半导体传感器的制作方法

本发明涉及半导体传感器。

背景技术：

1、近年来，作为使用了与作为检测对象物质的靶分子特异性地相互作用的受体的传感器，场效应晶体管(fet：field effect transistor)型的传感器备受关注。

2、作为fet型的传感器，已提出对于形成在源极电极与漏极电极之间的沟道使用了碳纳米管的传感器(专利文献1)、对于沟道使用了石墨烯的传感器(非专利文献1)等。

3、在先技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：美国专利申请公开第2018/0038815号说明书

6、非专利文献

7、非专利文献1：applied surface science 480(2019)p.709-716

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、专利文献1以及非专利文献1记载的传感器具备：绝缘基板；碳系半导体，配置在绝缘基板上，包含碳纳米管或者石墨烯；源极电极以及漏极电极，与碳系半导体电连接；连接分子，通过被称为“π堆积”的非共价键而吸附在碳系半导体的表面；和受体，与连接分子键合。

3、然而，在专利文献1以及非专利文献1记载的传感器中，存在以下的问题。

4、(1)由于碳系半导体的表面具有疏水性，因此有可能产生构成受体的分子改性等的不良状况。另外，在专利文献1以及非专利文献1中，记载了在碳系半导体的疏水性表面作为连接分子而存在pbase(1-pyrenebutanoic acid succinimidyl ester，1-芘丁酸n-羟基琥珀酰亚胺酯)，但是就pbase的单分子层而言，对于缓和碳系半导体的表面的疏水性是不充分的。

5、(2)由于碳系半导体自身的绝缘性低，因此在对传感器施加栅极电压时，会从栅极电极向碳系半导体流入不必要的电流。由于该电流，在碳系半导体的表面产生氧化还原反应，其结果是，有可能产生不必要的材料的析出、电解液的电解从而传感器灵敏度下降。

6、本发明的目的在于，提供一种受体不会受到半导体表面的疏水性的影响并且确保了表面的电绝缘性的半导体传感器。

7、用于解决问题的技术方案

8、本发明的半导体传感器具备：绝缘基板；半导体片，配置在上述绝缘基板上，包含石墨烯或者碳纳米管；源极电极以及漏极电极，配置在上述绝缘基板上，与上述半导体片电连接；氧化膜，配置为覆盖上述半导体片的表面，包含二氧化硅、矾土或者它们的复合氧化物；和受体，配置在上述氧化膜的表面。

9、发明效果

10、根据本发明，能够提供一种受体不会受到半导体表面的疏水性的影响且确保了表面的电绝缘性的半导体传感器。

技术特征：

1.一种半导体传感器，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体传感器，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体传感器，其中，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体传感器，其中，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体传感器，其中，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体传感器，其中，

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体传感器，其中，

8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体传感器，其中，

9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体传感器，其中，

10.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体传感器，其中，

技术总结半导体传感器(1)具备：绝缘基板(11)；半导体片(12)，配置在绝缘基板(11)上，包含石墨烯或者碳纳米管；源极电极(13)以及漏极电极(14)，配置在绝缘基板(11)上，与半导体片(12)电连接；氧化膜(15)，配置为覆盖半导体片(12)的表面，包含二氧化硅、矾土或者它们的复合氧化物；和受体(16)，配置在氧化膜(15)的表面。技术研发人员：宫川成人,牛场翔太,品川步,冈优果,木村雅彦受保护的技术使用者：株式会社村田制作所技术研发日：技术公布日：2024/1/12