晶圆保护膜去除装置的制作方法

本技术涉及半导体制造，具体涉及一种晶圆保护膜去除装置。

背景技术：

1、晶圆是指制作硅半导体积体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅，高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅，硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。在晶圆制造过程中，晶圆表面需要进行覆膜处理，而覆膜后还需要将膜体上自带的保护膜撕除，只保留膜体中的主体膜在晶圆上。但晶圆的厚度规格较多，撕膜装置的撕膜机构与晶圆之间的距离直接影响撕膜效果，如果撕膜机构距离晶圆表面过高，则无法与保护膜实现粘合，进而无法将其保护膜去除，而如果撕膜机构距离晶圆表面过低，则容易擦伤晶圆表面。

技术实现思路

1、本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种结构简单、能够根据晶圆厚度调节撕膜位置的晶圆保护膜去除装置。

2、本实用新型解决上述技术问题所采用的技术方案为：一种晶圆保护膜去除装置，其特征在于：包括

3、底座，具有放置晶圆的放置区；

4、高度调节组件，包括至少两组，每组调节组件包括两个设置在底座的放置区两侧的调节件，各组高度调节组件中的调节件具有不同的高度以用于匹配不同厚度晶圆；

5、板体，可移动地支撑在高度调节组件上而位于放置区上方。

6、为了保证晶圆放置的稳定性，所述底座上的放置区为下凹设置的浅槽。

7、为了保证调节件在底座上放置的稳定性，所述底座上对应于每个调节件的位置设置有限位槽，所述调节件设置在限位槽内。

8、优选地，所述限位槽呈长条状且沿板体的移动方向延伸，所述调节件匹配嵌设在限位槽内。

9、为了方便实现对板体的移动操作，进而进行保护膜去除工作，所述板体上设置有把手。

10、优选地，所述把手通过螺丝固定在板体的上表面。

11、为了方便搬拿晶圆保护膜去除装置，所述底座相对的两侧壁上开设有供手置入的缺口。

12、为了提高搬拿的便利性，所述缺口向下延伸申至底座的底部。

13、与现有技术相比，本实用新型的优点在于：本实用新型中的晶圆保护膜去除装置，设置了高度调节组件，进而根据晶圆的厚度来选用不同高度的高度调节组件，进而达到调节板体与晶圆之间间距的目的，使得针对不同厚度的晶圆，板体与晶圆之间均能保持合理的间距，进而更好的去处晶圆上的保护膜，能有效去膜，且能避免对晶圆表面的划伤。使用时，只需根据晶圆的厚度更换高度调节器即可，不需要频繁新增不同尺寸撕膜治具。

技术特征：

1.一种晶圆保护膜去除装置，其特征在于：包括

2.根据权利要求1所述的晶圆保护膜去除装置，其特征在于：所述底座(1)上的放置区(11)为下凹设置的浅槽。

3.根据权利要求1所述的晶圆保护膜去除装置，其特征在于：所述底座(1)上对应于每个调节件(21)的位置设置有限位槽(12)，所述调节件(21)设置在限位槽(12)内。

4.根据权利要求3所述的晶圆保护膜去除装置，其特征在于：所述限位槽(12)呈长条状且沿板体(3)的移动方向延伸，所述调节件(21)匹配嵌设在限位槽(12)内。

5.根据权利要求1至4任一项所述的晶圆保护膜去除装置，其特征在于：所述板体(3)上设置有把手(4)。

6.根据权利要求5所述的晶圆保护膜去除装置，其特征在于：所述把手(4)通过螺丝(41)固定在板体(3)的上表面。

7.根据权利要求1至4任一项所述的晶圆保护膜去除装置，其特征在于：所述底座(1)相对的两侧壁上开设有供手置入的缺口(13)。

8.根据权利要求7所述的晶圆保护膜去除装置，其特征在于：所述缺口(13)向下延伸申至底座(1)的底部。

技术总结本技术涉及一种晶圆保护膜去除装置，包括底座，具有放置晶圆的放置区；高度调节组件，包括至少两组，每组调节组件包括两个设置在底座的放置区两侧的调节件，各组高度调节组件中的调节件具有不同的高度以用于匹配不同厚度晶圆；板体，可移动地支撑在高度调节组件上而位于放置区上方。本技术中的晶圆保护膜去除装置，根据晶圆的厚度来选用不同高度的高度调节组件，进而达到调节板体与晶圆之间间距的目的，使得针对不同厚度的晶圆，板体与晶圆之间均能保持合理的间距，进而更好的去处晶圆上的保护膜，能有效去膜，且能避免对晶圆表面的划伤。使用时，只需根据晶圆的厚度更换高度调节器即可，不需要频繁新增不同尺寸撕膜治具。技术研发人员：黄振洋,姚达受保护的技术使用者：宁波得力微机电芯片技术有限公司技术研发日：20231201技术公布日：2024/7/29