与衬底围成第一空腔和第二空腔，第二空腔包围第一空腔，通过形成沟槽，在沟槽内形成阻挡层，以便于去除释放层之后在形成于相邻沟槽内的阻挡层之间形成释放通道，进而便于通过位于第二空腔范围内的释放孔去除第二空腔和第一空腔内的释放层，以形成暴露至少部分功能区的第一空腔；通过在沟槽外围的阻挡层上形成释放孔，避免释放孔形成工艺将杂质材料引入第一空腔中，或者工艺材料残留到第一空腔，提升了第一空腔的洁净程度；还便于避免后续在阻挡层上形成保护层时，避免保护层材料落入第一空腔，进一步保证了第一空腔的高洁净度；形成工艺简单，无需使用特殊材料以及特殊工艺，大大降低了成本。86.进一步地，通过沉积的方式形成阻挡层，以便于将释放层整个结构包裹起来，从而避免后续形成的第二空腔与外部连通，以致破坏与第二空腔连通的第一空腔的气密性；另外，阻挡层将整个释放层结构包裹起来，还可以增加第一空腔结构的抗压性，从而提高第一空腔结构的可靠性，避免造成第一空腔功能区失效，提高了产品的成品率以及避免产品报废。87.进一步地，在去除释放层后，形成覆盖释放孔的保护层，以便于形成密封的第一空腔，进而保证第一空腔的气密性和防水性，提高了第一空腔结构的可靠性。88.进一步地，通过在阻挡层上形成保护层，以保护封盖层的结构强度，增强第一空腔的抗压性，从而提高封盖层的承压能力，避免封盖层受压迫造成破损以致破坏第一空腔结构，以进一步提高第一空腔的气密性和防水性能；另外，保护层还可以将阻挡层覆盖，从而加强第一空腔结构的密封性，避免第一空腔与外部空气连通。89.需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用相关的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于结构实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。90.上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。